mask Sとは 意味・読み方・使い方

Position information of an opening portion S2 to be formed on a mask S is obtained from manufacturing data of the mask S used in printing a paste such as a cream solder on a substrate W.例文帳に追加

基板Ｗにクリームハンダ等のペーストを印刷する際に使用されるマスクＳの製造データからマスクＳに形成される開口部Ｓ２の位置情報を取得する。 - 特許庁

A screen printer is constituted of a mask sheet holding mechanism 10 holding a mask sheet S provided above a lifting and lowering printing stage 3 holding a base W and a squeegee unit 40 provided above the mask sheet holding mechanism.例文帳に追加

基板Ｗを保持する昇降可能な印刷ステージ３の上方にマスクシートＳを保持するマスクシート保持機構１０を備え、その上方にさらにスキージユニット４０を備えてスクリーン印刷装置を構成した。 - 特許庁

The exposure device EX is provided with an exposure part S for exposing a pattern of mask M to a substrate P, a library LB which can keep a mask case C for storing the mask M used by the exposure part S, and a conveyance system H1 having an arm 20 for conveying to library LB while being able to hold each of the mask M and the mask case C.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光部Ｓと、露光部Ｓで用いるマスクＭを収納するマスクケースＣを保管可能なライブラリＬＢと、マスクＭとマスクケースＣとのそれぞれを保持可能であるとともに、ライブラリＬＢに対して搬送するアーム部２０を有する搬送系Ｈ１とを備えている。 - 特許庁

The mask sheet holding mechanism 10 is provided with claming mechanisms 11a and 11b clamping both end edges of the mask sheet S in the X axial direction and clamping mechanisms 12a and 12b claming both end edges in the mask sheet S in the Y axial direction.例文帳に追加

マスクシート保持機構１０には、マスクシートＳのＸ軸方向の両端縁部をクランプするクランプ機構１１ａ，１１ｂと、マスクシートＳのＹ軸方向の両端縁部をクランプするクランプ機構１２ａ，１２ｂとを設けた。 - 特許庁

An aligner comprises a mask stage MST for moving the mask M with a deflection control unit (the space definition member) 1 for defining space S with the surface of the mask M as a boundary; a pressure sensor 11 for detecting the pressure in the space S; and a pressure controller PRC for controlling the pressure in the space S, based on the output of the pressure sensor 11.例文帳に追加

露光装置は、マスクＭの面を境界とする空間Ｓを定義する撓み制御ユニット（空間定義部材）１とともにマスクＭを移動させるマスクステージＭＳＴと、空間Ｓの圧力を検知する圧力センサ１１と、圧力センサ１１の出力に基づいて空間Ｓの圧力を制御する圧力制御器ＰＲＣとを備える。 - 特許庁

A resist film 91 as a mask layer is formed on a substrate S, thin film piezoelectric material 73, and a second electrode film 75b.例文帳に追加

基板Ｓ、薄膜圧電体７３及び第２の電極膜７５ｂの上にマスク層としてのレジスト膜９１を形成する。 - 特許庁

To individually and arbitrarily set the depth (d) of etching for a semiconductor layer and the length (s) of the eaves of a mask.例文帳に追加

半導体層に対するエッチングの深さｄとマスクの庇の長さｓとを個別に任意に設定可能とする。 - 特許庁

To carry out in short time and efficiently replacement of the shading material M of the mask in the etching process of the sample S by ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム照射による試料Ｓのエッチング加工において、マスクとなる遮蔽材Ｍの交換を短時間で効率良く行う。 - 特許庁