SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMATION METHOD FOR METAL CONTACT THEREFOR例文帳に追加

半導体装置及びその金属コンタクト形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体素子および金属−半導体コンタクトを製造する方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal silicide semiconductor contact structure.例文帳に追加

半導体装置はメタルシリサイド−半導体コンタクト構造を有する。 - 特許庁

POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING METAL CONTACT LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

金属コンタクト層を有するパワー半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

The metal layer 202 is disposed in contact with the n-type semiconductor layer 201.例文帳に追加

金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 - 特許庁

To reduce contact resistance of a metal contact, in a GaN-based semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置において、金属コンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

The method for forming the metal pattern of the semiconductor element reduces the contact resistance against the interconnection contact.例文帳に追加

連結コンタクトとの接触抵抗を減らす半導体素子の金属パターン形成方法を提示する。 - 特許庁

The contact window is filled with the metal layer so that the metal layer contacts the semiconductor layer.例文帳に追加

金属層が、半導体層に接触するようにコンタクト・ウィンドウに充填される。 - 特許庁

A metal frame 25 covers a semiconductor chip 22 without being in contact with the semiconductor chip 22.例文帳に追加

金属フレーム２５が、半導体チップ２２とは接触せずに半導体チップ２２を覆っている。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of a bonding portion between metal wiring and a semiconductor layer of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の金属配線と半導体層との接合部の接触抵抗を低減させる。 - 特許庁

The metal-contained layer is patterned to form a constituent element of the semiconductor device, and a semiconductor layer is deposited in contact with the metal-contained layer.例文帳に追加

金属含有層をパターン付けして、半導体デバイスの構成要素を形成し、金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる。 - 特許庁

There is provided a photoelectric conversion element comprising at least a metal oxide semiconductor layer, a buffer layer stacked on the metal oxide semiconductor layer so as to contact the metal oxide semiconductor layer, and a light absorbing layer stacked on the buffer layer on a side opposite to the metal oxide semiconductor layer so as to contact the buffer layer.例文帳に追加

この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。 - 特許庁

A semiconductor device using a group III-V compound semiconductor has an emitter electrode and a metal electrode contact layer in contact with the emitter electrode, and the metal electrode contact layer is constructed by a quantum structure.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置において、エミッタ電極と該エミッタ電極に接触する金属電極接触層とを有し、前記金属電極接触層が量子構造で構成されている。 - 特許庁

CMP SLURRY AND METHOD OF FORMING METAL WIRING CONTACT PLUG FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT BY USING THE SAME例文帳に追加

ＣＭＰスラリー及びこれを利用する半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法 - 特許庁

POWER SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING METAL CONTACT LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

金属接触層を有するパワー半導体基板並びにそのための製造方法 - 特許庁

The metal oxide layer 102 is formed on the semiconductor substrate 101 in contact therewith.例文帳に追加

金属酸化物層１０２は、半導体基板１０１の上に接して形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT PROVIDED WITH SELF-ALIGNED METAL CONTACT PLUGS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

自己整列された金属コンタクトプラグを備える半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING METAL CONTACT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

メタルコンタクト構造を有した半導体メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with self-aligned metal contact plugs and a method for manufacturing the element.例文帳に追加

自己整列された金属コンタクトプラグを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the metal via contact of a semiconductor device and its forming method.例文帳に追加

半導体装置の金属ビアコンタクト及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the contact of adjoining thin metal wires.例文帳に追加

隣接する金属細線同士の接触を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The fin FET may include a contact 116 provided on the metal-semiconductor compounds.例文帳に追加

フィンフェットは、前記金属−半導体化合物上に設けられるコンタクト１１６を含み得る。 - 特許庁

To provide a method for preventing short-circuit between a contact hole and metal wiring in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置におけるコンタクトホールと金属配線との短絡を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a semiconductor device and a manufacturing method therefor, which avoid faulty metal contact.例文帳に追加

金属コンタクトの不良を防止することができる半導体装置及びその製造方法が開示される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device capable of stably forming a metal contact.例文帳に追加

金属コンタクトを安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。 - 特許庁

Schottky diode 35 is formed by bringing Schottky contact (metal) into contact with the Si semiconductor layer.例文帳に追加

