reduced pressure chemical vaporとは 意味・読み方・使い方

REDUCED PRESSURE CHEMICAL VAPOR PHASE DEPOSITING APPARATUS例文帳に追加

減圧化学気相堆積装置 - 特許庁

A seed substrate is arranged to face a formation substrate, and then a gas containing silicon is introduced to conduct reduced pressure chemical vapor deposition.例文帳に追加

被形成基板の対面に種基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。 - 特許庁

A film is deposited on the surface of the wafer W by reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) in a state where the boat 42 is loaded within the heating furnace 38 in the above-mentioned manner.例文帳に追加

このようにボート４２を加熱炉３８内にロードした状態で、ウェハＷの表面に減圧ＣＶＤにより成膜を行う。 - 特許庁

An amount of N-16 which transits to the turbine system is reduced by installing adsorbate consisting of a material having the acid center in a molecular skeleton in a passage route of vapor to be generated in a pressure container 1 of a nuclear reactor, adsorbing and holding N-16 chemical compound to be attenuated.例文帳に追加

本発明は、原子炉の圧力容器１内で発生する蒸気の通過経路に、分子骨格内に酸点を有する材料からなる吸着物質を設置し、Ｎ−１６化合物を吸着，保持して減衰させることで、タービン系へ移行するＮ−１６の量が低減する。 - 特許庁

Moreover, the solid-state imaging device is manufactured by having a process of depositing the silicon nitride film 14 by a reduced pressure CVD (chemical vapor deposition) method by connecting with the transfer electrode or the buffer layer 11d and a process of depositing the refractory metal layer 13 on that to form the shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

また、転送電極又は緩衝層１１ｄに接続して、減圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法により窒化珪素膜１４を成膜する工程と、その上に高融点金属層１３を成膜してシャント配線層７ｄを形成する工程とを有して前記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

In the method for depositing a nanocrystal silicon thin film on a substrate, the thin film is deposited at least with a hydrogen gas and a silane based gas as raw materials by a plasma chemical vapor deposition process, the pressure at the inside of the film deposition chamber is reduced, and further, a pulse bias is applied to the substrate.例文帳に追加

基板上にナノ結晶シリコン薄膜を形成する成膜方法であって、該薄膜は少なくとも水素ガス及びシラン系ガスを原料としてプラズマ化学気相成長法により成膜され、成膜室内が減圧されるとともに前記基板にパルスバイアスが印加されることを特徴とするナノ結晶シリコン薄膜の成膜方法とする。 - 特許庁

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