shape memory couplingとは 意味・読み方・使い方

The coupling members 24 are formed of a shape memory alloy.例文帳に追加

連結部材２４は、形状記憶合金で形成されている。 - 特許庁

To provide a coupling (mechanism) that technically together uses a shape memory function of a shape memory alloy and a super elastic region, drastically improves durability, and is economical in usage.例文帳に追加

形状記憶合金の形状記憶機能と前記超弾性領域とを巧みに併用して、耐久性を飛躍的に向上させ、経済的にも使用が見合う継ぎ手（機構）を提供する。 - 特許庁

On one side face or both side faces of the coupling plate 21, one end of a retaining member 6 using a shape-memory alloy is fixed to the coupling plate 21 with a screw and a nut.例文帳に追加

連結板２１の一方の側面、または両側面には、形状記憶合金を用いた保持部材６の一端をネジ及びナットで連結板２１に固定してある。 - 特許庁

This incised wound closing implement is constituted by integrally molding base bodies 12 constituting two planar bodies 10 and at least one coupling member 28 for coupling these bodies with material having a shape memory function.例文帳に追加

切創口閉鎖用具１は二つの面状体１０を構成する基体１２とこれらを結合する少なくとも一つの結合部材２８とを形状記憶機能を有する材料で一体に形成する。 - 特許庁

A gasket 10 that is made of a shape memory alloy composed of nickel and titanium, has an elastic coefficient smaller than coupling members 2 and 2, and has a transformation point not higher than a temperature in a normal using temperature cycle of the coupling members 2 and 2 is inserted between both coupling members 2 and 2.例文帳に追加

両継ぎ手部材２，２の間に、ニッケルとチタンとからなる形状記憶合金製で、該継ぎ手部材２，２より弾性係数を小さく設定すると共に、変態点がこの継ぎ手部材２，２の通常使用温度サイクル内の温度以下に設定したガスケット１０を介挿してなる 。 - 特許庁

The coupling member 14 has such elasticity that the relative positional relation of the outer frame 10 and the inner frame 12 is restored to relation as before when the supply of the driving current to the shape memory alloy 22 is stopped.例文帳に追加

また、連結部材１４は、形状記憶合金２２への駆動電流の供給が停止された場合に、外枠１０と内枠１２の相対的な位置関係を元に戻すような弾性を有する。 - 特許庁

A memory string MS includes: a pair of columnar portions; a U-shape semiconductor layer 35 having a coupling portion for coupling the lower ends of the columnar portions; a tunnel insulating layer 34c for surrounding the columnar portions; a charge accumulating layer 34b; a block insulating layer 34a; and word line conductive layers 32a-32d for surrounding the block insulating layer 34a.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、一対の柱状部、及びそれらの下端を連結させる連結部を有するＵ字状半導体層３５、柱状部を取り囲むトンネル絶縁層３４ｃ、電荷蓄積層３４ｂ、ブロック絶縁層３４ａ、及びブロック絶縁層３４ａを取り囲むワード線導電層３２ａ〜３２ｄを備える。 - 特許庁