substrate channelingとは 意味・読み方・使い方

The scattering or channeling of P ions on the sidewall and the infiltration of the P ions into the semiconductor substrate 11 are suppressed by the insulating film 19.例文帳に追加

絶縁膜１９によりトレンチの側壁でＰイオンが散乱あるいはチャネリングして半導体基板１１内に侵入するのを抑制する。 - 特許庁

To provide a method for micro-channeling processing in an anisotropic state on a glass substrate by a wet etching method.例文帳に追加

ガラス基板上にウエットエッチング方法により異方性様のマイクロチャンネル加工を提供するものである。 - 特許庁

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate.例文帳に追加

被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

At this time, the angle of ion implantation is within ±3° with respect to the orientation of the semiconductor substrate, namely where a channeling phenomenon occurs.例文帳に追加

このとき、イオン注入の角度は、半導体基板の面方位、すなわち、チャネリング現象が発生する結晶面の面方向に対して±３°以内の角度とする。 - 特許庁

On the substrate, a first conductivity type silicon crystalline semiconductor layer and an intrinsic silicon crystalline semiconductor layer are formed under a condition with a large amount of channeling particles.例文帳に追加

該基板上に，チャネリング粒子が多い条件で第１導電型シリコン結晶質半導体層および真性シリコン結晶質半導体層を形成する。 - 特許庁

Then, the phosphorus of dose amount 1E13 cm-2 is ion-implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy of 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon.例文帳に追加

次にドーズ量１Ｅ１３ｃｍ^-2の燐をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入する。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