The wafer susceptor 206a is provided on the rotation stand, and rotates in association with the rotation of the rotation stand.例文帳に追加

ウエハサセプタ２０６ａは、回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転する。 - 特許庁

WAFER ROTATION STABILIZATION STRUCTURE IN POLISHING HEAD例文帳に追加

研磨ヘッドにおけるウェーハ回転安定化構造 - 特許庁

The wafer is rotated at a fifth rotation number (the process S2).例文帳に追加

ウェハを第５の回転数で回転させる（工程Ｓ２）。 - 特許庁

Therefore, a wafer W in rotation does not slip.例文帳に追加

よって回転中のウェーハＷがスリップしない。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a first rotation number to rotate the wafer at the first rotation number (the process S3).例文帳に追加

ウェハの回転を第１の回転数まで加速させ、第１の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ３）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a fourth rotation number to rotate the wafer at the fourth rotation number (the process S6).例文帳に追加

ウェハの回転を第４の回転数まで加速させ、第４の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ６）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is decelerated to 1,500 rpm, which is a second rotation number, to rotate the wafer W at the second rotation number for 0.5 s (the process S4).例文帳に追加

ウェハの回転を第２の回転数である１５００ｒｐｍまで減速させ、ウェハＷを第２の回転数で０．５秒回転させる（工程Ｓ４）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is further decelerated to a third rotation number to rotate the wafer at the third rotation number (the process S5).例文帳に追加

ウェハの回転を第３の回転数までさらに減速させ、第３の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ５）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a fifth rotation number, and the wafer is rotated at the fifth rotation number (process S6).例文帳に追加

ウェハの回転を第５の回転数まで加速し、第５の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ６）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is decelerated to a second rotation number, and the wafer W is rotated at the second rotation number (process S3).例文帳に追加

ウェハの回転を第２の回転数まで減速させ、ウェハＷを第２の回転数で回転させる（工程Ｓ３）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a first rotation number, and the wafer is rotated at the first rotation number (process S2).例文帳に追加

ウェハの回転を第１の回転数まで加速させ、第１の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ２）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is further accelerated to a third rotation number, and the wafer is rotated at the third rotation number (process S4).例文帳に追加

ウェハの回転を第３の回転数までさらに加速し、第３の回転数でウェハを回転させる（工程Ｓ４）。 - 特許庁

To provide a wafer rotation stabilization mechanism in a wafer polishing device increasing rolling resistance of a retainer ring inner peripheral part to a wafer to suppress influence of disturbance on rotation of the wafer and always appropriately maintaining the rotation speed of the wafer to improve uniformity in polishing of the wafer.例文帳に追加

リテーナリング内周部の対ウェーハ転がり抵抗を増大させてウェーハの回転に対する外乱の影響を抑え、ウェーハの回転速度を常時適正に維持してウェーハの研磨均一性を向上させうるウェーハ研磨装置におけるウェーハ回転安定化機構を提供することを目的とする。 - 特許庁

The rotation device 3 rotates a wafer 7 held by the wafer chuck 2.例文帳に追加

回転装置３は、ウェハチャック２に保持されているウェハ７を回転させる。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a fifth rotating speed to dry the coating solution on the wafer (step S5).例文帳に追加

ウェハの回転を第５の回転数まで加速させ、ウェハ上の塗布液を乾燥させる（工程Ｓ５）。 - 特許庁

A solvent is supplied onto a wafer in rotation, and the wafer is rotated at a sixth rotation number to diffuse the solvent (process S1).例文帳に追加

回転中のウェハ上に溶剤を供給し、ウェハを第６の回転数で回転させて溶剤を拡散させる（工程Ｓ１）。 - 特許庁

When rotation of the wafer W is adjusted, rotation of the wafer W detected by search alignment is taken into account.例文帳に追加

この際、ウエハＷの回転を調整する場合には、サーチアライメントで検出されたウエハＷの回転を考慮する。 - 特許庁

Then, while the wafer rotates, the discharge of the first rinse liquid and the discharge of the second rinse liquid are stopped (step S14, S15), after the wafer is dried, while controlling the rotation acceleration of the wafer, the rotation of the wafer is slowed down to stop the rotation of the wafer (step S16).例文帳に追加

