「"Qb and"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For example, a voltage supply circuit VD_BK is provided for what is called an antenna switch having a plurality transistors Qa, Qb, and Qc between an antenna terminal ANT and a plurality of signal terminals Txa, Rxb, and Rxc.例文帳に追加

例えば、アンテナ端子ＡＮＴと複数の信号端子Ｔｘａ，Ｒｘｂ，Ｒｘｃとの間にそれぞれ複数のトランジスタＱａ，Ｑｂ，Ｑｃを備えた所謂アンテナスイッチに対して、電圧供給回路ＶＤ＿ＢＫを設ける。 - 特許庁

Consequently, an antenna voltage Vant which has fallen owing to a leak etc., can be raised, so that the transistors Qb and Qc in off states can be placed in deep off states.例文帳に追加

これによって、リーク等によって低下したアンテナ電圧Ｖａｎｔを上昇させることが可能となり、例えばオフ状態となっているトランジスタＱｂ，Ｑｃを深いオフ状態にすることが可能となる。 - 特許庁

The main control section 50 has a first switch circuit Qa receiving a putout command SG to generate the putout signal PAY, and a second switch circuits Qb and Qc receiving the putout command SG to output the second power supply DC24V.例文帳に追加

主制御部５０に、払出指令ＳＧを受けて払出信号ＰＡＹを生成する第１スイッチ回路Ｑａと、払出指令ＳＧを受けて第２電源ＤＣ２４Ｖを出力する第２スイッチ回路Ｑｂ，Ｑｃと、を設けた。 - 特許庁

Then the temperature drop error Δβ of the temperature drop β is calculated, based on the values qB and q1, and the sum total of the temperature drops is decided by adding an error Δβto the temperature drops α and β.例文帳に追加

これらの値に基づいて前記βに対するウエハの温度低下分の誤差Δβを算出し、これをα及びβに加算して温度低下分の合計値が決定する。 - 特許庁

Consequently, an antenna voltage Vant that has been dropped because of leak or the like can be raised, and, for example, transistors Qb and Qc that are in off state can be dropped to a deep off state.例文帳に追加

これによって、リーク等によって低下したアンテナ電圧Ｖａｎｔを上昇させることが可能となり、例えばオフ状態となっているトランジスタＱｂ，Ｑｃを深いオフ状態にすることが可能となる。 - 特許庁

The series circuit of an output transistor Qb and a semiconductor laser SL is applied with a variable power-source voltage Vcc which is controlled so that a difference between the variable power-source voltage Vcc and the peak hold voltage of the operation voltage of the semiconductor laser SL is almost constant.例文帳に追加

出力トランジスタＱｂ及び半導体レーザＳＬの直列回路に可変電源電圧Ｖccを印加し、その可変電源電圧Ｖcc及び半導体レーザＳＬの動作電圧のピークホールド電圧の差が略一定になるように、可変電源電圧Ｖccを制御する。 - 特許庁

In a manufacturing process of a welded wide flange shape to form the wide flange shape by welding/joining a web material to an upper/ lower pair of flange materials, a flange 31 outer face, where a temperature difference of upper/lower exceeds a threshold value after welding, is cooled unsymmetrically in upper/lower (QT≠QB and/or PT≠PB).例文帳に追加

上下１対のフランジ材にウエブ材を溶接結合してＨ形鋼を形成する溶接Ｈ形鋼の製造過程で、溶接後の上下の温度差が閾値を超えたフランジ31外面を上下非対称（Ｑ_T ≠Ｑ_B および／またはＰ_T ≠Ｐ_B ）に冷却する。 - 特許庁

The gray code counter has four DFFs 11, 12, 13, 14 for holding respective bits Q3, Q2, Q1, Q0 of a gray code, a reference bit creation circuit 30 for creating a reference bit Qb, and a decode circuit for decoding Qb, Q0, Q1.例文帳に追加

グレイコードカウンタは、グレイコードの各ビットＱ３，Ｑ２，Ｑ１，Ｑ０を保持する４つのＤＦＦ１１，１２，１３，１４、参照ビットＱｂを作成するための参照ビット作成回路３０、（Ｑｂ，Ｑ０，Ｑ１）をデコードするデコード回路を備えている。 - 特許庁

Additionally, a place where a via hole B3 connected to the ground of a circuit block 11c is arranged is separated from a ground connection point Qb, and the respective ground wiring patterns 21a-21c are arranged so that distance L in the wiring pattern for connecting the via hole B3 to the ground connection point Qb increases.例文帳に追加

