maximum field widthとは 意味・読み方・使い方

An exposure amount calculation device comprises a photometry section for performing photometry on a field and a determination section for determining a photographing condition covering a width from a minimum value to a maximum value of a photometric value by the photometry section by a plurality of times of photographing.例文帳に追加

露出量算出装置は、被写界を測光する測光部と、測光部による測光値の最小値から最大値までの幅を、複数回の撮影によりカバーする撮影条件を決定する決定部とを備える。 - 特許庁

However, if the lens is staying closer to the infinite position than the reference position, the focusing peak position is found at the position where the AF valuation becomes maximum over the whole image field by moving the lens 12 within a 3rd search width.例文帳に追加

続いて、基準評価値よりも高いピーク位置の中から最も近接位置側にて検出されたピーク位置へ撮影レンズ１２が移動されることでピント調節が行われる。 - 特許庁

The cell part 63 is divided into sub-fields for the width of a value, which is an integral multiple of the pitch of this part, almost equal to the maximum allowable sub-field dimension within this dimension.例文帳に追加

セル部６３については、同部のピッチの整数倍の値であって、許容最大サブフィールド寸法内で且つほぼ等しい値の幅のサブフィールドに分割する。 - 特許庁

In the method for measuring the carrier concentration, where the carrier concentration of the silicon epitaxial layer grown on a silicon wafer is measured by means of the surface photovoltage technique, a depletion layer of maximum width is formed by applying an electric field on the surface of the silicon epitaxial wafer and the carrier concentration is obtained by measuring the maximum depletion layer width.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に成長させたシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定するキャリア濃度測定方法であって、シリコンエピタキシャルウエーハの表面に電界を印加して最大空乏層幅の空乏層を形成し、該最大空乏層幅を測定することによってキャリア濃度を求めることを特徴とするキャリア濃度測定方法。 - 特許庁

This aligning device is provided with a magnetic field generating means for forming substantially parallel lines of magnetic force and a non-magnetic vessel storing the magnetic bar-like articles supplied into the magnetic field, having storage width being larger than the maximum dimension of the magnetic bar-like article, and arranged to make the direction of storage width substantially parallel with the direction of line of magnetic force.例文帳に追加

また、本発明の整列装置は、ほぼ平行な磁力線を形成する磁界発生手段と、磁界内に供給された磁性棒状品を収容し、磁性棒状品の最大寸法よりも大きい収容幅を有し、収容幅方向が磁力線方向に対してほぼ平行となるように配置される非磁性容器とを具備する。 - 特許庁

The mirror magnetic field forming members 11 are arranged to satisfy a relationship of W_c≥W_a, where W_c is a size when the width of the electron confining region is maximum in the direction perpendicular to the magnetic field generated between the magnetic poles and W_a is a space between the adjacent mirror magnetic filed forming members 11 provided on the magnetic poles 61a, 61b.例文帳に追加

磁極間で発生される磁場と直交する方向における電子閉じ込め領域の幅が最大となった時の寸法をＷ_ｃとし、各磁極６１ａ、６１ｂに設けられた互いに隣接するミラー磁場形成部材１１の間隔をＷ_ａとした時、Ｗ_ｃ≧Ｗ_ａの関係を満たすように、ミラー磁場形成部材１１を配置する。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

The amplitude peak of set one polarity of positive and negative polarities based on a DC ingredient is searched from the electric field displacement in a frequency band not more than 20 [Hz] formed around a human body, and a maximum amplitude peak having the same polarity as that of the amplitude peak in a predetermined time width making the searched amplitude peak a center is detected as the amplitude peak generated in an idle leg period.例文帳に追加

人体周囲に形成される２０［Ｈｚ］以下の周波数帯での電界変位から、直流成分を基準とする正負の極性のうち、設定された一方の極性の振幅ピークを探索し、当該探索された振幅ピークを中心とする所定の時間幅のなかで、その振幅ピークの極性と同極性となる最大の振幅ピークを、遊脚期に生ずる振幅ピークとして検出する。 - 特許庁