その後、ウエハが回転している状態で、第１のリンス液の吐出と第２のリンス液の吐出とを停止させて（ステップＳ１４、Ｓ１５）ウエハを乾燥させた後、ウエハの回転加速度を制御しながら、ウエハの回転を減速して停止させる（ステップＳ１６）。 - 特許庁

The heater is provided under the wafer susceptor 206a within the rotation stand.例文帳に追加

ヒーターは、回転スタンド内で、ウエハサセプタ２０６ａの下に設けられる。 - 特許庁

To provide a surface inspection device improving rotation accuracy of a wafer 10.例文帳に追加

ウェハ１０の回転精度を向上させた表面検査装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 110 is held with a suction head 120 for rotation.例文帳に追加

半導体ウェーハ１１０は吸着ヘッド１２０に保持され、旋回される。 - 特許庁

The wafer rotating drive plate 17 which engages with a notch of the wafer and transmits rotation force to the wafer is arranged to be a three-layer plate structure.例文帳に追加

ウェーハのノッチに係合してウェーハに回転を伝達するウェーハ回転用駆動プレート１７を３層プレート構造にする。 - 特許庁

The rotation of the wafer is decelerated to >0 rpm and ≤500 rpm being a fourth rotation number, and the wafer is rotated at the fourth rotation number for 1 to 10 sec (process S5).例文帳に追加

ウェハの回転を第４の回転数である０ｒｐｍ超５００ｒｐｍ以下まで減速させ、第４の回転数で１〜１０秒間ウェハを回転させる（工程Ｓ５）。 - 特許庁

To protect a wafer mounting part from an irradiating ion beam and to prevent problems such as cracking of a wafer occurring in rotation of a wafer disk in operation, without a dummy wafer, reducing a manufacturing cost.例文帳に追加

ダミーウエハを必要とせず、製造コストを低減して、ウエハ装着部を照射イオンビームから保護しかつウエハディスクの処理回転中に発生するウエハの割れ等の問題を回避すること。 - 特許庁

Thereafter, the wafer W is rotated at such a proper rotation speed as not to scatter the coating liquid on the wafer W from the wafer W and accordingly, the uniformity of the thickness-in-plane of the coating film on the wafer W is improved.例文帳に追加

この後ウエハＷ上の塗布液がウエハＷから飛散しない回転数で当該ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ上の塗布膜の膜厚の面内均一性を向上させる。 - 特許庁

When a wafer W is placed on a processing stage, eccentricity of the center of the wafer W from the center of rotation of the wafer W is determined based on the outputs from a wafer edge detecting means 4 and a notch detecting means 9.例文帳に追加

ウエハＷが処理ステージに置かれたとき、ウエハエッジ検知手段４とノッチ検知手段９の出力に基づき、ウエハＷの回転中心に対するウエハＷの中心の偏心量を求めておく。 - 特許庁

Thirdly, a pulley 40 is rotated together with the wafer cassette sandwiching part 41 and the wafer cassette 11 by the rotation of a motor 49.例文帳に追加

次に、モータ４９の回転により、プーリ４０をウエハカセット挟持部４１およびウエハカセット１１と共に回転させる。 - 特許庁

METHOD OF POSITIONING SPINDLE ROTATION AXIS LINE OF WAFER POSITIONING APPARATUS, AND WAFER POSITIONING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

ウエハ位置決め装置のウエハ座回転軸線位置決め方法およびその方法を用いたウエハ位置決め装置 - 特許庁

Thereafter, the rotation velocity of the wafer W is accelerated and resist solution supplied in advance is diffused all over the wafer W.例文帳に追加

その後，ウェハＷの回転速度が加速され，先に供給されたレジスト液がウェハＷ全面に拡散される。 - 特許庁

The rotational speed of the wafer is accelerated to 1,000 to 1,800 rpm, and visible droplets are removed to the outside of the wafer (second rotation process).例文帳に追加

