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layer electron densityとは 意味・読み方・使い方
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「layer electron density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
a layer of ionization in which electron density abruptly becomes more concentrated, called sporadic E layer発音を聞く 例文帳に追加
E層という,突発的に電子密度が大きくなった電離圏 - EDR日英対訳辞書
It is preferable that the electron density in the buffer layer 3 is 1/10 or less of the electron density in the semiconductor layer 1.例文帳に追加
緩衝層3における電子の濃度は、半導体層1における電子の濃度の10分の1以下であることが好ましい。 - 特許庁
An electron density in the buffer layer 3 is lower than that in the semiconductor layer 1.例文帳に追加
緩衝層3における電子の濃度は、半導体層1における電子の濃度よりも低い。 - 特許庁
The buffer layer has its electron density higher than the hole density of the P type AlGaN layer 18 and wider band gap energy than the N type light emission layer.例文帳に追加
バッファ層は、その電子密度が、P型AlGaN層18にホール密度より低く、かつそのバンドギャップエネルギがN型発光層よりも広くなっている。 - 特許庁
The electron tunnel effect is controlled by the film thickness of the tunnel layer 4 and the material of the semiconductor high-density anode layer 3.例文帳に追加
また、トンネル層4の膜厚と半導体高濃度アノード層3の材料とによって電子のトンネル効果を制御できる。 - 特許庁
The carbon nanotube layer is formed by using a suspension filtering method, and electron emission density is increased by a succeeding surface treatment on the electron emission substance layer.例文帳に追加
カーボンナノチューブ層は、懸濁液フィルタリング法を利用して形成され、後続する電子放出物質層の表面処理によって電子放出密度が上昇する。 - 特許庁
To provide HEMT which has a small contact resistance between a source and a drain electrode and 2DEG (two-dimensional electron gas) and has a large electron density for 2DEG, by depositing an electron supplying layer and an electron traveling layer in a [000-1] direction.例文帳に追加
電子供給層および電子走行層を[000−1]方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と2DEGの接触抵抗が小さく、かつ2DEGの電子濃度の大きいHEMTを提供することができる。 - 特許庁
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「layer electron density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 49件
Furthermore, on the surface of the ferroelectric layer 2 of the electron beam source, MgO films or aluminum nitride films or the like are laminated which have high secondary electron discharge ability, and electron beam discharge density is enhanced.例文帳に追加
さらに、電子ビーム源である強誘電体層2の表面に、二次電子放出能力の高いMgO膜や窒化アルミニウム膜等を積層して、電子ビーム放出密度を高める。 - 特許庁
To reduce an electric resistance of an electron-emitting substance layer and control the Joule heat on high electric current density operation of a cathode.例文帳に追加
電子放射物質層の電気抵抗を低減し、陰極の高電流密度動作時のジュール発熱を抑制する。 - 特許庁
In the avalanche photodiode, the optical absorption layer 10 is composed of a depletion layer 14 of low carrier density and a depletion terminal layer 15 of high carrier density, and the carrier density or the electron affinity of the layer 15 is varied stepwise or continuously.例文帳に追加
アバランシフォトダイオードにおいて、光吸収層10が低キャリア濃度の空乏化層14と高キャリア濃度の空乏化終端層15とから構成され、空乏化終端層15のキャリア濃度又は電子親和力が段階的又は連続的変化することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加
p型ガイド層とp型クラッド層との間にAlを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
A hole barrier layer 22C for preventing the inflow of holes from the base layer 23 is provided in the collector layer 22, thus restraining the flow of a collector current when collector current density increases and an electron speed is saturated for avoiding thermal runaway without any ballast resistors or the like.例文帳に追加
これにより、コレクタ電流密度が高まって電子の速度が飽和したときに、コレクタ電流の流れを抑え、バラスト抵抗等なしで熱暴走を抑制することができる。 - 特許庁
In this novel structure, overflow is not caused at a conductive layer side wall after a nanotube hardening process of carbon nanotubes, and the specific gravity gets closer to an electron density emitted by a phosphor powder applied layer, while images by electron dispersion are reduced.例文帳に追加
本発明の新規な構造は、炭素ナノチューブをナノチューブ硬化工程後に、伝導層側壁のオーバフローを発生せず、且つ比重を蛍光粉塗布層の発射する電子密度に近づけ、並びに電子散射の画像を減らす。 - 特許庁
By the first activator 3 present in excess in the surface layer 2a, an electron beam at the low-voltage side causes density extinction, decreasing the luminance.例文帳に追加
粒子表層部2aに過剰に存在する第1の付活剤3によって、低電圧側の電子線は濃度消光を起こして輝度が低下する。 - 特許庁
The amplitude of the current flowing through the electron passing layer 4 is set so that the current density of the current flowing through the electron passing layer 4 during the reverse voltage period becomes equal to or lower than that during the forward voltage period.例文帳に追加
電子通過層4に流れる電流の振幅は、逆電圧期間T2において電子通過層4に流れる電流の電流密度が、順電圧期間T1において電子通過層4に流れる電流の電流密度以下になるように設定する。 - 特許庁
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