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"BASE LAYER"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2354件
STRUCTURE OF WATERPROOFING BASE LAYER例文帳に追加
防水下地構造 - 特許庁
VEGETATION BASE LAYER MAT例文帳に追加
植生用基層マット - 特許庁
A base layer picker is installed to pick up a base layer from a base layer stack.例文帳に追加
基層のスタックから基層を取り上げるために基層ピッカーが設けられる。 - 特許庁
DECORATIVE FIBER BASE LAYER MAT例文帳に追加
装飾繊維基層マット - 特許庁
CREATING METHOD FOR VEGETATION BASE LAYER例文帳に追加
植生基盤層の造成方法 - 特許庁
BASE LAYER FOR MULTILAYERED MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加
重層磁気記録媒体下地層 - 特許庁
The base (B) is equipped with an external base layer 20 and an intrinsic base layer 22.例文帳に追加
ベース(B)は、外部ベース層20及び真性ベース層22を有する。 - 特許庁
Thereafter, an insulation base layer 45 is laminated on the surface of the base layer 34.例文帳に追加
その後、基礎層34の表面には絶縁下地層45が積層される。 - 特許庁
Next, the base layer is delivered to a transport system transporting the base layer to an visualization engine.例文帳に追加
次いで、基層は、基層を画像化エンジンに輸送する輸送システムに渡される。 - 特許庁
APPARATUS FOR REMOVING BASE LAYER OF BASKET TYPE CENTRIFUGAL FILTRATION APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING BASE LAYER例文帳に追加
バスケット型遠心濾過機の基礎層除去装置及び基礎層除去方法 - 特許庁
A plurality of trenches 17 that penetrate the p-type base layer 3 and reach the midway of the n-type base layer 1 are formed within the p-type base layer 3 and n-type base layer 1.例文帳に追加
p型ベース層3及びn型ベース層1内には、p型ベース層3を貫通し、n型ベース層1の途中まで達する深さの複数のトレンチ17が形成される。 - 特許庁
GROOVE PATTERN FORMATION METHOD IN BASE LAYER例文帳に追加
下地層における溝パターン形成方法 - 特許庁
A disk 1 has a base layer 2 and a recording layer 3 layered on the base layer.例文帳に追加
ディスク1は、ベース層2と、その上に積層される記録層3とを有している。 - 特許庁
On the other surface of the first base layer, a second conductivity type second base layer is formed.例文帳に追加
第1ベース層の他方の面に第2導電型の第2ベース層が形成される。 - 特許庁
The p-type base layer monotonously decreases in impurity density from an upper-end part 4B of the p-type base layer toward the n-type base layer.例文帳に追加
p形ベース層の不純物濃度は、p形ベース層の上端部4Bからn形ベース層に向かって単調減少する。 - 特許庁
Then, the film thickness of the first base layer 2 is made thinner than the film thickness of the second base layer 3.例文帳に追加
そして、第1の下地層2の膜厚を第2の下地層3の膜厚より薄くした。 - 特許庁
The tread part 3 is composed of a base layer 27 and a surface layer 29 laminated on the base layer 27.例文帳に追加
トレッド部3は、ベース層27と、このベース層27に積層された表面層29とからなる。 - 特許庁
The medium 10 comprises the base layer 20 and the material layer 50 stuck close to the base layer 20.例文帳に追加
該媒体10はベース層20と、ベース層20に密着させた材料層50とを有する。 - 特許庁
A carrier storing layer 4 is formed between the first base layer 2 and the second base layer 3.例文帳に追加
第1ベース層2と第2ベース層3との間には、キャリア蓄積層4が設けられている。 - 特許庁
The deposition of the copper oxide spacer layer 98 includes the deposition of a primary copper base layer 100, the oxidation of the primary copper base layer, the deposition of a secondary copper base layer 102, and the oxidation of the secondary copper base layer.例文帳に追加
酸化銅スペーサ層98の堆積は、第1の銅下地層100の堆積と、第1の銅下地層の酸化と、第2の銅下地層102の堆積と、第2の銅下地層の酸化を含んでいる。 - 特許庁
The optical element 10 comprises a base layer 4.例文帳に追加
光学素子10は、基材層4を有している。 - 特許庁
Furthermore, the base layer is composed of a first p-type base layer having a uniform acceptor concentration, and a second p-type base layer having a concentration gradient in the depth direction.例文帳に追加
さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第1のp型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第2のp型ベース層から構成した。 - 特許庁
