例文 (999件) |
"channel region"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1546件
A channel region (1c) is formed so that the channel region (1c) extends along the surface (13s).例文帳に追加
チャネル領域(1c)は、該チャネル領域(1c)が表面(13s)に沿って延びるように形成されている。 - 特許庁
The first channel region 2 and second channel region 3 are separated by the trench 11.例文帳に追加
第1のチャネル領域2および第2のチャネル領域3はトレンチ11により分離されている。 - 特許庁
The first channel region and the second channel region are arranged in series in a current pathway.例文帳に追加
第1チャネル領域と第2チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 - 特許庁
The first channel region and second channel region are disposed in series in a current path.例文帳に追加
第1チャネル領域と第2チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 - 特許庁
A source/drain region 7 sandwiches a channel region.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域7はチャネル領域を挟む。 - 特許庁
The channel region 5 comprises an n-type first channel region 5a on the side of the source region 3, a third channel region 5c on the side of the drain region 4, and a second channel region 5b between the first and third channel regions 5a and 5c.例文帳に追加
チャネル領域5は、ソース領域3側のn型の第1チャネル領域5aと、ドレイン領域4側の第3チャネル領域5cと、第1及び第3チャネル領域5a,5c間の第2チャネル領域5bとを有する。 - 特許庁
At the boundary between the n channel region 9N and the p channel region 9P, an inspection element group 20 as an aggregate of inspection elements for measuring partial resistance of the n channel region 9N or the p channel region 9P is provided such that it is located at least on both sides of the boundary line 10 of the n channel region 9N and the p channel region 9P.例文帳に追加
Nチャネル領域9NとPチャネル領域9Pとの境界部に、Nチャネル領域9N又はPチャネル領域9Pの部分的な抵抗を測定するための検査要素の集合体である検査要素グループ20が、少なくともNチャネル領域9NとPチャネル領域9Pとの境界線10の両側に位置するようにして設けられている。 - 特許庁
A semiconductor substrate 20 of the semiconductor device 10 has a channel region 10A and a non-channel region 10B.例文帳に追加
半導体装置10の半導体基板20は、チャネル区域10Aと非チャネル区域10Bを有している。 - 特許庁
The semiconductor layer has a channel region (5 and 6) and source/drain regions 3 formed in a region outside the channel region (5 and 6).例文帳に追加
その半導体層は、チャネル領域5,6と、チャネル領域5,6の外側の領域に形成されるソース/ドレイン領域3とを備えている。 - 特許庁
A gate electrode 4 is provided which is insulated from a channel region with the gate dielectric 8 and formed on the channel region.例文帳に追加
ゲート誘電体8によってチャネル領域部から絶縁されて、上記チャネル領域部上に形成されたゲート電極4を設ける。 - 特許庁
A channel region is formed over the first layer, and a second source/drain region 235 is formed over the channel region.例文帳に追加
チャネル領域は、第1の層上に形成され、第2のソース/ドレイン領域235はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁
A channel region of the transistor is formed on a first layer, and a corresponding second source/drain region is formed on the channel region.例文帳に追加
トランジスタのチャネル領域は、第1の層上に形成され、付随した第2のソース/ドレイン領域はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁
A channel region 11 and source and drain regions 141, 142 separate from the channel region 11 are formed on a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板にチャネル領域11及びチャネル領域11を隔てたソース・ドレイン領域141,142が形成されている。 - 特許庁
A channel region is formed on the first layer 100 and second source/drain regions 152 is formed on the channel region 160.例文帳に追加
チャネル領域は第1の層100の上に形成され、第2のソース/ドレイン領域152はチャネル領域160の上に形成される。 - 特許庁
A channel region is formed in the surface layer of an N-type silicon substrate 1, and a source area is formed in the surface layer of the channel region.例文帳に追加
N型シリコン基板1の表層部にチャネル領域が形成されるとともに、チャネル領域の表層部にソース領域が形成されている。 - 特許庁
A channel region is made under a gate electrode 1, and a pair of source/drain regions 2 are made with a channel region inbetween.例文帳に追加
