「"bulk semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁

To provide a bulk semiconductor device which improves in resistance to a cosmic-ray neutron error.例文帳に追加

宇宙線中性子エラー耐性を向上させたバルク半導体デバイスを提供することにある。 - 特許庁

SUBSTRATE AND METHOD (HYBRID CRYSTAL SUBSTRATE WITH SURFACE ORIENTATIONS HAVING ONE OR A PLURALITY OF SOI REGIONS OR BULK SEMICONDUCTOR REGIONS OR HAVING BOTH OF THEM)例文帳に追加

基板、方法（１つまたは複数のＳＯＩ領域またはバルク半導体領域あるいはその両方を有するハイブリッド結晶表面配向基板） - 特許庁

The bulk semiconductor substrate functions as a medium for efficiently radiating heat generated by the (ESD) device, since its thermal conductivity is high.例文帳に追加

バルク半導体基板は、熱伝導率が大きいので、ＥＳＤデバイスが発生させる熱を効率的に放散させる媒体として機能する。 - 特許庁

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure.例文帳に追加

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。 - 特許庁

An apparatus for reducing photodiode thermal gain coefficient includes a bulk semiconductor material having a light-illumination side.例文帳に追加

フォトダイオード熱利得係数を減少させる装置が、光照射面を有するバルク半導体材料を含んでいる。 - 特許庁

The apparatus also includes a dead layer (86) coupled to the light-illumination side of the bulk semiconductor material, the dead layer having a thickness configured to substantially match a predetermined thickness value and wherein an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the minority carrier diffusion length property of the bulk semiconductor material is configured to substantially match an absolute value of a thermal coefficient of gain due to the thickness of the dead layer (86).例文帳に追加

装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with which a memory cell using a thyristor can be obtained without a need of a special process while an inexpensive bulk semiconductor substrate is used.例文帳に追加

安価なバルク半導体基板を用いながらも、特別なプロセスを要さずにサイリスタを用いたメモリセルを得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a good method for forming a semiconductor device on a substrate, e.g. a bulk semiconductor substrate or a semiconductor-on-insulator substrate, and to provide a semiconductor device formed by the method.例文帳に追加

半導体バルク基板や半導体・オン・絶縁体基板のような基板上に半導体デバイスを形成する良好な方法、及びその方法で形成した半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To a technology for manufacturing a bulk semiconductor film of composition having mismatching of a lattice constant with a substrate crystal that it is difficult to manufacture because of a limit of a critical thickness until now.例文帳に追加

本発明は、従来は臨界膜厚の制限を受けて作製が困難であった基板結晶とは大きな格子定数の不整合を有する組成の半導体バルク的薄膜を作製する技術を提供するものである。 - 特許庁

To provide an optical device including an optical waveguide and an optical coupler integrated into a bulk semiconductor substrate on which other circuitry is also integrated, and to provide a method of manufacturing the optical device.例文帳に追加

他の回路が集積されたバルク半導体基板に一体に集積可能な、光導波路及び光カップラを含む光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to correct the variation in the refractive index Δn of the multiple quantum well (MQW) structure body more precisely, the bulk semiconductor layers at the absorbing layers are formed on both sides of the upper and lower faces of the multiple quantum well structure body.例文帳に追加

ＭＱＷ構造体の屈折率変化量Δｎの補正を一層正確に実施するには、上記吸収層において、上記バルク半導体層を、上記多重量子井戸構造体の上面及び下面側の両方に形成する。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

The optical waveguide and a coupler device, and methods of manufacturing them are obtained by: forming a trench in the bulk semiconductor substrate, for example, a bulk silicon substrate; forming a bottom cladding layer in the trench; and forming a core region on the bottom cladding layer.例文帳に追加

本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。 - 特許庁

The bulk semiconductor device has a charge interrupting film 7 formed below storage nodes 1 and 2 for storing data and has a MOSFET in which a channel part 12 between diffusion layers (1, 6) of a source and a drain is electrically connected to a substrate 11.例文帳に追加

本発明のバルク半導体デバイスは、データを保持する蓄積ノード１、２の下方に電荷遮断膜７が形成され、かつ、ソース・ドレインの拡散層間（１、６）との間のチャネル部１２が基板１１と電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴを有する。 - 特許庁

A bulk semiconductor device 12 is formed on a semiconductor substrate 11, a thin film transistor 14 is formed as interposing an inter-element insulating film 13 between itself and the semiconductor device 12, and the semiconductor device 12 is electrically connected to the thin film transistor 14 through a contact hole 15 formed in the inter-element insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上にバルク半導体素子１２が形成され、素子間絶縁膜１３をはさんで薄膜トランジスタ１４が形成され、バルク半導体素子１２は素子間絶縁膜１３に開孔されたコンタクトホール１５を介して薄膜トランジスタ１４と導通している。 - 特許庁