molecular beam depositionとは 意味・読み方・使い方

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a molecular beam source cell for thin film deposition which forms a thin film with a uniform thickness even when its molecule ejection ports are arranged near to a solid film-formation surface, thus enhancing film formation efficiency and film thickness uniformity.例文帳に追加

分子放出口を固体の成膜面に近づけても、成膜される薄膜の膜厚を均一にすることが出来、これにより成膜効率と膜厚の均一性との双方を向上させる。 - 特許庁

The processing unit 39 controls the molecular beam sources 31a, 31b based on the measured result from the atomic absorption type film deposition monitor 24 and the inspected result and the measured result from the first to third inspection apparatuses 43a, 43b, 43c.例文帳に追加

演算処理装置３９は、原子吸光式成膜モニタ２４の測定結果と、第１〜第３検査装置４３ａ・４３ｂ・４３ｃの検査結果および計測結果とに基づいて分子線源３１ａ・３１ｂを制御する。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

The process unit 1 is a vacuum device such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device, or an ion beam spatter device, or a film growing device, a surface treatment device or the like such as an organic metal vapor phase growing device, a liquid phase epitaxial device or the like.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained.例文帳に追加

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。 - 特許庁

A molecular beam source for depositing a thin film includes heaters 32, 42 for heating the material a, b for the thin film element in crucibles 31, 41, and valves 33, 43 for each regulating the quantity of molecules, emitted toward the film deposition surface of a substrate 51, of the material a, b for the thin film element generated from the crucible 31, 41.例文帳に追加

薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。 - 特許庁

The molecular beam source cell for thin film deposition comprises the crucible 1 which houses a film forming material, the heater 3 which heats the film forming material housed in the crucible 1 to sublimate or evaporate the material and to generate the molecules, and the ejection port 7 which is disposed on the aperture side of the crucible 1 and emits the molecules toward the deposition surface.例文帳に追加

薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料を収納する坩堝１と、この坩堝１に収納した成膜材料を加熱して昇華または蒸発させて、分子を発生させるためのヒータ３と、坩堝１の開口部側に設けられ、成膜面に向けて分子を放出する出射口７とを有する。 - 特許庁