surface-charge transistorとは 意味・読み方・使い方

The n-type layer has a charge output portion which is diffused from the pn junction to the substrate surface, and the charge output is connected in a circuit to an MOS transistor for charge read-out.例文帳に追加

Ｎ型層はＰＮ接合部分から基板表面まで拡散された電荷出力部分を有しており、当該部分は電荷読み出し用のＭＯＳトランジスタに回路的に接続されている。 - 特許庁

The memory cell transistor MTr includes: a charge storage layer 23 provided above a P-type semiconductor substrate 10 and storing the electric charge: a semiconductor layer 25 formed on a top surface of the charge storage layer 23 via a block insulating layer 24; and a silicide layer 26 provided on the upper surface of the semiconductor layer 25.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＴｒは、Ｐ型半導体基板１０の上方に形成され且つ電荷を蓄積する電荷蓄積層２３と、電荷蓄積層２３の上方にブロック絶縁層２４を介して形成された半導体層２５と、半導体層２５の上面に形成されたシリサイド層２６とを備える。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor manufactured by using a gate insulating layer having surface smoothness and low surface energy wherein sufficiently high charge carrier conduction performance is imparted to the field-effect transistor, to provide a method of manufacturing the field-effect transistor, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、表面平滑性及び低表面エネルギーを有するゲート絶縁層を用いて作製された電界効果型トランジスタに十分高いチャージキャリア伝導性能を与える電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

To form a polycrystalline ferroelectric film on a polycrystalline electrode to set a (104) plane large in charge density in parallel to a principal surface of a semiconductor substrate without giving thermal damage to a transistor on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上のトランジスタへ熱ダメージを与えることなく、多結晶電極上に、電荷密度の大きい（１０４）面が半導体基板の主面に対して平行になるように多結晶強誘電体膜を形成することである。 - 特許庁

The solid state image sensor is configured as a rear surface irradiation type where photoelectric conversion takes place in the organic material layer 13, generated charges are moved through the semiconductor layer 12 and introduced to a charge storage region 26, and light hν impinges on a surface opposite from the surface where the pixel transistor is formed.例文帳に追加

そして、有機物質層１３で光電変換が行われ、生成した電荷が半導体層１２内を移動して電荷蓄積領域２６へ導かれるように構成され、画素トランジスタが形成された面とは反対の面から光ｈνが入射される裏面照射型に構成される。 - 特許庁

While having a water-repellent surface left on an insulating film surface at least in an operation region, the organic transistor which has the organic semiconductor layer containing at least one organic semiconductor material on an insulating film has a hydrophilic surface in the other region, and then the organic semiconductor layer is formed by the coating method to make the formation by a solution process possible, thereby manufacturing the organic transistor having no electric charge trap.例文帳に追加

絶縁膜上に少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、絶縁膜表面に少なくとも動作領域に疎水性表面を残したまま、その他の領域を親水性表面とした後、塗布法により有機半導体層を形成することにより、溶液プロセスによる形成を可能とし、電荷トラップのない有機トランジスタを作製できる。 - 特許庁

In a memory transistor (M11, etc.), a gate electrode and gate insulation films, including a tunnel insulation film, are laminated on the semiconductor-channel forming region provided on the surface of a substrate to provide discretely in the form of a plane charge storing means in the gate insulation film.例文帳に追加

メモリトランジスタ（Ｍ１１等）において、基板表面に設けられた半導体のチャネル形成領域上にトンネル絶縁膜を含むゲート絶縁膜とゲート電極が積層され、ゲート絶縁膜内に平面的に離散化された電荷蓄積手段を有する。 - 特許庁