mask Sとは 意味・読み方・使い方

The position of an opening S2 of mask S is measured by photoing a mask used when printing paste of cream solder and the like to a substrate W.例文帳に追加

基板Ｗにクリームハンダ等のペーストを印刷する際に使用されるマスクＳを撮影して、その開口部Ｓ２の位置を測定する。 - 特許庁

The mask sheet holding mechanism 10 is provided with claming mechanisms 11a and 11b clamping both end edges of the mask sheet S in the X axial direction and clamping mechanisms 12a and 12b claming both end edges in the mask sheet S in the Y axial direction.例文帳に追加

マスクシート保持機構１０には、マスクシートＳのＸ軸方向の両端縁部をクランプするクランプ機構１１ａ，１１ｂと、マスクシートＳのＹ軸方向の両端縁部をクランプするクランプ機構１２ａ，１２ｂとを設けた。 - 特許庁

The exposure device EX is provided with an exposure part S for exposing a pattern of mask M to a substrate P, a library LB which can keep a mask case C for storing the mask M used by the exposure part S, and a conveyance system H1 having an arm 20 for conveying to library LB while being able to hold each of the mask M and the mask case C.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光部Ｓと、露光部Ｓで用いるマスクＭを収納するマスクケースＣを保管可能なライブラリＬＢと、マスクＭとマスクケースＣとのそれぞれを保持可能であるとともに、ライブラリＬＢに対して搬送するアーム部２０を有する搬送系Ｈ１とを備えている。 - 特許庁

The first spacer 24 and the hard mask 18 are removed, and the first spacer 24 and the hard mask 18 are removed so as to form an S/D contact opening 50.例文帳に追加

第一スペーサ２４及びハードマスク１８を除去し、Ｓ／Ｄ接点開口部５０を形成するように第一スペーサ２４及びハードマスク１８を除去する。 - 特許庁

Whether mask pattern data are right or not is verified by comparing the L/S obtained by measuring a dimension in each line pattern group with a L/S pattern specification table.例文帳に追加

各線パターン集合を測長して得られるＬ／Ｓと、Ｌ／Ｓパターン仕様テーブルと、を比較することによって、マスクパターンデータが正しいかどうかを検証する。 - 特許庁

Upon the second exposure, phase inversion regions (S) of the second mask is arranged to be associated with non-phase inversion region (NS) of the first mask, and non-phase inversion areas (NS) of the second mask is to correspond to with phase inversion areas (S) of the first mask.例文帳に追加

前記第２露光時、第２交番位相反転マスクの位相反転領域（Ｓ）は第１交番位相反転マスクの非位相反転領域（ＮＳ）に対応するようにし、第２交番位相反転マスクの非位相反転領域（ＮＳ）は第１交番位相反転マスクの位相反転領域（Ｓ）に対応するように構成する。 - 特許庁

To individually and arbitrarily set the depth (d) of etching for a semiconductor layer and the length (s) of the eaves of a mask.例文帳に追加

半導体層に対するエッチングの深さｄとマスクの庇の長さｓとを個別に任意に設定可能とする。 - 特許庁

A screen printer is constituted of a mask sheet holding mechanism 10 holding a mask sheet S provided above a lifting and lowering printing stage 3 holding a base W and a squeegee unit 40 provided above the mask sheet holding mechanism.例文帳に追加

基板Ｗを保持する昇降可能な印刷ステージ３の上方にマスクシートＳを保持するマスクシート保持機構１０を備え、その上方にさらにスキージユニット４０を備えてスクリーン印刷装置を構成した。 - 特許庁