re1とは 意味・読み方・使い方

A part of an Si substrate 1 located in a first region Re1 is removed selectively by sand blasting to set the thickness of a second region Re2 at 400 μm and the thickness of a recess, i.e., the first region Re1, at 200 μm.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の第１領域Ｒｅ１に位置する部分をサンドブラスト法などにより選択的に除去して、第２領域Ｒｅ２の厚さを４００μｍとして、凹部である第１領域Ｒｅ１の厚さを２００μｍとする。 - 特許庁

Therefore, a projection is formed in the second recessed part from the 'RE1' display part in the data table of the resin molded product.例文帳に追加

したがって、成形された樹脂成形品には、情報表における「ＲＥ１」表示部分から２つ目の凹部に突起が形成される。 - 特許庁

Further, the reference electrode RE1 is formed on the insulation film 14B and comes out to the side surface of the measurement hole X1.例文帳に追加

さらに、第２層間絶縁膜１４Ｂ上には、測定穴Ｘ１の側面に露出した基準電極ＲＥ１が形成されている。 - 特許庁

Each signal light is interfered with reference light Re1 one by one at a hologram recording medium H1, and respectively produced interference fringes are recorded.例文帳に追加

これら信号光を１本ずつ参照光Ｒｅ１とホログラム記録媒体Ｈ１のところで干渉させ、それぞれ生成される干渉縞を記録する。 - 特許庁

A read enable generation circuit 10 generates a read enable signal RE1 forcedly switching the read-out of the video signal from the field memories 2, 3.例文帳に追加

リードイネーブル生成回路１０は、フィールドメモリ２，３からの映像信号の読み出しを強制的に切り換えるリードイネーブル信号ＲＥ１を生成する。 - 特許庁

The resist mask Re1 is used as an etching mask, the Al film 22x is patterned, an Al mask 22 as an intermediate mask is formed, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are used as an etching mask; and the silicon dioxide film 21x is patterned so that a silicon dioxide mask 21 can be formed as an ion implantation mask.例文帳に追加

レジストマスクＲｅ１をエッチングマスクとして用い、Ａｌ膜２２ｘをパターニングして中間マスクであるＡｌマスク２２を形成し、レジストマスクＲｅ１及びＡｌマスク２２をエッチングマスクとして用いて、二酸化珪素膜２１ｘをパターニングしてイオン注入マスクである二酸化珪素マスク２１を形成する。 - 特許庁

In an emitter/follower circuit including an emitter/follower transistor Tr1 and an emitter load resistance RE1, a by-pass circuit CIR1 is provided between the base terminal and emitter terminal of the transistor Tr1, and the input capacitance of the emitter/follower circuit is reduced by the input impedance of the by-pass circuit CIR1 so that the peaking of frequency characteristics can be suppressed.例文帳に追加

エミッタフォロワトランジスタTr1とエミッタ負荷抵抗RE1を含むエミッタフォロア回路において、トランジスタTr1のベース端子とエミッタ端子の間にバイパス回路CIR1を設け、このバイパス回路CIR1の入力インピーダンスによってエミッタフォロワ回路の入力キャパシタンスを低減させることにより、周波数特性のピーキングを抑制する。 - 特許庁

The switching means RE1 is closed at the beginning of charging the electronic part 3, and it is controlled so that it may be opened after being charged sufficiently.例文帳に追加

スイッチ手段ＲＥ_1 は、容量性電子部品３の充電初期には閉じており、容量性電子部品３の充電が十分に進んだ後で開くように制御される。 - 特許庁