ショットキー・ダイオード３５はＳｉ半導体層にショットキー・コンタクト（金属）を接触させて形成する。 - 特許庁

A contact metal layer is formed between the reflective layer and a p-type semiconductor layer 5 to obtain low-contact resistance.例文帳に追加

反射層とｐ型半導体層５の間にコンタクトメタル層を形成し低接触抵抗を実現する。 - 特許庁

A contact hole is formed on the inter-layer insulating film, and a metal wire on the inter-layer insulation film and a semiconductor are brought into contact through a buried plug.例文帳に追加

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、埋め込みプラグを介して層間絶縁膜上の金属配線と半導体とのコンタクトを取る。 - 特許庁

To provide a method for forming a metal pattern of a semiconductor element, which reduces a contact resistance against a interconnection contact.例文帳に追加

連結コンタクトとの接触抵抗を減少させることができる半導体素子の金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A second metal layer 36 is formed so as to come into contact with the semiconductor layer 30 between the metal layers 34.例文帳に追加

少なくとも各第１金属層34の間で半導体層30と接触するように、第２金属層36も形成されている。 - 特許庁

CMP (CHEMICAL MECHANICAL POLISHING) SLURRY FOR METAL AND METHOD FOR FORMING METAL WIRING CONTACT PLUG OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

金属用ＣＭＰスラリー及びこれを利用した半導体素子の金属配線コンタクトプラグ形成方法 - 特許庁

A metal 12 is provided in contact with the rear of the insulating substrate, and the semiconductor film 13 is electrically connected to the metal 12.例文帳に追加

この絶縁性基板の裏面に接するように金属１２を設け、半導体膜１３と金属１２とを電気的に接続させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents ingress of metal to eliminate increase in current consumption caused by the ingress of metal to the lower portion of a contact hole.例文帳に追加

メタルの侵入を防ぎ、コンタクトホール下部への侵入による消費電流の増大を無くした半導体装置を提供する - 特許庁

When a stationary plate 2 and a semiconductor substrate are bonded, in an electrostatic capacitance type sensor, a fixed electrode side metal contact part 25 formed in a fixed electrode and a semiconductor substrate side metal contact part 13 formed in the semiconductor substrate are brought into contact.例文帳に追加

静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。 - 特許庁

To prevent contact of a metal wire between element groups in a semiconductor device where semiconductor elements are arranged in multistage on a wiring board.例文帳に追加

半導体素子を配線基板上に多段に積層した半導体装置において、素子群間の金属ワイヤの接触を防止する。 - 特許庁

The electrode 51 is formed of a metal material, and is provided in contact with the front surface 12a in the opposite side of the semiconductor substrate 11 of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

電極５１は、金属からなり、半導体層１２の半導体基板１１とは反対側の表面１２ａに接触して設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has stable copper wiring because contact resistance between via-hole and metal is small, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、ビアホールとメタルとの接触抵抗が小さく安定した銅配線の半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。 - 特許庁

The translucent positive electrode comprises a contact metal layer in contact with a p-type semiconductor layer, a current diffusion layer on the contact metal layer having electric conductivity higher than that of the contact metal layer, and a bonding pad layer on the current diffusion layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする透光性正極。 - 特許庁

Then, at least mutually contacted portions of the fixed electrode side metal contact part 25 and the semiconductor substrate side metal contact part 13 are covered with a barrier metal 14.例文帳に追加

そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor device in which the ohmic characteristics can be improved at the contact part of the compound semiconductor and a metal electrode, by reducing the contact resistance of the compound semiconductor and the metal electrode, without damaging the surface of the compound semiconductor due to the process.例文帳に追加

化合物半導体表面にプラズマプロセスによるダメージを与えることなく、化合物半導体と金属電極との接触抵抗を低減し、両者の接触部におけるオーミック特性を改善することができる化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A Shottky diode comprises: a semiconductor substrate 10; a Shottky metal layer 15 coming into Shottky contact with the semiconductor substrate 10; and a bonding metal layer 16 formed on the Shottky metal layer 15.例文帳に追加

ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。 - 特許庁

A Schottky diode includes a semiconductor substrate 10, a Schottky metal layer 15 in Schottky-contact with the semiconductor substrate 10, and a bonding metal layer 16 formed on the Schottky metal layer 15.例文帳に追加

ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。 - 特許庁