valence typeとは 意味・読み方・使い方

An active layer 14 has the type II super-lattice structure of an A layer having the upper end of a valence band higher than the p-type clad layer 13 and a B layer consisting of a mixed crystal having an element configuration equal to the p-type clad layer 13.例文帳に追加

活性層１４が、価電子帯の上端がｐ型クラッド層１３よりも高いＡ層と、ｐ型クラッド層１３と同等の元素構成を有する混晶よりなるＢ層とのタイプＩＩ超格子構造を有している。 - 特許庁

Solid solution particles, containing nickel hydroxide as a main component, have surface areas whose 1-30% is covered with at least one type of oxide particles selected from among yttrium, scandium and lanthanide, and whose outer peripheries are covered with cobalt oxide having a cobalt average valence number which is larger than 3.0 valence.例文帳に追加

水酸化ニッケルを主成分とする固溶体粒子において、前記固溶体粒子の表面積の１〜３０％をイットリウム、スカンジウムまたはランタノイドから選ばれる少なくとも一種の酸化物粒子にて被覆し、かつ、その外周をコバルト平均価数が３．０価より大であるコバルト酸化物にて被覆する。 - 特許庁

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。 - 特許庁

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot device comprises a p-type semiconductor barrier layer 3 provided near an undoped quantum dot 1, and holes 4 in the semiconductor barrier layer 3 previously injected at the ground level 8 of the ground level 8 of a valence band of the dot 1.例文帳に追加

アンドープ量子ドット１の近傍にｐ型半導体障壁層３を設け、ｐ型半導体障壁層３内のホール４を量子ドット１の価電子帯の基底準位８に予め注入しておく。 - 特許庁

There is provided a positive electrode active material having a crystal structure of a Li_9M_3(P_2O_7)_3(PO_4)_2 type, where M is an element that can take a plurality of valences other than zero valence.例文帳に追加

Ｍは０価以外の複数の価数を取り得る元素であり、Ｌｉ_９Ｍ_３（Ｐ_２Ｏ_７）_３（ＰＯ_４）_２型の結晶構造を有する正極活物質。 - 特許庁

When a perovskite type oxide dielectric thin film expressed by ATiO_3, an electron fed from oxygen deficiency caused by low oxygen partial pressure is trapped by adding excessively Fe with smaller valence number than tetravalent Ti to increase the breakdown strength.例文帳に追加

ＡＴｉＯ_３で表記されるペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を形成するために、低い酸素分圧の結果生じる酸素欠陥から供給される電子を、４価であるＴｉよりも低い価数をとりうるＦｅを過剰に添加することによって、トラップし耐圧を高めることができる。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion material is a compound which has the Heusler structure as the main phase, and is expressed by Fe_xAl_yV_100-x-y (where, 41≤x≤49, 26≤y≤39), wherein the compounds having the total valence number of 23.2-24.8 are excluded.例文帳に追加

実施形態のｐ型熱電変換材料は、ホイスラー構造を主相とし、Ｆｅ_ｘＡｌ_ｙＶ_１００−ｘ−ｙ（ただし、４１≦ｘ≦４９、２６≦ｙ≦３９で表される化合物であり、前記化合物の総価電子数が２３．２〜２４．８のものを除くことを特徴とする。 - 特許庁