「pattern dependence」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a positive resist composition which reduces falling of a pattern and surface roughness and dependence on the pattern density during etching.例文帳に追加

パターン倒れ、エッチング時の表面荒れ及び疎密依存性が軽減されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

This eliminates pattern dependence within the wafer surface, even if the emitter 9 is formed after heat treatment.例文帳に追加

これにより、その後にエミッタ部９を形成しても、ウエーハ面内におけるパターン依存性が無くなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, a photo mask, and an alignment inspection mark which matches an alignment inspection pattern with the design of a semiconductor integrated circuit to eliminate the pattern dependence of the superposition of aberration, the pattern size dependence, etc.例文帳に追加

合わせ検査のパターンを半導体集積回路の設計に合わせることで、収差の乗りのパターン依存性、パターン寸法依存性等を除去する半導体装置の製造方法、フォトマスク、合わせ検査マークを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition causing little pattern collapse for the formation of a fine pattern and having low dependence on the mask covering rate.例文帳に追加

微細パターンの形成においても、パターン倒れの発生が少ない、マスク被覆率依存性が小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having preferable resolution even for a contact hole pattern and a trench pattern and low dependence on the pattern density in the manufacture of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有し、疎密依存性も小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having good pitch dependence and coverage dependence of CD and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＣＤのピッチ依存性、被覆率依存性が良好な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide, for example, an exposure apparatus in which the image height dependence of variations in imaging characteristics attributed to the positional dependence of the transmittance of a pattern formed on a mask is reduced.例文帳に追加

例えば、マスクに形成されたパターンの透過率の位置依存性に起因する結像特性の変動の像高依存性を低減した露光装置を提供する。 - 特許庁

To improve accuracy in controlling amount of shrink by preventing dependence on pattern density in shrinking a photoresist pattern with shrinking technology utilizing thermal flow.例文帳に追加

サーマルフローを利用したシュリンク技術によって、フォトレジストパターンをシュリンクする際のパターン密度依存性を防止し、シュリンク量の制御精度を向上する。 - 特許庁

To provide a design method for mask pattern in which an auxiliary pattern for improving a focal depth of an isolated pattern is arranged, with respect to a mask of performing exposure by using a light source having a direction dependence for resolution.例文帳に追加

解像特性に方向依存性を有する光源を用いて露光を行うマスクについて、孤立パターンの焦点深度を向上させる補助パターンを配置するマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate the pattern dependence where a gain of a light source unit utilizing an optical amplifier changes depending on a light emission pattern of a signal line resulting in distorting the waveform.例文帳に追加

光増幅器を利用した光源装置において、信号光の発光パターンに依存してゲインが変わり波形が歪むというパターン依存性を除去することにある。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in PEB temperature dependence, line edge roughness, exposure latitude and pattern profile, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢ温度依存性、ラインエッジラフネス、露光ラチチュード、及びパターンプロファイルに優れたポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To reduce influences on pattern dependence so that a polishing rate is substantially independent of a characteristic size and density.例文帳に追加

研磨レートが実質的に特徴サイズおよび密度と独立するようにパターン依存性の影響を減少させることである。 - 特許庁

To provide a polishing method and a polishing machine which have low running cost, have small pattern width dependence and generate no working damages.例文帳に追加

ランニングコストが低く、且つ、パターン幅依存性が少なくて加工ダメージが発生しない研磨方法，研摩装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which prevents falling of a pattern and ensures improved edge roughness, density dependence and surface roughness in etching.例文帳に追加

パターン倒れが防止され、エッジラフネス、疎密依存性、及びエッチング時の表面荒れが改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which is superior in planarity by eliminating the influence of the polishing pattern dependence on abrasives in CMP.例文帳に追加

ＣＭＰにおける研磨剤による研磨パターン依存性の影響を排し、平坦性の優れた表面を備えた半導体装置を得る。 - 特許庁

To manufacture an high-efficient semiconductor device that can effectively avoid pattern density dependence properties generated in a semiconductor- manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程で生じるパターン疎密依存性を有効に回避することができ、効率のよい半導体装置の製造を行なう。 - 特許庁

As a result, pattern dependence of the O3-TEOS-NSG film 33 can be improved, while resist residue and reaction product are removed.例文帳に追加