その後、ウエハの回転速度を１０００〜１８００ｒｐｍに加速して、目に見える程度の液滴をウエハ外に排除する（第２回転工程）。 - 特許庁

After that, the wafer's rotation speed is accelerated to a fourth rotational speed faster than the third rotational speed to dry off the resist liquid on the wafer.例文帳に追加

その後ウェハの回転を第３の回転速度よりも速い第４の回転速度に加速して、ウェハ上のレジスト液を乾燥させる。 - 特許庁

The slit 93a is arranged so as to cross the rotation axis of the wafer W and it is longer than the diameter of the wafer W.例文帳に追加

スリット孔９３ａはウエハＷの回転軸に交差するように配置されており、その長さはウエハＷの直径を覆う範囲となっている。 - 特許庁

A wafer W is rotated around a vertical rotation axis in a state where the wafer W is held by a spin chuck.例文帳に追加

ウエハＷは、スピンチャックに保持されて鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転される。 - 特許庁

After the cooling liquid is uniformly spread on the surface of the wafer W, the rotation is stopped to perform cooling treatment with the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面に冷却液が均一に液盛りされた後に、回転を停止してウエハＷの冷却処理を行う。 - 特許庁

After the heating liquid is uniformly spread over the surface of the wafer W, the rotation is stopped to perform heating treatment with the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面に加熱液が均一に液盛りされた後に、回転を停止してウエハＷの加熱処理を行う。 - 特許庁

The rotation of the wafer is decelerated to a fourth rotating speed to adjust the thickness of the coating solution on the wafer (step S4).例文帳に追加

ウェハの回転を第４の回転数まで減速させ、ウェハ上の塗布液の膜厚を調整する（工程Ｓ４）。 - 特許庁

The rotational speed of the wafer is accelerated to 2,000 to 3,500 rpm, to shake off very small droplets, and the wafer is dried (third rotation process).例文帳に追加

さらに、ウエハの回転速度を２０００〜３５００ｒｐｍに加速して、微小な液滴を振り切ってウエハを乾燥させる（第３回転工程）。 - 特許庁

The rotation of the wafer is accelerated to a third rotating speed and the coating solution is diffused on the entire surface of the wafer (step S3).例文帳に追加

ウェハの回転を第３の回転数まで加速させ、塗布液をウェハ上の全面に拡散させる（工程Ｓ３）。 - 特許庁

A wafer 6 held in a wafer carrier 1 is polished by a polishing pad on rotation.例文帳に追加

ウエハ６はウエハキャリア１に保持され、回転駆動された研磨パッド３によりウエハ６が研磨される。 - 特許庁

To employ a serial-transmission encoder for a rotation detection unit that provides rotation information of a wafer mounting stage that rotates while holding a wafer, to thereby allow a notch to be positioned highly precisely even when the rotation information is provided only intermittently, in a wafer prealignment apparatus.例文帳に追加

ウェハプリアライメント装置において、ウェハを保持して回転するウェハ搭載ステージの回転情報を与える回転検出部に、シリアル伝送タイプのエンコーダを採用して、回転情報を間欠的にしか得ることができなくても、ノッチ位置を高精度に位置決めさせる。 - 特許庁

The langasite single crystal wafer has triple rotation Euler's angles (30°, 20°≤θ≤30°, ψ).例文帳に追加

オイラー角が三重回転の（３０°、２０°≦θ≦３０°、ψ）であるランガサイト単結晶ウエーハ。 - 特許庁

The more distant the surface position of the wafer becomes from the rotation center, the faster it moves.例文帳に追加

その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。 - 特許庁

A plate 10 has a plurality of wheels 11 for polishing a semiconductor wafer during rotation.例文帳に追加

プレート１０は、回転しながら半導体ウェハーを研磨するホイール１１を複数備える。 - 特許庁

A spin coating apparatus includes a wafer chuck 2, a rotation device 3, a nozzle 8, and a rear surface protection disc 21.例文帳に追加

ウェハチャック２と回転装置３とノズル８と裏面保護円盤２１とを備えている。 - 特許庁