| 例文 (13件) |
"表面シール"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 13件
信号蓄積部２０２の上側のＰウェル２０１の表面部にＰ型の表面シールド層２０６が設けられている。例文帳に追加
A P-type surface shield layer 206 is provided in a surface portion of the P-well 201 above the signal accumulation portions 202. - 特許庁
この構造により、Ｎ型拡散領域１７からチャネルへの電荷の転送経路を、表面シールド領域１８が狭めることが無くなる。例文帳に追加
With this structure, a transfer route of the charge from the n-type diffusion region 17 to the channel is not narrowed by a surface shield region 18. - 特許庁
この信号蓄積領域１５上にはＰ^+型の表面シールド領域２１ａが選択エピタキシャル成長させて形成されており、この表面シールド領域２１ａ上には、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜からなり信号蓄積領域１５の少なくとも一部を覆うシリサイドブロック層１９が形成されている。例文帳に追加
A silicide block layer 19, which consists of a silicone oxide film and a silicon nitride film and covers at least one part of the signal storage region 15, is formed on the surface shield region 21a. - 特許庁
ビニロン繊維が接着層を介してクッション層に直接植毛されて表面シール層を形成することにより、トナーなどの微粉粒体の漏れを改善するとともに、表面シール層の繊維の脱落又は切断を改善した微粉粒体の漏れ防止用のシール材を提供する。例文帳に追加
To provide a sealing material for preventing leakage of fine powder and granular material capable of preventing the fine powder and granular material such as toner from leaking and preventing a fiber in a surface sealing layer from dropping or being cut by planting vinylon fibers on a cushion layer through an adhesive layer directly and forming the surface sealing layer. - 特許庁
この目地材２０を、浴槽１４の表面側部分に沿って設置される表面シール部２１と、表面シール部２１の裏面から隙間の内部側に向って延びて浴槽１４の側面部に沿って設置される差込圧接部２２とで構成した。例文帳に追加
The joint filler 20 consists of a front surface sealing part 21 disposed along the front surface side of the bathtub 14, and an insertion pressure-contact part 22 disposed along a side surface of the bathtub 14 to extend from the rear surface of the front surface sealing part 21 toward the inner side of the gap. - 特許庁
ゲート電極２０４から見て表面シールド層２０６とは反対側のＰウェル２０１の表面部にＮ型のドレイン領域２０５が設けられている。例文帳に追加
An N-type drain region 205 is provided in a surface portion of the P-well 201 on the side opposite to the surface shield layer 206 when viewed from the gate electrodes 204. - 特許庁
硬化時の表面硬化性に優れ、加熱硬化時においてもマイラーフィルム等の表面シールなしでも耐薬品性に優れた成形品を形成することができる樹脂組成物及びそれを用いてなる加熱硬化方法を提供する。例文帳に追加
To obtain a resin composition having excellent surface curability during curing and capable of forming a molded product having excellent chemical resistance even without surface sealing of a Mylar (R) film during thermosetting and to provide a method for thermosetting using the resin composition. - 特許庁
表面シールド層２０６の一端に隣接するようにゲート電極２０４の下側のＰウェル２０１の表面部にＰ型の読み出し制御層２０８がさらに設けられている。例文帳に追加
A P-type read control layer 208 is further provided in a surface portion of the P-well 201 under the gate electrodes 204 so as to be adjacent to one end of the surface shield layer 206. - 特許庁
クッション層に繊維を直接植毛して表面シール層を形成することにより、トナーなどの微粉粒体の漏れを改善した微粉粒体の漏れ防止用のシール材を提供する。例文帳に追加
To provide a sealant for preventing leakage of fine powder which improves the leakage of fine powder such as toner by forming a surface seal layer by directly transplanting fibers into a cushion layer. - 特許庁
モールドコイルの表面側に埋め込みシールドと外表面シールド層を巧みに組み合わせてシールド機能，信頼性の高い接地電位のシールドを簡易な工法で形成できるように改良した樹脂モールドコイルを提供する。例文帳に追加
To provide a resin mold coil that has been so improved as to build a shield of ground potential and high shielding functionality with reliability by skillfully combining an embedded shield and an outer surface shield layer on the surface side of the mold coil by a simple method of construction. - 特許庁
インレット５は、基板４上面の外周と破断スイッチ３の頂面に粘着剤ａを塗布して上面を表面シール６で被覆し、下面全体に粘着剤ａを塗布して下面をシリコンの剥離処理を施した剥離紙７に支持する。例文帳に追加
An upper surface of the inlet 5 is coated with a surface seal 6 by coating adhesive (a) on an outer circumference of an upper surface of the substrate 4 and a top surface of the breaking switch 3, and a lower surface is supported by a release paper 7 with a peeling process of silicon applied by coating the adhesive (a) on the entire lower surface. - 特許庁
特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。例文帳に追加
In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208. - 特許庁
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