これにより、レジスト残渣や反応生成物を除去しながら、Ｏ_3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜３３のパターン依存性を改善することができる。 - 特許庁

To provide the duobinary optical transmission device using the semiconductor optical amplifier that improves a nonlinearity and a dispersion characteristic of a NRZ transmission by overcoming the dependence on a transmission quality and dependence on a bit pattern due to a transmission characteristics of the filter.例文帳に追加

フィルター透過特性による伝送品質の依存性とビットパターンの依存性を克服し、ＮＲＺ伝送の非線形及び分散特性を向上させる半導体光増幅器を用いたデュオバイナリー光伝送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a game machine capable of reducing the degree of dependence on the technical intervention of a player relative to the probability of pattern combination display in giving privilege depending on a displayed pattern combination.例文帳に追加

表示された図柄組合せに応じて特典を付与する場合に、図柄組合せの表示確率に関する遊技者の技術介入の依存度を軽減することができる遊技機を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming, without dependence on a pattern, a channel embedded-type element isolation region, having a high planarity without using a dummy diffused layer.例文帳に追加

ダミー拡散層を使用せずに、高い平坦性を有する溝埋め込み型素子分離領域を、パターン依存性なく形成する手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition excellent in various characteristics such as resolving power, margin for exposure, edge roughness of a pattern and density dependence.例文帳に追加

解像力、露光マージン、パターンのエッジラフネス、疎密依存性の諸特性に優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method and a device for promptly measuring pattern dependence in film thickness, etc., by using nondestructive test of surface shape for an optional chip section on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ上の任意のチップ領域の表面形状を非破壊で検査することによって膜厚のパターン依存性等を迅速に計測すること。 - 特許庁

To provide a colored curable composition capable of forming a colored cured film with less dependence on developing time in pattern formation and with high light resistance.例文帳に追加

パターン形成における現像時間の依存性が小さく、耐光性の高い着色硬化膜を形成しうる着色硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

Thus, adjusting properties of the sound absorption materials 72, 74, and 76 allows frequency dependence of sound pressure of the oscillation device to be adapted to a preferable pattern.例文帳に追加

このため、吸音材７２，７４，７６の特性を調節することにより、発振装置の音圧の周波数依存性を望ましいパターンに合わせることができる。 - 特許庁

To provide a photomask blank and a method for manufacturing a photomask in which sufficient process accuracy with low dependence of pattern density is obtained in an etching process.例文帳に追加

エッチング加工時にパターンの粗密依存性が低い十分な加工精度を得ることのできるフォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which decreases dependence of temperature of a semiconductor substrate on a pattern density, in heat-processing the semiconductor substrate where multiple patterns with different pattern densities exist.例文帳に追加

パターン密度が異なる複数の種類のパターンが存在する半導体基板の熱処理において、半導体基板温度のパターン密度依存性を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The controller controls driving of at least one of an optical element constituting the projection optical system, the first stage, and the second stage so as to reduce the image height dependence of variations in imaging characteristics of the projection optical system on the basis of the positional dependence of the transmittance of the pattern.例文帳に追加

制御部は、パターンの透過率の位置依存性に基づき、投影光学系の結像特性の変動の像高依存性を低減するように、投影光学系を構成する光学素子、第１ステージ及び第２ステージの少なくとも一つの駆動を制御する。 - 特許庁

Alternatively, the traverser includes a search algorithm shell and a plurality of search algorithm fragments that are selected by the selector from a search algorithm library based on a strategy design pattern so that the traverser is abstracted from dependence on any particular search algorithm shell and from dependence on any particular search algorithm fragment.例文帳に追加

或いは、トラバーサが特定のサーチアルゴリズムシェル及び特定のサーチアルゴリズムフラグメントに依存しないように、トラバーサは、セレクタによって戦略設計パターンに基いてサーチアルゴリズムライブラリから選択されるサーチアルゴリズムシェル及び複数のサーチアルゴリズムフラグメントを含む。 - 特許庁

To provide a colored photosensitive composition having small dependence of pattern size on light exposure, a color filter using the colored photosensitive composition and a liquid crystal display.例文帳に追加

