「layer electron density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The carbon nanotube layer is formed by using a suspension filtering method, and electron emission density is increased by a succeeding surface treatment on the electron emission substance layer.例文帳に追加

カーボンナノチューブ層は、懸濁液フィルタリング法を利用して形成され、後続する電子放出物質層の表面処理によって電子放出密度が上昇する。 - 特許庁

To provide HEMT which has a small contact resistance between a source and a drain electrode and 2DEG (two-dimensional electron gas) and has a large electron density for 2DEG, by depositing an electron supplying layer and an electron traveling layer in a [000-1] direction.例文帳に追加

電子供給層および電子走行層を［０００−１］方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と２ＤＥＧの接触抵抗が小さく、かつ２ＤＥＧの電子濃度の大きいＨＥＭＴを提供することができる。 - 特許庁

Furthermore, on the surface of the ferroelectric layer 2 of the electron beam source, MgO films or aluminum nitride films or the like are laminated which have high secondary electron discharge ability, and electron beam discharge density is enhanced.例文帳に追加

さらに、電子ビーム源である強誘電体層２の表面に、二次電子放出能力の高いＭgＯ膜や窒化アルミニウム膜等を積層して、電子ビーム放出密度を高める。 - 特許庁

To reduce an electric resistance of an electron-emitting substance layer and control the Joule heat on high electric current density operation of a cathode.例文帳に追加

電子放射物質層の電気抵抗を低減し、陰極の高電流密度動作時のジュール発熱を抑制する。 - 特許庁

In the avalanche photodiode, the optical absorption layer 10 is composed of a depletion layer 14 of low carrier density and a depletion terminal layer 15 of high carrier density, and the carrier density or the electron affinity of the layer 15 is varied stepwise or continuously.例文帳に追加

アバランシフォトダイオードにおいて、光吸収層１０が低キャリア濃度の空乏化層１４と高キャリア濃度の空乏化終端層１５とから構成され、空乏化終端層１５のキャリア濃度又は電子親和力が段階的又は連続的変化することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A hole barrier layer 22C for preventing the inflow of holes from the base layer 23 is provided in the collector layer 22, thus restraining the flow of a collector current when collector current density increases and an electron speed is saturated for avoiding thermal runaway without any ballast resistors or the like.例文帳に追加

これにより、コレクタ電流密度が高まって電子の速度が飽和したときに、コレクタ電流の流れを抑え、バラスト抵抗等なしで熱暴走を抑制することができる。 - 特許庁

In this novel structure, overflow is not caused at a conductive layer side wall after a nanotube hardening process of carbon nanotubes, and the specific gravity gets closer to an electron density emitted by a phosphor powder applied layer, while images by electron dispersion are reduced.例文帳に追加

本発明の新規な構造は、炭素ナノチューブをナノチューブ硬化工程後に、伝導層側壁のオーバフローを発生せず、且つ比重を蛍光粉塗布層の発射する電子密度に近づけ、並びに電子散射の画像を減らす。 - 特許庁

By the first activator 3 present in excess in the surface layer 2a, an electron beam at the low-voltage side causes density extinction, decreasing the luminance.例文帳に追加

粒子表層部２ａに過剰に存在する第１の付活剤３によって、低電圧側の電子線は濃度消光を起こして輝度が低下する。 - 特許庁

The amplitude of the current flowing through the electron passing layer 4 is set so that the current density of the current flowing through the electron passing layer 4 during the reverse voltage period becomes equal to or lower than that during the forward voltage period.例文帳に追加

電子通過層４に流れる電流の振幅は、逆電圧期間Ｔ２において電子通過層４に流れる電流の電流密度が、順電圧期間Ｔ１において電子通過層４に流れる電流の電流密度以下になるように設定する。 - 特許庁

With this, a thickness of the high phosphoric acid density layer on the glass surface is suppressed, making it hard for a charge to be built up, so that a deflection quantity of electron beams can be reduced.例文帳に追加

これにより、ガラス表面のリン酸高濃度層の厚みが低く抑えられ、電荷が帯電しにくくなり、電子ビーム偏向量を低減することができる。 - 特許庁

To provide an electron emission source in which high pressure withstanding, flatness, and high aperture density are realized, and which has an insulating layer having little deformation by high temperature heating and little gas emission.例文帳に追加

