本発明の一実施形態に係る半導体装置は、所定の基板電位を生成する基板電位ジェネレータ回路２、リセット期間において基板バイアス対象回路１の基板を電源に接続するとともに、リセット期間後において基板を基板電位ジェネレータ回路２にノードＶＢＧＰ，ＶＢＧＮを介して接続するパワーオンリセット手段、所定の電圧を生成する電圧生成回路６を備えて構成される。 - 特許庁

The substrate G for the DNA chip is arranged inside an atmospheric plasma generator for generating atmospheric plasma between a high voltage electrode 1 and a low voltage electrode 2 to treat a treated object by the atmospheric plasma, and a surface of the substrate G is washed by the atmospheric plasma generated in the generator.例文帳に追加

高圧電極１と低圧電極２との間で大気圧プラズマを発生させその大気圧プラズマにより被処理体を処理する大気圧プラズマ発生装置内に、ＤＮＡチップ用基板Ｇを配置し、その装置内で発生した大気圧プラズマにより、上記基板Ｇの表面を洗浄する。 - 特許庁

To improve inspection efficiency by increasing the insulation capability among electrodes in the withstand voltage inspection of a high-withstand voltage device and the apparatus cases of a high-voltage generator or the like, and by enabling the withstand voltage inspection in a state of a semiconductor substrate.例文帳に追加

高耐圧デバイスの耐圧検査における各電極間や高電圧発生装置等の装置筐体間の絶縁能力を向上させ、半導体基板の状態での耐圧検査を可能とすることで検査効率を向上させる。 - 特許庁

A nozzle 21 is arranged above an surface peripheral edge of a substrate 24 held on a substrate holding stand 26, and the surface peripheral edge of the substrate 24 is supplied from a nozzle 21 with a chemical 213 to which voltage is applied through a carbon electrode 23A by a voltage generator 29.例文帳に追加

基板保持台２６に保持された基板２４表面の周縁部の上方にノズル２１を配置し、カーボン電極２３Ａを通じて電圧発生装置２９により電圧を印加された薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の周縁部に供給する。 - 特許庁

The glass substrate G of the liquid crystal display is arranged in the atmospheric pressure plasma generator for performing the treatment by the atmospheric pressure plasma by arranging a workpiece between a high-voltage electrode 1a and low-voltage electrode 1b facing each other and the surface of the glass substrate G is washed by the atmospheric pressure plasma generated in the device.例文帳に追加

対向する高圧電極１ａと低圧電極１ｂとの間に被処理体を配置させ大気圧プラズマによる処理を行う大気圧プラズマ発生装置内に、液晶ディスプレイ用ガラス基板Ｇを配置し、その装置内で発生した大気圧プラズマにより、上記ガラス基板Ｇの表面を洗浄する。 - 特許庁

例文

The image display apparatus includes a level shifter 16 and a REF generator circuit 17 which applies a REF voltage on the level shifter 16, both fabricated on a substrate where a pixel array for image display is fabricated, wherein both of the level shifter and the REF generating circuit have connecting terminals to a path element outside the substrate.例文帳に追加

本発明の画像表示装置は、画像表示用の画素アレイが形成された基板上に、レベルシフタ１６と、レベルシフタ１６にＲＥＦ電圧を印加するＲＥＦ生成回路１７とがあるが、レベルシフタ側も、ＲＥＦ生成回路側も、基板外経路素子との接続用端子を有している。 - 特許庁

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「substrate voltage generator」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11件

例文

A collection range control means 51 of a timing generator 50 controls a collection range of the electric charges generated by the photoelectric conversion in the p-type Si substrate by controlling control voltage Vsb to be provided in the second n-type impurity layer.例文帳に追加

タイミングジェネレータ５０の収集範囲制御手段５１は、第２のｎ型不純物層に与える制御電圧Ｖｓｂを制御することにより、ｐ型Ｓｉ基板内において光電変換により生じた電荷の収集範囲を制御する。 - 特許庁

To provide an electrolytic water generator the electrolysis capacity of which is controllable using a fixed DC voltage, and which enables a heat sink for heat radiation to be made small thereby enabling a substrate to be made compact by suppressing loss due to adjustment of the electrolysis capacity.例文帳に追加

一定の直流電圧を利用して電解能力を制御可能であり、しかも、電解能力の調整による損失を抑えることで、放熱のためのヒートシンクを小さくでき、基板をコンパクトに構成できる電解水生成装置を提供する。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

例文

The plasma etching apparatus to be disclosed includes an upper electrode, a lower electrode which is so arranged as to face the upper electrode and on the upper part of which a substrate is loaded, and a high-frequency generator for applying a high-frequency voltage to the upper electrode or to the lower electrode to generate a plasma.例文帳に追加