stepper typeとは 意味・読み方・使い方

The beam length index is determined by an approximate expression including the pixel pitch as a parameter obtained from the equation of temperature resolution in response to the type of the stepper used for pixel patterning and the thermal conductivity of the material of the wiring 6.例文帳に追加

梁長指数は、温度分解能の式に基づいて、画素のパターニングに用いられるステッパの種類及び配線６の材料の熱伝導率に応じて求められた、画素ピッチをパラメータとする近似式で与える。 - 特許庁

A positioning mark is formed in a wiring surface side of a silicon substrate by appropriating an active region or a gate electrode used in a MOS transistor preparation process, for example, for stepper positioning in a manufacturing process of a backside illumination type CMOS image sensor.例文帳に追加

裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程において、ステッパ合わせを行うために、例えばＭＯＳトランジスタ作成工程で用いる活性領域またはゲート電極を流用してシリコン基板の配線面側に位置合わせマークを形成する。 - 特許庁

To restrict a reduction in contrast of a pattern caused by unevenness in the film thickness of an etching stepper which is formed on a multilayer film which reflects EUV beams in an EUV beams exposure reflection type mask for use in transferring a pattern in a semiconductor manufacture, or the like.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ光露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for accurately and simply manufacturing an optical semiconductor element having a p-type side electrode only on the flat surface of the upper part of a ridge on the overall surface, without using an accurate stepper or the like and without requiring a precise mark alignment.例文帳に追加

リッジ上部の平坦面のみに、かつ、その全面に渡ってｐ側電極を有する光半導体素子を精度の高いステッパ等を用いることなく、また、精密な目合せを要せずに、精度よく且つ簡単に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

In this induction type thin film magnetic head, film thickness of 3.0 μm or more of an upper part magnetic core can be formed and width of 0.5 μm or less of a lower part of the upper part magnetic core immediately after plating can be formed by forming the upper part magnetic core by a frame plating method using a frame formed by KrF or ArF excimer laser stepper.例文帳に追加

本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドでは、上部磁気コアを、KrFもしくはArFエキシマ・レーザー・ステッパーにより形成したフレームを用いたフレームめっき法により形成することにより、上部磁気コアの膜厚が3.0μm以上でかつ、めっき直後の上部磁気コア下部の幅を0.5μm以下で形成できる。 - 特許庁