processed dimensionsとは 意味・読み方・使い方

To provide a mechanism capable of reducing a difference in processed dimensions caused by a difference in density of a pattern, when processing the pattern formed on a semiconductor substrate by chemical reaction with a reactive gas.例文帳に追加

半導体基板に形成されたパターンを、反応性ガスとの化学反応により加工する場合に、当該パターンの疎密差に伴う加工寸法差を低減することができる仕組みを提供する。 - 特許庁

To provide removing method of a hard coating which suitably remove only a hard coating in a short period of time without changing dimensions of a product to be processed as much as possible through grinding using abrasives.例文帳に追加

研磨材の研削による処理対象製品の寸法をできるかぎり変化させることなく，短時間で硬質被膜のみの除去を好適に行うことのできる被膜除去方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also in a manufacturing method of the assembled camshaft, the shaft 2 processed in designated dimensions by drawing of spheroidize-annealed high carbon content chromium bearing steel material a cam lobe 3 of a compact moulding in designated dimensions formed from sintered alloy powder are made, and the cam lobe 3 is assembled on the shaft 2 and is diffusion-jointed.例文帳に追加

また、組立式カムシャフトの製造方法は、高炭素クロム軸受鋼鋼材を球状化焼き鈍し処理し、その後引き抜き加工して所定の寸法に加工したシャフト２と、焼結合金粉末を圧粉成形して所定の寸法の圧粉成形体に形成したカムロブ３とを作製し、カムロブ３をシャフト２に組み付け、それらを拡散接合して製造する。 - 特許庁

A cross section of a thin film layer of which the dimensions are previously known is processed into a mirror finished surface, image data of a scanning electron microscope image is obtained, and thereafter the performance evaluation of the scanning electron microscope is stably and quantitatively executed by using a means such as a frequency analysis or the like.例文帳に追加

予め寸法の分かっている薄膜層の断面を鏡面加工し、走査形電子顕微鏡像の画像データを取得後、周波数解析等の手段を用いて、走査形電子顕微鏡の性能評価を安定かつ定量的に行う。 - 特許庁

The element isolation region having a channel widthwise direction of the MOSFET has a dummy layer 3 formed as part of the semiconductor layer 1 and not formed with an element, and an element isolation insulating layer 2 formed to have minimum processed dimensions between the MOSFET and the dummy layer 3.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのチャネル幅方向の素子分離領域は、半導体層１の一部であって素子が形成されないダミー層３と、ＭＯＳＦＥＴとダミー層３との間に最小加工寸法で形成される素子分離絶縁層２とを有する。 - 特許庁

To control a manufacturing process of a semiconductor device based on a dimension determined by a processed-object dimension measurement process for measuring side dimensions of a pattern formed on a wafer in a non-contact and non-destructive manner at a high speed by using ellipsometry.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

On the basis of brightness conversion data obtained from the residual wall section 13b image processed at this moment, and database of residual wall thickness dimensions and brightness conversion data that are previously recorded into a recording medium, the residual wall thickness dimension of the residual wall section 13 is calculated by a calculation section 25 for the residual wall thickness dimension to be displayed on the screen of a display 24.例文帳に追加

そして、ここで画像処理された残肉部１３ｂから得られた輝度変換データと、予め記録媒体に記録された残肉厚さ寸法及び輝度変換データのデータベースとに基づいて残肉厚さ寸法算出部２５により残肉部１３ｂの残肉厚さ寸法を算出して、ディスプレイ２４の画面に表示する。 - 特許庁