tft pとは 意味・読み方・使い方

Similarly, at the moment when the N-hannel TFT 114 is turned on, the P-hannel TFT 115 is turned off.例文帳に追加

同様に、ＮチャネルＴＦＴ１１４がオンする瞬間にはＰチャネル型ＴＦＴ１１５をオフさせておく。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of a liquid crystal device, an N-channel TFT test pattern 130 and a P-channel TFT test pattern 140 are formed.例文帳に追加

液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上に、ＮチャネルＴＦＴテストパターン１３０とＰチャネルＴＦＴテストパターン１４０とが形成されている。 - 特許庁

On the TFT substrate 3, a plurality of pixel areas P are formed.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板３には、複数の画素領域Ｐが形成されている。 - 特許庁

When the n-type TFT 53 is off, a p-type TFT 52 which is switched on-off complementarily to the n-type TFT 53 is turned on, thus an output current from the n-type TFT 48 passes through a dummy load 51.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ５３のオフ時には、ｎ型ＴＦＴ５３と相補的にオンオフするｐ型ＴＦＴ５２のオンにより、ｎ型ＴＦＴ４８からの出力電流はダミー負荷５１を通過する。 - 特許庁

A complementary circuit having an inorganic n-channel TFT (thin film transitor) and an organic p-channel TFT shows outstanding properties, without suffering from disadvantages of a conventional complementary inorganic TFT or complementary organic TFT.例文帳に追加

無機ｎ−チャネル薄膜ＴＦＴと有機ｐ−チャネルＴＦＴを有する相補型回路は、従来の相補型無機ＴＦＴ又は相補型有機ＴＦＴの欠点を被ることなく、優れた特性を示す。 - 特許庁

A high level signal is inputted to a gate of an N-hannel TFT 117, and at the moment when the N-hannel TFT 117 is turned on, the P-hannel TFT 109 is turned off.例文帳に追加

ＮチャネルＴＦＴ１１７のゲートにハイレベル信号が入力し、ＮチャネルＴＦＴ１１７がオンする瞬間にはＰチャネル型ＴＦＴ１０９をオフしておく。 - 特許庁

In such a case, to balance both characteristics, a channel length L1 of the P-channel type TFT is made longer than a channel length L2 of the N-channel type TFT, and a channel width W1 of the P-channel type TFT is made wider than a channel width W2 of the N-channel type TFT.例文帳に追加

この際、両者の特性を均衡させるために、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長Ｌ１を、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長Ｌ２よりも長くし、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル幅Ｗ１を、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル幅Ｗ２よりも広くする。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