low-energy ionsとは 意味・読み方・使い方

Since the plasma and ions in the reaction gas enables having low kinetic energy, surface damage hardly occurs.例文帳に追加

反応ガスにおけるプラズマおよびイオンは、低運動エネルギーを有することが可能であるため、表面損傷がほとんどまたはまったく起こりえない。 - 特許庁

A preferred embodiment includes within an ion beam column a filter that removes the low energy ions from the beam.例文帳に追加

一実施形態は、イオン・ビーム・カラム内に、低エネルギー・イオンをビームから除去するフィルタを含む。 - 特許庁

To provide a mass analyzer that reduces noise due to plus ions, minus ions and electrons of extremely low energy drifting in an atmosphere.例文帳に追加

質量分析装置において、雰囲気中に漂っているエネルギーの極めて低い＋イオン、−イオンや電子に因るノイズを低減することを解決しようとする課題とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the silicon carbide thin film, the silicon wafer is irradiated simultaneously or alternately with ions containing carbon and ions containing silicon at low energy, and a single-crystal silicon carbide thin film is formed on the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェハ上に炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを低エネルギーで、同時または交互に照射し、シリコンウェハ上に単結晶炭化珪素薄膜を形成させる炭化珪素薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a hair dryer that increases the quantity of ions reaching hair and keeps the hair moist by forcibly lowering the temperature of ions generated by an ion generator, keeping the thermal motion energy low and suppressing the dissipation of the ions.例文帳に追加

イオン発生装置で生成したイオンを強制的に低温化して、その熱運動エネルギーを低い状態に維持でき、これによりイオンの消散を抑止して、髪に到達できるイオン量を向上し、毛髪を潤いのある状態に維持できるヘアードライヤーを提供することにある。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

To overcome the problem in a conventional ion trap that product ions of low m/z are outside a stable capture region and can not be observed when a driving condition is set so that kinetic energy sufficient for a CID is given to precursor ions while securing sufficient pseudo-potential.例文帳に追加

従来のイオントラップでは、十分な擬電位ポテンシャルを確保しつつＣＩＤに十分な運動エネルギーをプリカーサイオンに与えるような駆動条件を設定した場合、低m/zのプロダクトイオンが安定捕捉領域を外れて観測できなくなる。 - 特許庁