The multilayer base layer includes a first base layer made of copper and containing (100) plane oriented crystal particles having a face-centered cubic lattice structure, a second base layer formed on the first base layer and consisting of copper and nitrogen, and a third base layer formed in an island shape on the second base layer.例文帳に追加
多層下地層は、銅からなり、(100)面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第1の下地層、第1の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第2の下地層、及び第2の下地層上に島状に形成された第3の下地層を含む。 - 特許庁
The buffer layer is disposed on the reserve side of the second base layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.例文帳に追加
バッファ層は、第二のベース層の裏面に設けられ、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁
In the bottom portion of the P-base layer 6, P+-base layer of a high-concentration impurity down protruding portion is not formed.例文帳に追加
Pベース層6の底部には、高不純物濃度の下方突起部であるP^+ベース層が形成されない。 - 特許庁
Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加
これにより、n型低濃度ベース層14およびn型極低濃度ベース層15が形成される。 - 特許庁
The intrinsic base layer 22 is formed on the external base layer 20 and the intrinsic collector region 18a.例文帳に追加
真性ベース層22は、外部ベース層18b上及び真性コレクタ領域18a上に設けられている。 - 特許庁
A base layer 7 is formed on the collector layers, and base electrodes 12 are formed on the base layer.例文帳に追加
コレクタ層上にはベース層7が形成され、ベース層上にはベース電極12が形成されている。 - 特許庁
A die 10 has an alloy layer 14 harder than a base layer 12 provided on the surface of the base layer 12.例文帳に追加
金型10は、母層12の表面にこの母層12より硬質な合金層14を設けている。 - 特許庁
When the non-magnetic base layer is constituted of a first non-magnetic base layer consisting essentially of Ni and Al and a second non-magnetic base layer formed on the first non-magnetic base layer and consisting essentially of Cr, the first non-magnetic base layer contains N.例文帳に追加
非磁性下地層がNi及びAlを主成分とする第1の非磁性下地層と、該第1の非磁性下地層の上に形成され、Crを主成分とする第2の非磁性下地層から構成される場合は、第1の非磁性下地層がNを含有する。 - 特許庁
COMPOSITION FOR RESIST BASE LAYER AND METHOD FOR FORMATION OF PATTERN例文帳に追加
レジスト下層用組成物及びパターン形成方法 - 特許庁
An N-type base layer 31 and a deep N-type base layer 32 are formed on a region immediately below the drain layer 13, and a P-type base layer 33 and a deep P-type base layer 34 are formed on a region immediately below the source layer 12.例文帳に追加
そして、ドレイン層13の直下域にN型ベース層31及びディープN型ベース層32を形成し、ソース層12の直下域にP型ベース層33及びディープP型ベース層34を形成する。 - 特許庁
The film thickness of the second base layer is ≤0.9 nm.例文帳に追加
第2下地層の膜厚は、0.9nm以下である。 - 特許庁
The electromagnetic wave shielding body comprises a first base layer, a carbon felt stacked on the first base layer, a second base layer stacked on the carbon felt, and a shield cloth stacked on a surface of the second base layer.例文帳に追加
第1下地層と、この第1下地層の上方に積層されるカーボンフェルトと、このカーボンフェルトに積層される第2下地層と、この第2下地層の表面に積層されるシールドクロスからなることを特徴とする。 - 特許庁
The external base layer is formed with two layers: a first external base layer 7 made of polycrystal silicon germanium and a second external base layer 8 whose etching rate differs from that of the first layer, the shape of the external base layer is subject to patterning and thereafter the second external base layer 8 is selectively removed by etching.例文帳に追加
外部ベース層を、多結晶シリコンゲルマニウムからなる第1の外部ベース層7と、第1の層とはエッチングレートの異なる第2の外部ベース層8の2層から形成し、外部ベース部分の形状をパターニング後、第2の外部ベース層8をエッチングにより選択的に除去する。 - 特許庁
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