高耐圧、平坦、高開口密度を可能にし、高温加熱で変形が少なくかつガス放出の少ない絶縁層、を備える電子放出源を提供する。 - 特許庁

The surface electrode 7 is formed with two-layered thin-film electrode layers 7b and 7a, the top thin-film electrode layer 7a shows lower state density around energy of emitted electron, the bottom thin-film electrode layer 7b shows lower state density around energy of emitted electron and a good adherence property to the strong electrostatic drift region 6.例文帳に追加

表面電極７は、二層の薄膜電極層７ｂ，７ａからなり、最上層の薄膜電極層７ａは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層７ｂは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低く且つ強電界ドリフト部６との密着性が良い性質を有する。 - 特許庁

The additional members 2a, 2b are attached to underfill portions 1a, 1b formed in a piston base made of an aluminum alloy and are irradiated with electron beams from a high-density energy source, e.g. an electron beam gun 3, to form the alloy layer.例文帳に追加

アルミニウム合金製のピストン基材１に形成した欠肉部１ａ，１ｂに添加材２ａ，２ｂを装着し、この添加材に高密度エネルギー源、例えば、電子ビーム銃３から電子ビームを照射して合金層を形成する。 - 特許庁

The electrode for fuel cell contains an electron conductor layer in which holes 10 communicating from the surface to the rear face of the layer is formed at a density of 10 pcs./cm^2 or more in a nearly vertical direction to the plane direction of the layer.例文帳に追加

層の表面から裏面に連通した空孔１０が、層の平面方向と略垂直な方向に１０個／ｃｍ^2以上の密度で形成されている電子伝導体層を含有することを特徴とする燃料電池用電極。 - 特許庁

To provide a green phosphor capable of emitting high-luminance light by vacuum ultraviolet rays or a low-voltage electron beam by forming a dense phosphor layer having a high packing density.例文帳に追加

緻密で充填密度が高い蛍光体層を形成し、真空紫外線あるいは低電圧電子線励起により輝度が高い発光を得ることができる緑色蛍光体を提供する。 - 特許庁

The polycrystalline layer thus obtained has high electron emission efficiency, low defect density, and high withstand voltage compared to the conventional silicon layer.例文帳に追加

強電界ドリフト層６が酸窒化した多孔質多結晶シリコン層よりなるので、電子放出効率が高く、また、酸化した多孔質多結晶シリコン層により形成されている場合に比べて欠陥密度が減少し、絶縁耐圧が高くなる。 - 特許庁

A unipolar Gunn effect element has laminated anode layer, travel layer, cathode layer and the gate electrode which is Schottky-jointed to the travel layer and donor impurity concentration is adjusted so that time average electron density in the travel layer is canceled so as to make time average field strength to be constant is installed for solving said problem.例文帳に追加

上記問題を解決するために、本件発明では、積層されたアノード層、走行層、カソード層、走行層にショットキー接合したゲート電極を有し、走行層中の時間平均電子密度を相殺するようドナー不純物濃度を調整することで時間平均電界強度を一定とした、ユニポーラ型ガン効果素子を提供する。 - 特許庁

The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。 - 特許庁

To calculate the radio wave image of the surface of the atmosphere or the earth from a radio wave occultation signal and to clear the data related to a change in the inclination of electron density in the D-region or E-region of an ionization layer.例文帳に追加

電波オカルテーション信号から、大気や地球表面の電波イメージを求め、また、電離層のＤ領域やＥ領域における電子密度の傾斜の変化に関する情報を明らかにする。 - 特許庁

To provide an electron emitting source for FED that comprises an insulating layer having a minimum necessary thickness for securing voltage withstanding property, a flat top face, a high density aperture, and a high thermal resistance.例文帳に追加

耐電圧確保に必要な最低限の膜厚、平坦な上面、高密度の開口部及び高耐熱性を有する絶縁層を備えたFED用電子放出源の提供、及び、その製造技術の確立。 - 特許庁

To provide a method that dispenses with a large-scale apparatus and a number of processes, such as a photolithography process, and can accurately and easily measure the electric characteristics of an SOI wafer, such as electron mobility, interface level density, hole mobility, and BOX layer charge density.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程のような大掛かりな装置と多数の工程を必要せず、電子移動度や界面準位密度、正孔移動度、ＢＯＸ層電荷密度などのようなＳＯＩウエーハの電気特性を正確かつ簡便に測定する方法を提供する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording medium, which is provided with a thermosensitive recording layer containing colorless or light-colored electron donative leuco dye and electron acceptive developer on the support, this support includes fatty acid polyamide, and density of the support is 0.95 g/cm^3 or less.例文帳に追加

