silicon migrationとは 意味・読み方・使い方

Even if silver ions migrate into the anode body, free migration is regulated by silicon gel and short circuit or improper LC caused by silver ions can be retarded.例文帳に追加

陽極体の内部に銀イオンが移動してもシリコンゲルにより自由な移動が規制され、銀イオンの引き起こすショート不良、ＬＣ大不良の発生を遅らせることができる。 - 特許庁

To form proper HSGs(hemispherical grain) by eliminating factors which prevents migration of silicon atoms, and to improve yield of a product by solving the problem of dimples around a contact hole.例文帳に追加

シリコン原子のマイグレーションを阻害する要因を排除して、良好なＨＳＧを形成を図るとともに、コンタクトホール周辺での窪みを解消して、製品の歩留まりの向上を図る。 - 特許庁

To form an amorphous silicon electrode film which is doped with phosphorus through a surface reaction thin film forming method and whose surface gets rugged due to migration.例文帳に追加

表面反応薄膜形成法によって燐がドープされた，マイグレーションに起因して表面が凹凸形状を為すアモルファスシリコン電極膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, capable of improving transistor performance by restraining carrier migration due to inter-lattice silicon from deteriorating.例文帳に追加

格子間のシリコンによるキャリア移動度の劣化を抑制し、トランジスタ性能を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To inhibit stress migration of an Al interconnect line and degradation of a lens shape in an integrated circuit that forms a micro-lens array using a silicon nitride film that is an interlayer dielectric film for the Al interconnect line.例文帳に追加

Ａｌ配線の層間絶縁膜であるシリコン窒化膜を用いてマイクロレンズアレイを形成する集積回路において、Ａｌ配線のストレスマイグレーション及びレンズ形状の崩れを防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming an amorphous silicon electrode film, which is kept free of bald defects and whose surface becomes rugged due to migration.例文帳に追加

ボールドディフェクトがない，マイグレーションに起因して表面が凹凸形状を為すアモルファスシリコン電極膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To improve durability by preventing the occurrence of a crack caused by thermal expansion in the vicinity of a connection terminal part 4 formed on the circumferential surface of a rod-like base body 1 formed of a silicon nitride-based ceramics and to prevent migration.例文帳に追加

窒化ケイ素質セラミックスから成る棒状基体１の外周面に設けられる接続端子部４付近における熱膨張に起因したクラックの発生を防ぎ耐久性を向上するとともに、マイグレーションを抑制する。 - 特許庁

Moreover, in the case of performing a process of carrying out a wafer by evacuating the inside of the reaction vessel after depositing the silicon germanium film, the silicon germanium film is annealed by hydrogen gas while lowering the temperature inside the reaction vessel from the deposition temperature, so as to suppress the migration at the time of evacuation.例文帳に追加

またシリコンゲルマニウム膜を成膜後に反応容器内を真空引きしてウエハを搬出する工程を行う場合には、反応容器内を成膜温度から降温させながら水素ガスによりシリコンゲルマニウム膜をアニールし、真空排気時のマイグレーションを抑える。 - 特許庁