「pattern dependence」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a polymerizable composition for a color filter which can suppress illuminance dependence upon forming a colored pattern even when exposure apparatus having different levels of illuminance are used, which exhibits superior curing property of a formed colored pattern, and which can give a rectangular pattern with superior resolution, and to provide a color filter showing good color separation and a solid-state image sensor having high resolution.例文帳に追加

着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、及び高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type radiation sensitive resist composition having improved dependence on a thin-dense pattern and usable in an ultramicrolithographic process and another photofabrication process for producing VLIS and high capacity microchips.例文帳に追加

疎密パターン依存性が改善され、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使用することができる化学増幅型の感放射線性レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing technique in which, when a polishing face of a silicon dioxide based material layer is polished in manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the pattern dependence of a polishing rate is very small, thereby realizing high planarization.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造において二酸化ケイ素系材料層の被研磨面を研磨する際に研磨速度のパターン依存性が極めて小さく、高平坦化を実現することのできる研磨技術を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell separator that can increase design flexibility of a gas passage pattern by having no mutual dependence of projections and recesses between the front side and back side of the separator, and that can also ensure a uniform surface pressure when stacked.例文帳に追加

セパレータの表側と裏側とで凹凸関係の相互依存がなくガス流路パターンの設計自由度を高めることができると共に、積層時に面圧の均一化を確保することのできる燃料電池セパレータを提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics and stability with time, and can form a pattern in a favorable shape, and suppresses PEB (post exposure bake) temperature dependence, and to provide a resist film formed by using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性及び経時安定性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成することができ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain techniques to improve the performance in microprocessing of a semiconductor element using high energy rays, in particular, KrF excimer laser light, X-rays, electron beams or EUV (extreme UV) rays, and to provide a negative resist composition satisfying the requirements for high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and preferable dependence on the pattern density.例文帳に追加

高エネルギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好な疎密依存性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

An interlinear AND comparing part MR computes AND between the interlinear components stored in the dependence storage part M and sets the input-output group comprising an output pattern including one ore more output addresses and output values, and an input pattern including one or more input addresses and input values.例文帳に追加

行間論理積比較部ＭＲは、依存関係格納部Ｍに格納されている各行成分間の論理積演算を行い、１以上の出力アドレスおよび出力値を含む出力パターンと、１以上の入力アドレスおよび入力値を含む入力パターンとからなる入出力グループを設定する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide the coating liquid for the positive resist good in sensitivity, resolution, heat resistance, focal depth characteristic, the sectional form of a resist pattern, stability during time left unused, and dependence on a substrate, especially restrained from occurrence of defects after development.例文帳に追加

感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状、引置経時安定性及び基板依存性などのレジスト特性が良好である上、特に現像後のディフェクトの発生を抑制するポジ型レジスト塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in resolution such as a minimum dimension that does not allow a bridge defect to generate, roughness performance such as line edge roughness and dependence on developing time, to provide an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition used for the method, and to provide a resist film.例文帳に追加

ブリッジ前寸法等の解像力、ラインエッジラフネス等のラフネス性能、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a sulfonium salt in which when used for a resist material, there are little elution and pattern dependence (dark bright difference) to a soaking water, and which is useful as a photoacid generator of a chemistry amplification resist material, and has a fluoro alkoxy chain into a cation part.例文帳に追加

レジスト材料に用いた場合に液浸水への溶出およびパターン依存性（ダーク・ブライト差）が少なく、化学増幅レジスト材料の光酸発生剤として有用である、カチオン部分にフルオロアルコキシ鎖を有するスルホニウム塩の提供。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist applicable to both a process using an antireflection film and a process not using the film, excellent in resist pattern shape, sensitivity, focal depth-width quality and post-exposure temporal stability and having no substrate dependence.例文帳に追加

反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of accurately forming a fine pattern in a semiconductor chip or the like by suppressing unevenness of line width due to dependence on the denseness of a line width in chip or the like, and to provide a system for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

１チップ内での線幅の疎密依存性に起因した線幅のばらつきを抑制して、半導体チップなどにおける微細なパターンを高精度に形成することを可能とする半導体装置の製造方法および製造システムを提供する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when the resolution of a scanning electron microscope is monitored, preparation of a sample and employment of measurement algorithm capable of reducing the pattern dependence of resolution index value to be measured is required for accurately measuring the change in the size of electron beam.例文帳に追加

走査電子顕微鏡の分解能をモニタする場合，計測する分解能指標値のパターン依存性を低減できるようなサンプルの準備と計測アルゴリズムの採用が，電子ビームサイズの変化を高精度に計測するために必要である。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV excellent in density dependence of a contact hole pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、コンタクトホールパターンの疎密依存性に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition having good conformability to a liquid for liquid immersion during liquid immersion exposure and having good coverage dependence, from which a pattern reduced in the occurrence of watermark defects, bubble defects and development scum defects can be formed, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

