sputtered particleとは 意味・読み方・使い方

The sputtering apparatus 1 is provided with a sputtered particle control board 16 for controlling sputtered particles arranged between a target 3 and a shutter 15.例文帳に追加

本発明のスパッタ装置１は、ターゲット３とシャッタ１５の間に、スパッタ粒子を制御するためのスパッタ粒子制御板１６が配置されている。 - 特許庁

The sputtered particle ejecting section 3 includes an electron capture unit 50 that is disposed opposite to the opening 3a of the plasma generation region Pz and captures an electron 5r in the plasma generation region Pz, and a sputtered particle attach section 52 that is disposed on the plasma generation region Pz side of the electron capture unit 50 and attaches the sputtered particle 5P.例文帳に追加

スパッタ粒子放出部３は、プラズマ生成領域Ｐｚの開口部３ａと反対側に設けられ、プラズマ生成領域Ｐｚに含まれる電子５ｒを捕捉する電子捕捉手段５０と、電子捕捉手段５０のプラズマ生成領域Ｐｚ側に設けられてスパッタ粒子５Ｐを付着させるスパッタ粒子付着部５２と、を含んでいる。 - 特許庁

The sputtered particle ejecting unit 3 has a holding member 80 holding the targets 5a, 5b and unitizing each component of the sputtered particle ejection unit 3, and the ejection unit is detachably disposed as detachable and attachable in the deposition chamber 2 via the holding member 80.例文帳に追加

また、スパッタ粒子放出ユニット３は、ターゲット５ａ，５ｂを保持するとともにスパッタ粒子放出ユニット３の各構成部材をユニット化する保持部材８０を有し、保持部材８０を介して成膜室２に着脱可能に設けられる。 - 特許庁

The sputtered particle control board 16 is made of a material such as stainless steel, and an opening part 17 is formed at the central part thereof.例文帳に追加

このスパッタ粒子制御板１６はステンレス等の材質からなり、その中央部に開口部１７が形成されている。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a film forming chamber 2 housing a substrate W, and a sputtered particle ejecting section 3 having an opening 3a to eject a sputtered particle 5P from a pair of targets 5a, 5b facing each other with a plasma generation region Pz between the targets and the plasma generation region Pz.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマ生成領域Ｐｚを挟んで対向する一対のターゲット５ａ，５ｂ、およびプラズマ生成領域Ｐｚからスパッタ粒子５Ｐを放出する開口部３ａを有するスパッタ粒子放出部３と、を備えたスパッタリング装置１である。 - 特許庁

The generation of a strong electric field and plasma at the contact C is controlled, thereby, an amount of sputtered particle, and radical, etc. which reaches the wafer W is also controlled.例文帳に追加

接点Ｃでの強い電界，プラズマの発生が抑制され，スパッタされた粒子やラジカル等がウエハＷに到達する量も抑えられる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a deposition chamber 2 housing a substrate W; and a sputtered particle ejecting unit 3, which is detachably disposed in the deposition chamber 2, and which produces sputtered particles 5P from a pair of targets 5a, 5b opposing to each other by plasma Pz and ejects the sputtered particles 5P toward the substrate W in the deposition chamber 2.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、成膜室２に着脱可能に設けられ、対向する一対のターゲット５ａ，５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５Ｐを生じさせ、スパッタ粒子５Ｐを成膜室２内の基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出ユニット３と、を備えるスパッタリング装置１である。 - 特許庁