また、回路ブロック１１ｃのグランドに接続されたビアホールＢ３の配置箇所とグランド接続点Ｑｂとを離隔させ、ビアホールＢ３とグランド接続点Ｑｂとを接続する配線パターンの距離Ｌが大きくなるように、各グランド配線パターン２１ａ〜２１ｃを配置する。 - 特許庁

Then, the electric charge when the measurement voltage is Vmax is made the maximum initial electric charge (Qb) and Qn when the measurement voltage is decreased is determined from the electrostatic capacity measured from the set center bias voltage and voltage amplitude using Qb as a reference.例文帳に追加

次に、測定電圧がＶｍａｘのときの電荷を最大初期電荷（Ｑｂ）とし、測定電圧を減少させる場合におけるＱｎをＱｂを基準として、設定した中心バイアス電圧と電圧振幅とから測定される静電容量から求める。 - 特許庁

A reference circuit, connected in parallel with a series circuit consisting of a load L and a power MOSFET QA in this overcurrent detection circuit, consists of a series circuit consisting of a reference resistor means 2b equivalent to the load L and the power MOSFET QB and a reference MOSFET QB.例文帳に追加

負荷Ｌ及びパワーＭＯＳＦＥＴＱＡの直列回路と並列に接続されてた基準回路を、負荷Ｌ及びパワーＭＯＳＦＥＴＱＢに等価な基準抵抗手段２ｂ及び基準ＭＯＳＦＥＴＱＢの直列回路により構成する。 - 特許庁

In a source follower circuit, sources of first and second NMOS transistors Q7 and Q8 are respectively connected to drains of third and fourth NMOS transistors QA and QB, and a constant current source CS2 is connected to both sources of the third and fourth NMOS transistors QA and QB.例文帳に追加

ソースホロワ回路において、第１および第２のＮＭＯＳトランジスタＱ７、Ｑ８のそれぞれのソースに第３および第４のＮＭＯＳトランジスタＱＡ、ＱＢのドレインが接続され、第３および第４のＮＭＯＳトランジスタＱＡ、ＱＢの双方のソースへ定電流源ＣＳ２が接続される。 - 特許庁

The PPCM sync information includes the number of samples per packet (40, 80 or 160 according to sampling frequencies fs), a data rate ('0' in the case of VBR: an identifier showing that the data in the sub-packet are compressed data), the sampling frequency fs, the number of quantization bits Qb and channel allocation information, etc.例文帳に追加

ＰＰＣＭシンク情報は１パケット当たりのサンプル数（サンプリング周波数ｆｓに応じて４０、８０又は１６０）、データレート（ＶＢＲの場合には「０」：サブパケット内のデータが圧縮データであることを示す識別子）、サンプリング周波数ｆｓ及び量子化ビット数Ｑｂ、チャネル割り当て情報などを含む。 - 特許庁

After a temperature drop α from the set temperature of a wafer, caused by the floating state of the wafer from a heating plate and a temperature drop β caused by heat radiation when a bare wafer is used are found, values qB and q1 of heat flows discharged from the bare wafer and wafer are found by means of a heat flow meter.例文帳に追加

予め、ウエハが加熱プレートから浮いていることによるウエハの設定温度に対する温度低下分αと、ベアウエハを用いた場合における熱放射による温度低下分βを求めておき、しかる後熱流計にてベアウエハ及びウエハの夫々から放出される熱流値ｑＢ、ｑ１を求める。 - 特許庁

The PPCM sync information contains the number of samples per one packet (40, 80, or 160 according to sampling frequencies), a data rate ('0' in the case of VBR: being an identifier indicating that data in the sub- packet are compressed data), and the sampling frequencies fs and the number of quantized bits Qb, and channel allocation information.例文帳に追加

ＰＰＣＭシンク情報は１パケット当たりのサンプル数（サンプリング周波数ｆｓに応じて４０、８０又は１６０）、データレート（ＶＢＲの場合には「０」：サブパケット内のデータが圧縮データであることを示す識別子）、サンプリング周波数ｆｓ及び量子化ビット数Ｑｂ、チャネル割り当て情報などを含む。 - 特許庁

The PPCM sync information contains the number of samples (40, 80, or 160, according to sampling frequencies), a data rate ('0' in the case of VBR: being an identifier showing that data in the sub-packet are compressed data), the sampling frequencies fs and the number of quantized bits, Qb, and channel allocation information.例文帳に追加

ＰＰＣＭシンク情報は１パケット当たりのサンプル数（サンプリング周波数ｆｓに応じて４０、８０又は１６０）、データレート（ＶＢＲの場合には「０」：サブパケット内のデータが圧縮データであることを示す識別子）、サンプリング周波数ｆｓ及び量子化ビット数Ｑｂ、チャネル割り当て情報などを含む。 - 特許庁