本発明の目的は、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であり、ウォーターマーク欠陥、バブル欠陥、現像残渣欠陥の各々が少ないパターンを形成することが可能、且つ、被覆率依存性が良好な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a substrate manufacturing method reducing the misalignment between an upper layer and a lower layer even when there is substrate distortion and work-starting exposure apparatuses for the upper and lower layers have apparatus dependence in exposure distortion, in the manufacture of substrate for forming a pattern on the substrate, and to provide a system thereof.例文帳に追加

基板上にパターンを形成する基板製造において、基板歪み、及び上層と下層の着工露光装置に露光歪みの機差が存在しても、上層と下層の合わせずれを小さくする基板製造方法、およびそのシステムを提供する。 - 特許庁

To solve the problem on techniques to improve the intrinsic performance of microphotofabrication using far-UV rays, particularly ArF excimer laser light and to provide an excellent positive resist composition having low dependence on the pattern density and a wide side robe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、疎密依存性が小さく、サイドローブマージンが広い優れたポジ型感光性組成物を提供することにある。 - 特許庁

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form.例文帳に追加

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。 - 特許庁

To solve the problems of, on a conductor layer, the dependence of glare on a viewing angle and contrast in appearance, and the problem of insufficient adhesion between resin or the like and a cover film when the cover film is stacked on the conductor layer with the resin or the like, on a substrate having a conductor layer pattern obtained by a transfer method.例文帳に追加

転写法により得られる導体層パターン付き基材は、導体層にギラツキ感の視野角依存性やコントラストなどの外観上の課題、導体層に樹脂などを介してカバーフィルムを積層した場合、この樹脂やカバーフィルムとの密着性が不十分であるという課題を解決する。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive or negative radiation sensitive composition capable of stably forming a fine pattern excellent in machining performance in a small space, critical dimension uniformity, maintainability and stability as a resist, having small density dependence in high accuracy.例文帳に追加

レジストとして、狭スペースの加工性能、多様なパターンデザインにおけるＣＤ均一性および保存安定性に優れ、粗密依存性が小さく、微細パターンを高精度で安定に形成することができる化学増幅型ポジ型またはネガ型の感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern of a good shape by having an excellent resolution, sensitivity and LER, and an excellent scum suppressing property by containing a specific guanidine compound while suppressing a PEB temperature dependence, and provide a resist film formed using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特定のグアニジン化合物を含有することにより、スカム低減性に優れ、解像性が優れることにより良好な形状のパターンを形成することができ、感度、ＬＥＲにも優れ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution composite for a semiconductor substrate that improves the dependence of addition agent concentration and enables fast polishing relatively free from the concave/convex pattern density on the surface to be polished and the concave/convex size with a less amount of polishing solution, a method for manufacturing a substrate using this polishing solution composite, and a method for polishing the substrate.例文帳に追加

添加剤濃度への依存性が改善され、且つ被研磨面の凹凸パターンの密度や凹凸サイズの影響を受けにくい研磨を、少ない研磨量で速やかに達成できる半導体基板用研磨液組成物およびこの研磨液組成物を用いた基板の製造方法並びに研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for preferentially polishing a projection under the control for polishing of a recess and for highly flattening polishing surface with extraordinary small quantity of polishing work, with less dependence on pattern of polishing velocity on the occasion of polishing the surface to be polished of a material layer of the silicon dioxide system during manufacture of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造において、二酸化ケイ素系材料層の被研磨面を研磨する場合の研磨速度のパターン依存性が少なく、凹部の研磨を抑制しながら凸部を優先的に研磨でき、極めて少ない研磨量で被研磨面を高平坦化することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

The pattern teaching system 1 has the middle layer 40 having a plurality of first-class units 10 adapted to vary their own signal outputs in dependence of results of comparison between sums of signal inputs and a first threshold, and the output layer 50 having a plurality of second-class units 11 adapted to vary output signals Oi. Learning processing is as follows.例文帳に追加

パターン教示システム１は、信号の入力和と第一の閾値との比較結果に基づいて自身の信号出力を変化させる複数の第一種ユニット１０を有する中間層４０と、出力信号Ｏｉを変化させる複数の第二種ユニット１１を有する出力層５０とを有する。 - 特許庁

The holographic recording medium 10 has a recording layer 5 in which data information is recorded by an interference pattern of light on a substrate 1, wherein information about thermal expansion characteristics of a recording material constituting the recording layer 5 and/or information about temperature dependence of the refractive index of the recording material is preliminarily recorded in the holographic recording medium 10.例文帳に追加

基板１上に光の干渉パターンによりデータ情報が記録される記録層５を備えるホログラフィック記録媒体１０において、前記記録層５を構成する記録材料の熱膨張特性の情報および／または該記録材料の屈折率の温度依存性の情報が、予めホログラフィック記録媒体１０内に記録されている。 - 特許庁