pn boundaryとは 意味・読み方・使い方

An inclined section 30 including one portion of the pn junction section 14 is provided at a boundary section 10C between both of them.例文帳に追加

両者の間の境界領域１０Ｃには、ｐｎ接合部１４の一部を含む傾斜部３０が設けられている。 - 特許庁

The metal silicide film 104 is formed on the polycrystalline silicon film 103 across the PN junction boundary 105.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１０３上にＰＮ接合境界１０５を跨ぐように金属シリサイド膜１０４が形成されている。 - 特許庁

The PN junction boundary 105 is disposed not to constitute a vertical plane relative to a direction in which the gate electrode extends.例文帳に追加

ＰＮ接合境界１０５はゲート電極の延伸方向に対して垂直面を構成しないように設けられている。 - 特許庁

The re-combination region 7 is formed only on a path, through which an electric current flows immediately after the passage of an electric current in the forward direction is started, of the PN boundary surface, which is a junction boundary surface between the drift layer 2 and the base region 3.例文帳に追加

再結合領域７は、ドリフト層２とベース領域３との接合界面であるＰＮ界面のうち、順方向通電開始直後に電流が流れる経路上にのみ形成される。 - 特許庁

To form a thin film having no grain boundary in a region wherein a pn junction or a pin junction or a channel is formed on a low cost substrate by a simple method.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。 - 特許庁

To avoid an increase in resistance of a gate electrode and wiring while attaining high integration by preventing disconnection of a metal silicide film due to approach of a hole to a PN junction boundary in a structure having the PN junction boundary and the hole formed on the gate electrode and the wiring with the metal silicide film formed on the surface.例文帳に追加

ＰＮ接合境界を有し且つ表面に金属シリサイド膜が形成されたゲート電極や配線の上にホールが形成されている構造において、ホールとＰＮ接合境界との接近に起因して金属シリサイド膜に断線が生じることを防止し、それにより、高集積化を達成しつつゲート電極や配線の高抵抗化を防止する。 - 特許庁

To prevent increase of resistance of wiring by preventing disconnection of a metal silicide film in a PN junction boundary region without inhibiting miniaturization of an element and high integration.例文帳に追加

素子の微細化及び高集積化を妨げることなく、ＰＮ接合境界領域における金属シリサイド膜の断線を防止して、配線の高抵抗化を回避できるようにする。 - 特許庁