パターン寸法の露光量依存性が小さい着色感光性組成物、該着色感光性組成物を用いたカラーフィルターおよび液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution and little dependence on pattern density (iso-dense bias) and capable of stably forming various fine patterns with high accuracy.例文帳に追加

感度および解像度に優れ、粗密依存性が小さく、多様な微細パターンを高精度にかつ安定して形成できる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a sensor circuit capable of improving the temperature dependence characteristics of sensor output, without having to provide a resistor aimed at generation of heat, particularly, a circuit pattern or the like.例文帳に追加

発熱を目的とした抵抗体や回路パターン等を特に設けることなくして、センサ出力の温度依存特性を改善し得るセンサ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a colored photosensitive composition having small dependence of pattern size on light exposure and to provide a color filter and a liquid crystal display using the colored photosensitive composition.例文帳に追加

パターン寸法の露光量依存性が小さい着色感光性組成物、該着色感光性組成物を用いたカラーフィルタおよび液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which ensures small line edge roughness, high sensitivity, high throughput and small substrate dependence of a pattern, and to provide a patterning process using the negative resist composition.例文帳に追加

ラインエッジラフネスが小さく、また、高感度でスループットの高い、更に、パターンの基板依存性の小さなネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The polarization controller is desirably results from an arrangement, in which a predetermined polarization pattern is arranged on the front surface of a diffraction optical device or a hologram optical device, such that it has position dependence.例文帳に追加

前記偏光制御器は回折光学装置またはホログラム光学装置の表面に所定の偏光パターンを位置依存性を有するように配置した結果物であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a negative resist composition in which a bridge hardly occurs, substrate dependence is low and a pattern with high resolution can be formed, and a patterning process using the same.例文帳に追加

ブリッジが発生しにくく、また、基板依存性が小さく、解像性に優れたパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, having excellent sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern shape, etc., and having small temperature dependence in heating after exposure.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等に優れ、露光後の加熱時の温度依存性が小さい感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device, excellent in the change with time of preservability and excellent further in density dependence.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、経時保存性が優れ、更に疎密依存性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern formation method that can decrease the sensitivity dependence on the immersion time and acid solution discharged amount into immersion solution, and that is suitable for immersion exposure.例文帳に追加

レジスト感度の液浸時間依存性、および液浸液への酸溶出量を低減することが可能となる、液浸露光に好適なレジストパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent sensitivity, PEB (post exposure bake) temperature dependence and roughness characteristics and allowing formation of a pattern with a favorable feature, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ＰＥＢ温度依存性及びラフネス特性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can improve pattern dependence, when forming an insulation film through reaction between ozone and organic silicon compound, while removing resist residue and reaction product after wiring pattern formation.例文帳に追加

配線パターン形成後のレジスト残渣や反応生成物を除去しながら、オゾンと有機シリコン化合物との反応により絶縁膜を形成する際のパターン依存性を改善することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern thickening material etc., which have no dependence of resist patterns on materials and sizes, thickness of the resist pattern increases uniformly and stably in the state of reducing the roughness of surface, and can form a fine resist drop-out pattern exceeding the exposure threshold of a light source in an exposure device used during patterning.例文帳に追加

レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジストパターンを均一にしかも安定に、表面のラフネスを低減した状態で厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁

A mask correction unit 3 is determined in accordance with the space dependence 7 of a pattern obtained through photolithography and etching steps, design data 1 for producing a photomask are corrected using the mask correction unit 3 and the objective photomask is produced with a pattern forming device.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て得られたパターンのスペース依存性７に基いてマスク補正単位３を決定し、このマスク補正単位３を用いてフォトマスク作成用の設計データ１に対する補正を行い、描画装置を用いてフォトマスクを作成する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a pattern of ≤0.8 μm width with good perpendicularity and having no dependence on baking when a resist film of ≥3.0 μm is patterned on a stepped board and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

３．０μｍ以上のレジスト被膜を段差基板上に、幅０．８μｍ以下のパターンを形成する際、垂直性のよく形成でき、ベーク処理に依存性がないポジ型ホトレジスト組成物と感光性膜付基板とレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has high sensitivity and no substrate dependence and which provides excelling profile shape, even when a basic substrate is used, and to provide a pattern forming method that uses the positive resist composition.例文帳に追加

高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する - 特許庁