「memory operating characteristic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To achieve a ferroelectric memory device where imprinting has been prevented, and a method for operating the ferroelectric memory device for preventing characteristic deterioration due to the imprinting.例文帳に追加

インプリントが防止された強誘電体メモリ装置およびインプリントによる特性劣化を防止する強誘電体メモリ装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND SYSTEM ASSOCIATED WITH METHOD FOR MODIFYING OPERATING CHARACTERISTIC OF MEMORY DEVICE USING CONTROL BIT RECEIVED THROUGH DATA PIN例文帳に追加

データピンを通じて受信された制御ビットを利用して、メモリ装置の動作特性を変更する方法と関連した装置及びシステム - 特許庁

To accurately and stably read tune information which sets an operating characteristic of an internal circuit stored in a nonvolatile memory after power is turned on, even in using a small memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリに格納された内部回路の動作特性を設定するチューン情報を、メモリセル微細化時においても、電源投入後、正確かつ安定に読出す。 - 特許庁

To provide an operating procedure for offering a cost effective method to maximize the number of levels with respect to a characteristic parameter of a memory cell.例文帳に追加

メモリ・セルの特性パラメータに関してレベル数を最大化する費用効率の高い方法を提供する操作手順を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, which is constituted so as to be capable of enhancing its yield and its reliability by a method, where an irregularity in an operating characteristic caused by an STI step in an STI- structure semiconductor memory device is prevented and the operating characteristic is made uniform, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩ構造半導体記憶装置におけるＳＴＩ段差に起因する動作特性のばらつきを防止して均一化を図り、歩留まり及び信頼性を向上させることが可能な構成の半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of, for example, changing the operating characteristic of memory cells after shipping in one embodiment.例文帳に追加

１つの実施形態は、例えば、出荷後においてメモリセルの動作特性を変更できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a device and a system associated with a method for modifying operating characteristic of a memory device, using control bits received through data pins.例文帳に追加

データピンを通じて受信された制御ビットを利用して、メモリ装置の動作特性を変更する方法と関連した装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

The deterioration of data holding characteristic is detectable in the operating period of the semiconductor memory by means of detecting decrease of the number of erasing pulses required for the erasing operation.例文帳に追加

消去動作に必要な消去パルス数が少なくなったことを検出することで、半導体メモリの動作中にデータ保持特性の劣化を検出できる。 - 特許庁

To inexpensively provide a memory element, a memory device and a semiconductor device which are nonvolatile, can rewrite information, can be easily manufactured, is excellent in switching characteristic, and has low operating voltage.例文帳に追加

不揮発性であって、かつ情報の書き換えが可能であり、また、作製が簡単であり、スイッチング特性に優れ、動作電圧の低い記憶素子、記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a delayed synchronization loop circuit for a semiconductor memory device in which an operating frequency region is largely extended and a difference of a jitter characteristic attended with an operating frequency is avoided, and to obtain the control method for the circuit.例文帳に追加

動作周波数領域を大きく広げることができるとともに、動作周波数に伴うジッタ特性の差をなくすことができる半導体メモリ装置の遅延同期ループ回路及びそれに対する制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the nonvolatile semiconductor memory element of a new structure which comprises one resistor (R) and one diode (D), wherein a production is simple, a low power drive is possible, and a fast operating characteristic can be provided.例文帳に追加

製造が簡単であり、低電力駆動が可能であり、高速の動作特性を有する一つの抵抗体（Ｒ）及び一つのダイオード（Ｄ）を備えた新たな構造の不揮発性半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The operating speed of the nonvolatile ferroelectric substance memory is improved by reading/writing a plurality of bits in accordance with a stable electric charge value obtained by the average characteristic of the plurality of cells.例文帳に追加

従って、複数のセルの平均特性により得られた安定化した電荷値に従い複数のビットをリード／ライトすることにより、不揮発性強誘電体メモリの動作速度を向上させることができるようする。 - 特許庁

To increase an operating efficiency by solving the problem of improving an interface characteristic and a hole-filling material characteristic in a manufacturing process based on an existing phase change memory technique, making small a contact surface area of layer materials different in simple manufacturing processes, stabilizing a component characteristic, simplifying the manufacturing process, and decreasing an operational current.例文帳に追加

既存の位相変化メモリ技術が持つ製造プロセスでインターフェイスの特性と穴込め材料の特性を改良する問題を解決し、簡単な製造プロセス条件で異なる層材料における接触面積を小さくし、部品特性の安定化を図り、製造プロセスを簡略化し、使用電流を少なくし操作効率を高めることを目的とする。 - 特許庁

A power source microcomputer 4 is able to communicate with the internal memory 2 of a battery pack 1 through an I2C communication bus, and reads rated discharging current data characteristic of the battery pack 1 out of the internal memory 2 and saves them as a 1st specific value (current value for operating a power consumption reducing function) therein.例文帳に追加

電源マイコン４は、電池パック１の内蔵メモリ２とＩ^２Ｃ通信バスにより通信が可能であり、内蔵メモリ２に保存されている電池パック１に固有の定格放電電流データをリードし、第１の所定値（消費電力低減機能を作動させる電流値）として内部に保存する。 - 特許庁

This smart card has a memory and a processor regarding an issuer, an owner and the service providers, and further has an operating system having a tree-like file structure starting from a file having a characteristic controlled only by the issuer, and a plurality of executable files forming a part of the tree-like file structure and respectively having a characteristic controlled only by the issuer.例文帳に追加

スマートカードは、発行者、保有者およびサービス提供者に関するメモリとプロセッサとを有し、さらに、発行者によってのみ制御される特性を有するファイルから始まるツリー状ファイル構造を有するオペレーティングシステムと、ツリー状ファイル構造の一部を形成しそれぞれ発行者によってのみ制御される特性を有する複数の実行可能ファイルを有する。 - 特許庁