pattern dependenceとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, a photo mask, and an alignment inspection mark which matches an alignment inspection pattern with the design of a semiconductor integrated circuit to eliminate the pattern dependence of the superposition of aberration, the pattern size dependence, etc.例文帳に追加

合わせ検査のパターンを半導体集積回路の設計に合わせることで、収差の乗りのパターン依存性、パターン寸法依存性等を除去する半導体装置の製造方法、フォトマスク、合わせ検査マークを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition causing little pattern collapse for the formation of a fine pattern and having low dependence on the mask covering rate.例文帳に追加

微細パターンの形成においても、パターン倒れの発生が少ない、マスク被覆率依存性が小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having preferable resolution even for a contact hole pattern and a trench pattern and low dependence on the pattern density in the manufacture of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有し、疎密依存性も小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having good pitch dependence and coverage dependence of CD and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＣＤのピッチ依存性、被覆率依存性が良好な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide, for example, an exposure apparatus in which the image height dependence of variations in imaging characteristics attributed to the positional dependence of the transmittance of a pattern formed on a mask is reduced.例文帳に追加

例えば、マスクに形成されたパターンの透過率の位置依存性に起因する結像特性の変動の像高依存性を低減した露光装置を提供する。 - 特許庁

To improve accuracy in controlling amount of shrink by preventing dependence on pattern density in shrinking a photoresist pattern with shrinking technology utilizing thermal flow.例文帳に追加

サーマルフローを利用したシュリンク技術によって、フォトレジストパターンをシュリンクする際のパターン密度依存性を防止し、シュリンク量の制御精度を向上する。 - 特許庁

To provide a design method for mask pattern in which an auxiliary pattern for improving a focal depth of an isolated pattern is arranged, with respect to a mask of performing exposure by using a light source having a direction dependence for resolution.例文帳に追加

解像特性に方向依存性を有する光源を用いて露光を行うマスクについて、孤立パターンの焦点深度を向上させる補助パターンを配置するマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate the pattern dependence where a gain of a light source unit utilizing an optical amplifier changes depending on a light emission pattern of a signal line resulting in distorting the waveform.例文帳に追加

光増幅器を利用した光源装置において、信号光の発光パターンに依存してゲインが変わり波形が歪むというパターン依存性を除去することにある。 - 特許庁