latch up phenomenonとは 意味・読み方・使い方

To provide a static type semiconductor memory device which allow only a small standby current and is resistive to latch-up phenomenon.例文帳に追加

スタンバイ電流が小さく、ラッチアップに強いスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the generation of latch-up phenomenon of an output transistor N33 caused by the potential reversing phenomenon can be avoided, thus attaining stable and secure operation.例文帳に追加

これにより、この電位逆転現象に起因して発生する出力トランジスタＮ３３のラッチアップ現象の発生を防止でき、安定,確実な動作を実現できる。 - 特許庁

In this semiconductor, since a concentrated current flows through the p-type avalanche, the device is turned off surely, without causing latch-up phenomenon.例文帳に追加

本実施の形態の半導体装置では集中した電流がｐ型アバランシェを流れるので、ラッチアップが生じることなく確実にターンオフできる。 - 特許庁

If a wafer burn-in test operation is performed under such power supply system, a DC current path formed by a latch-up phenomenon of a memory cell can be surely cut off.例文帳に追加

このような電源システムの下で、ウェハバーンインテスト動作が実行される場合に、メモリセルのラッチアップ現象により生じるＤＣ電流経路を確実に遮断することができる。 - 特許庁

To reduce influence of data loss due to latch up, and operations of parasitic bipolar components and snap back operations of MOSFETs being the phenomenon similar to them in a semiconductor integrated circuit device having a SRAM cell array.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルアレイを有する半導体集積回路装置において、ラッチアップや、寄生バイポーラ素子の動作又はこれらと同様な現象であるＭＯＳＦＥＴのスナップバック動作によるデータ消失の影響を低減する。 - 特許庁

Therefore, it can be prevented that a current flows into the short-circuit portion of a defective memory cell MC and moreover a leak current can be kept small even when the latch-up phenomenon is generated.例文帳に追加

したがって、不良なメモリセルＭＣのショート部分に電流が流れるのを防止することができ、また、ラッチアップ現象が生じてもリーク電流を小さく抑えることができる。 - 特許庁

To provide an internal voltage generator for a semiconductor memory device which can prevent latch-up phenomenon and chip damage caused by excessive current flowing through the device.例文帳に追加

素子内の過度な電流が流れることによって引き起こされるラッチアップ現象及びチップの損傷を防止できる半導体メモリ素子の内部電源電圧発生装置を提供すること。 - 特許庁

To avoid an occurrence of a latch-up phenomenon even in the case of VSS1>VSS2, when input voltages VDD1 and VSS1 under VDD2>VSS2>VSS1 and VDD1>VSS1 are input and the levels are shifted to VDD2 and VSS2.例文帳に追加

ＶＤＤ２＞ＶＳＳ２＞ＶＳＳ１、且つＶＤＤ１＞ＶＳＳ１の関係にある入力電圧ＶＤＤ１，ＶＳＳ１を入力してＶＤＤ２，ＶＳＳ２にレベルシフトする際に、ＶＳＳ１＞ＶＳＳ２になったときであってもラッチアップ現象の発生を回避する。 - 特許庁