支持体上に、無色ないし淡色の電子供与性ロイコ染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層を設けた感熱記録体において、該支持体が脂肪酸ポリアミドを含有し、該支持体の密度が０．９５ｇ／ｃｍ^３以下である感熱記録体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a nitride semiconductor, which is configured such that an InN-based semiconductor used as a channel layer semiconductor obtains pinch-off characteristics even in the presence of residual background electrons of high density, and superior electron transport characteristics (high electron mobility and a high saturation electron speed) of the InN-based semiconductor are utilized, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

チャネル層半導体として用いるInN系半導体において、高濃度の残留背景電子が存在していても、ピンチオフ特性が得られ、InN系半導体の優れた電子輸送特性（高い電子移動度および高い飽和電子速度）が活用可能となる、窒化物半導体を用いた導体装置およびその作製法を提供すること。 - 特許庁

When a clock light is cast on a light absorptive layer 205, electron-hole pairs are generated to change the carrier density in this layer, causing the characteristic impedance of an electric signal transmission line 102 to be changed and hence the electric signal transmission speed to be changed, thus synchronizing data signals with the clock light.例文帳に追加

クロック光を光吸収層２０５に照射したとき電子・正孔対が発生し、この層でのキャリア密度の変化により電気信号伝送路１０２の特性インピーダンスが変化し電気信号伝送速度が変化して、データ信号がクロック光に同期する。 - 特許庁

Specifically, the method includes depositing the anchor metal 7 on the surface of a master mold made from a Si monocrystal so as to have a Cr density of 6,000 to 15,000(×10^10 (atoms/cm^2)), and forming a Pt electroconductive layer thereon with an electron beam vacuum deposition technique.例文帳に追加

具体的には、Ｓｉ単結晶からなるマスター型表面にＣｒ密度（×10^10(atoms/cm^2)）が６０００〜１５０００となるように付着させ、その上からＰｔ導電層を電子ビーム蒸着法で形成する。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

The electron-emitting element comprises a layer 2 electrically connected to a cathode electrode 5, and a plurality of particles 3 mainly made of a material having a resistivity lower than that of a material constituting the layer 2, wherein the density of the particles 3 in the layer 2 is not less than 1×10^14/cm^3 and not more than 5×10^18/cm^3.例文帳に追加

カソード電極５に電気的に接続された層２と、該層２を構成する材料の抵抗率よりも抵抗率の低い材料を主体とする複数の粒子３とを有し、層２内の粒子３の密度が、１×１０^１４個／ｃｍ^３以上５×１０^１８個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a fuel cell with high output density and good properties having a current collector layer efficiently collecting electron generated at a reaction layer, and the reaction layer with excellent reaction efficiency, and to provide an electronic device and an automobile equipped with the fuel cell.例文帳に追加

反応層で生じた電子を効率よく集める集電層及び反応効率のよい反応層を有し、出力密度が高く、特性のよい燃料電池を効率よく製造する燃料電池の製造方法、並びにこの燃料電池を電力供給源として備える電子機器及び自動車を提供する。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

Higher density in the next-generation optical disk which uses a blue-violet semiconductor laser is made possible by using an electron donating chromogenic compound showing absorption in the wavelength region of the blue-violet semiconductor laser for a mask layer 4.例文帳に追加

マスク層４に青紫色半導体レーザの波長領域に吸収を持つ電子供与性呈色化合物を用いたことで、青紫色半導体レーザを用いた次世代光ディスクの更なる高密度化を可能にする。 - 特許庁

To provide an oxide cathode and a cathode ray tube allowing high current density operation and providing long service by increasing the concentration of barium contributing to electron emission of the oxide cathode and inhibiting the product of an intermediate layer material.例文帳に追加

酸化物陰極の電子放出に寄与するバリウム濃度を高めると共に中間層物質の生成を抑制して、高電流密度動作が可能で、かつ長寿命で有る酸化物陰極及び陰極線管を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has an organic layer including a luminescent layer sandwiched between a pair of electrodes, and is characterized by that the luminescent layer contains at least one kind of hole transporting material and at least one kind of electron transporting host material, the total density of the hole transporting material in the luminescent layer decreasing from an anode side to a cathode side.例文帳に追加

一対の電極間に発光層を含む有機層を挟持した有機電界発光素子であって、前記発光層が少なくとも１種のホール輸送性発光材料と少なくとも１種の電子輸送性ホスト材料を含有し、前記ホール輸送性発光材料の前記発光層における濃度が陽極側から陰極側に向かって減少していることを特徴とする。 - 特許庁

