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sputtered outとは 意味・読み方・使い方
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「sputtered out」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Irradiation with the nitrogen plasma can be carried out by utilizing a cleaning chamber annexed to a sputtered film forming device.例文帳に追加
窒素プラズマの照射はスパッタ成膜装置に付随するクリーニング室を利用して行うことができる。 - 特許庁
A target is sputtered with helicon wave excited plasma, and an epitaxial growth is carried out on a substrate that plasma does not reach.例文帳に追加
ヘリコン波励起プラズマによりターゲットをスパッタし、プラズマの到達しない基板上へエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁
A sidewall member and lower electrode covers 1A, 14 in the chamber 1 are sputtered, sputtered out particles directly ride on the wafer or adhere to a susceptor 7 near the wafer 2 or the upper electrode 3 to form a film 25 and the film 25 drops on the wafer 2 as a foreign matter.例文帳に追加
反応室１内の側壁部材や下部電極カバー１Ａ、１４はスパッタを受けスパッタアウトされた粒子が直接ウエハ上に乗ったりウエハ２近辺のサセプタ７や上部電極３に付着して膜２５を形成しウエハ２上へ落下して異物となる。 - 特許庁
In the practical deposition simulation, the state of sputtered particles is determined according to the flow chart (b) by the Monte Carlo method by using the distribution function of sputtered particles preliminarily calculated in the figure (a) at a specified position, and deposition simulation of particles is carried out only at a specified point.例文帳に追加
実際の堆積シミュレーションに際しては、図１（ｂ）のフローに従い、上記特定点での図１（ａ）で予め計算しておいた飛来粒子分布関数を用いて、飛来粒子の状況をモンテカルロ法により決め、特定点でのみ粒子堆積シミュレーションを行う。 - 特許庁
The apparatus is also equipped with a holder for the working piece and at least one treatment kit constituent member, capable of re-using, which is laid out to accumulate the material sputtered from the target.例文帳に追加
この装置は又、加工片用のホルダーと、ターゲットからスパッタされた材料を蓄積するために配置される少なくとも１つの再使用可能な処理キット構成部品とを備える。 - 特許庁
The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加
ターゲット２１にイオンビーム１７を照射し、ターゲット２１から飛び出した粒子によって基板１４上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット２１のスパッタリングされる表面２１ａの形状を凹面形状とする。 - 特許庁
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「sputtered out」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Moreover, sputtering gas is introduced into the interior of the first treatment chamber 11, and either one out of first to third targets is sputtered by plasma of the sputtering gas, thereby capable of forming a thin film on the surface of the substrate 70.例文帳に追加
また、第一の処理室１１の内部に、スパッタガスを導入して、スパッタガスのプラズマが第一〜第三のターゲットのうち、いずれか一つのターゲットをスパッタすることにより基板７０の表面に薄膜を形成することができる。 - 特許庁
To solve the problem that when a short circuit occurs between the side parts close to each other of respective plate-like connection members 5a, 5b during lighting and lighting of a lamp 1 is started without sufficiently preheating a winding part 4a, an electron emitting substance 3a is excessively sputtered and excessively worn out, and consequently, a lamp service lifetime is shortened.例文帳に追加
板状の接続部材５ａ，５ｂそれぞれの互いに近接する辺部同士で点灯時に短絡が発生し、巻回部４ａが十分に予熱されずにランプ１が点灯を開始すると、電子放出物質３ａが過剰にスパッタされて過剰に損耗され、ランプ寿命が縮む。 - 特許庁
To solve the problem that when a short circuit occurs between a winding part 4a of a filament coil 4 and the inner peripheral face of a sleeve 7 covering the winding part during lighting and lighting of a lamp 1 is started without sufficiently preheating the winding part 4a, an electron emitting substance 3a is excessively sputtered and excessively worn out, and consequently, a lamp service lifetime is shortened.例文帳に追加
フィラメントコイル４の巻回部４ａとこれを覆うスリーブ７の内周面との間で点灯時に短絡が発生し、巻回部４ａが十分に予熱されずにランプ１が点灯を開始すると、電子放出物質３ａが過剰にスパッタされて過剰に損耗され、ランプ寿命が縮む。 - 特許庁
In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加
イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁
In manufacturing a semiconductor device including a barrier metal layer in which a metal compound layer is sandwiched between two metal layers, a first metal layer which is to be a bottom layer is applied with oxidation treatment during a process in which a target consisting of one metal element out of titanium and tantalum is sputtered in the atmosphere of rare gas so that a plurality of metal layers are stacked on a background wiring.例文帳に追加
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。 - 特許庁
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