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memory operating characteristicとは 意味・読み方・使い方
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「memory operating characteristic」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To detect deterioration of data holding characteristic in an operating period of a semiconductor memory.例文帳に追加
半導体メモリの動作中にデータ保持特性の劣化を検出する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory device capable of improving the operating characteristic of a semiconductor memory device by setting the best operating condition and operating the semiconductor memory device by the best operating condition, and the operation method thereof.例文帳に追加
最上の動作条件を設定し、それによって半導体メモリ装置を動作させることで半導体メモリ装置の動作特性を向上させることができる不揮発性メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic memory element having a uniform switching characteristic and capable of low-current switching, and to provide a method of operating the magnetic memory element and a method of fabricating the magnetic memory element.例文帳に追加
均一なスイッチング特性を有し、低電流スイッチングの可能な磁気メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an operating method of a semiconductor memory device, which is not influenced by characteristic variation in use, while effectively using a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの有効活用を図りつつ、特性ばらつきが使用時に影響しないようにした半導体記憶装置の動作方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the operating voltage value of a memory cell of MONOS type, etc., to a value not larger than 10 V, while keeping intact its well disturbance characteristic and its high-speed writing characteristic.例文帳に追加
MONOS型等のメモリセルにおいて、良好なディスターブ特性、書き込み時の高速性を維持したまま動作電圧を10V以下に低減する。 - 特許庁
To achieve a ferroelectric memory device where imprinting has been prevented, and a method for operating the ferroelectric memory device for preventing characteristic deterioration due to the imprinting.例文帳に追加
インプリントが防止された強誘電体メモリ装置およびインプリントによる特性劣化を防止する強誘電体メモリ装置の動作方法を提供する。 - 特許庁
DEVICE AND SYSTEM ASSOCIATED WITH METHOD FOR MODIFYING OPERATING CHARACTERISTIC OF MEMORY DEVICE USING CONTROL BIT RECEIVED THROUGH DATA PIN例文帳に追加
データピンを通じて受信された制御ビットを利用して、メモリ装置の動作特性を変更する方法と関連した装置及びシステム - 特許庁
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「memory operating characteristic」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To accurately and stably read tune information which sets an operating characteristic of an internal circuit stored in a nonvolatile memory after power is turned on, even in using a small memory cell.例文帳に追加
不揮発性メモリに格納された内部回路の動作特性を設定するチューン情報を、メモリセル微細化時においても、電源投入後、正確かつ安定に読出す。 - 特許庁
To provide an operating procedure for offering a cost effective method to maximize the number of levels with respect to a characteristic parameter of a memory cell.例文帳に追加
メモリ・セルの特性パラメータに関してレベル数を最大化する費用効率の高い方法を提供する操作手順を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device, which is constituted so as to be capable of enhancing its yield and its reliability by a method, where an irregularity in an operating characteristic caused by an STI step in an STI- structure semiconductor memory device is prevented and the operating characteristic is made uniform, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
STI構造半導体記憶装置におけるSTI段差に起因する動作特性のばらつきを防止して均一化を図り、歩留まり及び信頼性を向上させることが可能な構成の半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device capable of, for example, changing the operating characteristic of memory cells after shipping in one embodiment.例文帳に追加
1つの実施形態は、例えば、出荷後においてメモリセルの動作特性を変更できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a device and a system associated with a method for modifying operating characteristic of a memory device, using control bits received through data pins.例文帳に追加
データピンを通じて受信された制御ビットを利用して、メモリ装置の動作特性を変更する方法と関連した装置及びシステムを提供する。 - 特許庁
The deterioration of data holding characteristic is detectable in the operating period of the semiconductor memory by means of detecting decrease of the number of erasing pulses required for the erasing operation.例文帳に追加
消去動作に必要な消去パルス数が少なくなったことを検出することで、半導体メモリの動作中にデータ保持特性の劣化を検出できる。 - 特許庁
To inexpensively provide a memory element, a memory device and a semiconductor device which are nonvolatile, can rewrite information, can be easily manufactured, is excellent in switching characteristic, and has low operating voltage.例文帳に追加
不揮発性であって、かつ情報の書き換えが可能であり、また、作製が簡単であり、スイッチング特性に優れ、動作電圧の低い記憶素子、記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。 - 特許庁
To obtain a delayed synchronization loop circuit for a semiconductor memory device in which an operating frequency region is largely extended and a difference of a jitter characteristic attended with an operating frequency is avoided, and to obtain the control method for the circuit.例文帳に追加
動作周波数領域を大きく広げることができるとともに、動作周波数に伴うジッタ特性の差をなくすことができる半導体メモリ装置の遅延同期ループ回路及びそれに対する制御方法を提供すること。 - 特許庁
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