sputtered particlesとは 意味・読み方・使い方

The etching of an optical member OW by the ion GI of reaction gas progresses with sputtered particles SP as a mask, and innumerable cone-shaped projections CP are formed corresponding to the positions of the sputtered particles SP.例文帳に追加

スパッタ粒子ＳＰがマスクとなって反応ガスのイオンＧＩによる光学部材ＯＷのエッチングが進行し、スパッタ粒子ＳＰの位置に対応してコーン状の突起ＣＰが無数に形成される。 - 特許庁

Since the mean free path of the sputtered particles becomes long and a large amount of high-energy sputtered particles is incident by lessening a gas pressure, the crystal particles having a crystal plane (11-20) hardly damaging by incidence of the high-energy sputtered particles are preferentially grown, and the film with c-axis in-plane orientation is thus formed.例文帳に追加

こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 - 特許庁

The plasmatization of the process gas and the ionization of the particles to be sputtered are executed so as to be separated timewise and spacially.例文帳に追加

プロセスガスをプラズマ化と、被スパッタリング粒子のイオン化を時間的および空間的に分離して行うようにした。 - 特許庁

The opening part 17 has a shape corresponding to the emission distribution of sputtered particles scattered from the target 3.例文帳に追加

この開口部１７は、ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の放出分布に対応した形状を有している。 - 特許庁

To provide a Co alloy target material which inhibits the variation of a soft magnetic film to be formed when being sputtered, and reduces particles to be produced when being sputtered, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングにより成膜される軟磁性膜のバラツキを抑制するとともに、スパッタリングの際に発生するパーティクルを低減したＣｏ合金ターゲット材およびその製造方法を提供する - 特許庁

In the practical deposition simulation, the state of sputtered particles is determined according to the flow chart (b) by the Monte Carlo method by using the distribution function of sputtered particles preliminarily calculated in the figure (a) at a specified position, and deposition simulation of particles is carried out only at a specified point.例文帳に追加

実際の堆積シミュレーションに際しては、図１（ｂ）のフローに従い、上記特定点での図１（ａ）で予め計算しておいた飛来粒子分布関数を用いて、飛来粒子の状況をモンテカルロ法により決め、特定点でのみ粒子堆積シミュレーションを行う。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a deposition chamber 2 housing a substrate W; and a sputtered particle ejecting unit 3, which is detachably disposed in the deposition chamber 2, and which produces sputtered particles 5P from a pair of targets 5a, 5b opposing to each other by plasma Pz and ejects the sputtered particles 5P toward the substrate W in the deposition chamber 2.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、成膜室２に着脱可能に設けられ、対向する一対のターゲット５ａ，５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５Ｐを生じさせ、スパッタ粒子５Ｐを成膜室２内の基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出ユニット３と、を備えるスパッタリング装置１である。 - 特許庁

Particles are sputtered from targets 21a, 21b, and a p-layer 3 consisting of a Cu_2O film is deposited on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。 - 特許庁