no siとは 意味・読み方・使い方

The first coating portion 5 is positioned on the first area 2a1 and is composed of a material containing no Si.例文帳に追加

第１のコーティング部５は、第１の領域２ａ１上に位置し、Ｓｉを含まない材料よりなる。 - 特許庁

To achieve the epitaxial growth of a low defect compound semiconductor crystal on an Si substrate with no dislocation.例文帳に追加

Ｓｉ基板上への無転位で低欠陥な化合物半導体結晶のエピタキシャル成長を実現する。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

An Si nitride film 3b is an etching stopper film in forming on a TEOS film 6a a trench pattern 7 into which a second layer wiring M2 is buried, but the trench pattern 7 is not formed on the Si nitride film 3b, hence there is no need of applying an excessive over-etching to the Si nitride film 3b and no undercut appears at the Si nitride film 3b.例文帳に追加

窒化シリコン膜３ｂは、第２層目の配線Ｍ_2 が埋め込まれる溝パターン７をＴＥＯＳ膜６ａに形成する際のエッチングのストッパ膜であるが、この窒化シリコン膜３ｂには溝パターン７は形成されないので、窒化シリコン膜３ｂに過剰なオーバーエッチングを施す必要がなく、窒化シリコン膜３ｂにはアンダーカットが生じない。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device of which no voltage drop equivalent to the amount of band offset between an Si substrate and SiC is caused even if the Si substrate is not removed, using a semiconductor substrate in which SiC is formed on the surface of Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板表面にＳｉＣが形成された半導体基板を用い、Ｓｉ基板を除去しなくても、Ｓｉ基板とＳｉＣとのバンドオフセット分の電圧降下が生じないＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The inorganic ammonium salt includes no OH^-, so Si on a wafer surface is not directly etched.例文帳に追加

無機アンモニウム塩にはＯＨ^-が含まれていないので、ウェーハ表面のＳｉが直接エッチング作用を受けることがない。 - 特許庁

The under part of the light receiving part 150 has no cavity, and is connected to an Si substrate 110 through a polysilicon layer into which boron is injected.例文帳に追加

受光部１５０の下部には空隙はなく、ボロンを注入したポリシリコン層を介してＳｉ基板１１０と接続している。 - 特許庁

This extruded Al-Mg-Si aluminum alloy is composed of an Al-Mg-Si alloy containing, by mass, 0.3 to 0.8% Mg and 0.5 to 1.1% Si, and in which the reduction rate of thickness in the broken face in the case of being subjected to a tensile test by a JIS No.05 test piece is ≥25%.例文帳に追加

Ｍｇ：０．３〜０．８％（質量％、以下同じ）、Ｓｉ：０．５〜１．１％を含有するＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金からなり、ＪＩＳ５号引張試験片にて引張試験を実施したときの破断面の肉厚減少率が２５％以上であるＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金押出材。 - 特許庁