sputtered thin filmとは 意味・読み方・使い方

Alternatively, metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited and are heat-treated to fix a metal silicide thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on a surface thereof.例文帳に追加

あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

The granular magnetic thin film can be, for example, a sputtered film formed by sputtering or an evaporated film formed by evaporation.例文帳に追加

グラニュラー磁性薄膜は、例えば、スパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、蒸着法により形成された蒸着膜であっても良い。 - 特許庁

Among sputtering particles to pass through the particle passage 130, only neutral particles can go straight on, thus a sputtered film is formed on the surface of the organic thin film in an object for film formation.例文帳に追加

粒子通路１３０を通過しようとするスパッタリング粒子の中で、中性粒子だけが直進でき、それにより、成膜対象物の有機薄膜表面にスパッタ膜が形成される。 - 特許庁

Alternatively, the nickel and silicon are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfide compound or a sulfide thereof is deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix the NiSi_2 thin film and the sulfide thin film of a laminate thin film on the surface of the base material.例文帳に追加

あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にＮｉＳｉ_２と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

It is desirable that the carbon thin film 34 is deposited to ≥2 nm film thickness by a vacuum deposition method or sputtering method where the minimum angle of incidence of sputtered particles upon the substrate is ≤40°.例文帳に追加

このとき、カーボン薄膜３４は、２ｎｍ以上の膜厚で、真空蒸着法または基板に対するスパッタ粒子の最低入射角が４０°以下となるスパッタ法で成膜を行うことが望ましい。 - 特許庁

At the time when the minus DC bias is fed, constitutive elements are sputtered from the chalcogen compound target and are combined with reactive gas, so as to deposit a chalcogen compound thin film on the substrate.例文帳に追加

マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。 - 特許庁

The DC power of 1 kW is supplied to the cathodes 54a, 54b and 54c from each DC power source 72, a chromium target 78 is sputtered to form a chromium oxide thin film on a substrate 10.例文帳に追加

それぞれの直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。 - 特許庁

Direct current power of 1 kW is fed from respective direct current power sources 72 to the cathodes 54a, 54b, 54c, and a target 78 made of chromium is sputtered, so as to form a chromium oxide thin film on a substrate 10.例文帳に追加

其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。 - 特許庁