volatile variableとは 意味・読み方・使い方

To provide a vertical memory array including a plurality of non-volatile variable resistive memory cells.例文帳に追加

複数の不揮発性可変抵抗メモリセルを含む縦型のメモリアレイを提供する。 - 特許庁

The non-volatile memory cell has a variable magneto-resistance element as a memory element to store information with the non-volatile mode according to a resistance value of the variable magneto-resistance element.例文帳に追加

この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory unit (8) having a rewritable non-volatile memory cell, and a variable logic unit (3) of which the logic function can be decided in accordance with logical configuration definition data loaded into a plurality of memory cells.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセルを有する不揮発性メモリユニット（８）と、複数の記憶セルにロードされる論理構成定義データに従って論理機能が決定される可変論理ユニット（３）とを有する。 - 特許庁

To increase a speed at a low voltage operation in a semiconductor device on which a non-volatile memory unit and a variable logic unit are mounted.例文帳に追加

不揮発性メモリユニットと可変論理ユニットを搭載する半導体装置において低電圧動作での高速化を実現する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a control device for a variable valve train, capable of properly determining whether the displacement of the variable valve train stored in a volatile memory disappears or not.例文帳に追加

揮発性メモリに記憶される可変動弁機構の変位量が消失したか否かを適切に判定することのできる可変動弁機構の制御装置を提供する。 - 特許庁

A non-volatile memory device including a variable resistance material has a lower electrode 20, a buffer layer 22 which is formed of an oxide on the lower electrode, an oxidation layer 24 which is formed on the buffer layer and has variable resistance characteristics, and an upper electrode 26 formed on the oxidation layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極２０と、下部電極上に酸化物で形成されたバッファ層２２と、バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有した酸化層２４と、酸化層上に形成された上部電極２６と、を備える。 - 特許庁

A plurality of information for the state record are arranged in the continuous volatile memory regions of the IC card icc_a for every information which is variable with once exchange.例文帳に追加

ステートレコードの複数の情報は、一度の交換で変動し得る情報ごとに、ＩＣカードicc_aの連続した揮発性メモリ領域に配置される。 - 特許庁