Concentrations of P and N injected into the channel layer are controlled to optimize a band structure so that a two-dimensional electron gas improved in its mobility and concentrated in its carrier density is generated and ionization due to a ionization collision is suppressed when it is driven.例文帳に追加

チャネル層に導入するＰとＮの濃度を調節してバンド構造を最適化することにより、駆動時には従来よりも高い移動度が高く、キャリア濃度が高い二次元電子ガスを生じるとともに、電離衝突によるイオン化が抑制される。 - 特許庁

This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, stabilizing an oxide of a semiconductor, and remarkably improving the reliability and performance of the device by obtaining a dielectric layer low in defect density and high in electron mobility.例文帳に追加

半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the heat sensitive recording body having a heat sensitive recording layer including colorless or light-colored electron donative dye and electron acceptive developer on a support, the support includes a thermally expandable material having the shell made of thermoplastic resin and interiorly including a low-boiling solvent, and the density is ≥0.7 g/cm^3.例文帳に追加

支持体上に無色ないし淡色の電子供与性染料及び電子受容性顕色剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、該支持体が熱可塑性樹脂を殻とし、内部に低沸点溶媒を含有する熱膨張性材料を含有し、且つ密度が０．７ｇ／ｃｍ^３よりも大きいことを特徴とする感熱記録体。 - 特許庁

For the organic transistor, highly dense plasma having electron density of 10^11 cm^-3 and an electron temperature of 0.2 eV-2.0 eV is used to activate oxygen (or gas containing oxygen) or nitrogen (or gas containing nitrogen) by plasma excitation, and is caused to directly react with one part of a conductive layer used as a gate electrode, thereby forming the gate insulation film.例文帳に追加

電子密度が１０^１１ｃｍ^−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマを用いて酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a protection film for a plasma display panel for protecting a dielectric layer on a front substrate forming the plasma display panel, a secondary electron discharge coefficient to the xenon gas is 0.05 or more, and xenon density in the discharge gas is set up to be 15% or more.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板上の誘電体層を保護するためのＰＤＰ用の保護膜であって、キセノンガスに対する二次電子放出係数が０．０５以上で、かつ、放電ガス中のキセノン濃度を１５％以上としたものである。 - 特許庁

A molten part 14A for forming a high hardness chill layer is formed on the surface 14 to be turned of a workpiece by locally radiating a high density energy beam such as an electron beam or a laser beam, and the turning is performed on the surface 14 to be turned forming the molten part 14.例文帳に追加

ワークの被旋削面１４に局所的に電子ビームやレーザービームなどの高密度エネルギビームを照射することにより、硬度の高いチル層を形成する溶融部１４Ａを形成し、この溶融部１４Ａを形成した被旋削面１４に対して工具を用いて旋削加工を行なう。 - 特許庁

To provide an image receiving sheet for the thermal transfer recording of strong glossiness containing an active energy ray curing resin cured by the image of active energy rays such as electron rays or ultraviolet rays, to be easily dye up-taken in low energy, forming an image of high density and having an image receiving layer of superior fusion resistance.例文帳に追加

電子線もしくは紫外線等の活性エネルギー線照射により硬化された活性エネルギー線硬化樹脂を含む、低エネルギーにおいても染着が容易であり、高濃度の画像も得られ、しかも耐融着性に優れた受像層を有する強光沢性の熱転写記録用受像シートの提供。 - 特許庁

Further, even when the toner becomes high in density, a developer does not cause remarkable variation of an electric capacity component in an electric circuit wherein the electric double-layer capacity of the liquid developer between parallel electrode and electric resistance corresponding to the speed of electron transfer are connected in parallel and resistance corresponding to electric conduction in insulating liquid is connected in series.例文帳に追加

また、トナーが高濃度化しても、液体現像剤の平行電極間における電気２重層容量と電極反応における電子授受の速度に対応する電気抵抗が平行に接続され、かつ、絶縁性液体中の電気伝導に対応する抵抗が直列に接続された電気回路で、電気容量成分に著しい変化がない現像剤とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a radiation image conversion panel that includes a process where a stimulable phosphor layer is formed by evaporating onto a support a substance produced through the irradiation of an evaporation source containing stimulable phosphors (or a material for them) with an electron beam is characterized by the use of the stimulable phosphors or the material of them whose relative density is 80% to 98% as the material for the evaporation source.例文帳に追加

輝尽性蛍光体（またはその原料）を含む蒸発源に電子線を照射することによって発生する物質を支持体上に蒸着させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸発源として、輝尽性蛍光体もしくはその原料の相対密度が８０％〜９８％の蒸発源を用いることを特徴とすること。 - 特許庁