ゲート電極1の下方にはチャネル領域が形成されており、チャネル領域を挟んで一対のソース・ドレイン領域2が形成されている。 - 特許庁
The FET has a lengthwise direction in the direction of the length of the channel region and a transverse direction in the direction of the width of the channel region.例文帳に追加
このFETは、チャネル領域の長さ方向の長手方向と、該チャネル領域の幅方向の横断方向とを有する。 - 特許庁
The surface area of the first channel region 2 is made larger than the surface area of the second channel region 3.例文帳に追加
第1のチャネル領域2の表面積は、第2のチャネル領域3の表面積よりも広く形成されている。 - 特許庁
The charge storage region 250 is disposed straddling a part of a channel region 273 and a part of diffusion regions 212 and 213 arranged at both sides of the channel region.例文帳に追加
電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。 - 特許庁
To provide a new method of giving a strain to a channel region by applying a stress to the channel region.例文帳に追加
チャネル領域に応力を印加して、チャネル領域に歪みを与えるための新たな手法を提供する。 - 特許庁
The carrier shielding layer 52 is arranged in the non-channel region 10B and opens at least one part of the channel region 10A.例文帳に追加
キャリア遮蔽層52は、非チャネル区域10Bに配置されており、少なくともチャネル区域10Aの一部において開口している。 - 特許庁
A thickness of this channel region is 5 nm or less, and the width of the channel region is 0.3 μm or less.例文帳に追加
このチャネル領域の厚さが5nm以下であり、かつチャネル領域の幅が0.3μm以下である。 - 特許庁
The FET has a longitudinal direction in the lengthwise direction of the channel region, and a transverse direction in the widthwise direction of the channel region.例文帳に追加
このFETは、チャネル領域の長さの方向である縦方向と、チャネル領域の幅の方向である横方向とを有する。 - 特許庁
The height of the surface 1a of the channel region 120 is higher than the surface 1b of the channel region 220.例文帳に追加
チャネル領域120の表面1aの高さはチャネル領域220の表面1bの高さよりも高い。 - 特許庁
One side of the square channel region of a cell structure is linked with one side of an adjacent channel region.例文帳に追加
セル構造の方形のチャネル領域一辺と隣接するチャネル領域の一辺とが連結するように配置する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ACTIVE CHANNEL REGION UTILIZING IMPROVED DROP CAST PRINT, AND DEVICE PROVIDED WITH THE SAME ACTIVE CHANNEL REGION例文帳に追加
改善されたドロップ・キャストプリントを利用したアクティブチャネル領域製造方法及びそのアクティブチャネル領域を備えた装置 - 特許庁
A gate insulation film 7a is formed on the channel region 6a.例文帳に追加
ゲート絶縁膜7aはチャネル領域6a上に形成される。 - 特許庁
A channel region 2a is formed immediately under the gate electrode body 4.例文帳に追加
ゲート電極本体部4の直下にチャネル領域2aが形成される。 - 特許庁
A channel region 1a' of a semiconductor layer 1a has an extended part 201.例文帳に追加
半導体層1aのチャネル領域1a’は、延在部201を有する。 - 特許庁
The barrier region 22 forms a heterojunction with a surface of the first channel region.例文帳に追加
バリア領域22は、第1チャネル領域の表面とヘテロ接合している。 - 特許庁
The channel region 10 is formed on a surface layer of a semiconductor substrate.例文帳に追加
チャネル領域10は、半導体基板の表層に形成される。 - 特許庁
The gate insulating film 7 is formed on the n-channel region.例文帳に追加
ゲート絶縁膜7はnチャネル領域上に形成されている。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED CHANNEL REGION例文帳に追加
リセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法 - 特許庁
A gate insulating film 7 is formed on the channel region.例文帳に追加
チャネル領域の上にゲート絶縁膜7が形成されている。 - 特許庁
The first channel region (11a) includes a first floating gate side channel region (13a) and a first control gate side channel region (12a), and the first control gate side channel region (12a) includes a high concentration pocket region (10) having high impurity concentration.例文帳に追加
ここにおいて、第1チャネル領域(11a)は、第1フローティングゲート側チャネル領域(13a)と、第1コントロールゲート側チャネル領域(12a)とを備え、第1コントロールゲート側チャネル領域(12a)は不純物濃度が濃い高濃度ポケット領域(10)を備える。 - 特許庁
To prevent spin diffusion or relaxation in a channel region.例文帳に追加
チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。 - 特許庁
Carbon is injected into the channel region 10 or the halo region 17.例文帳に追加
チャネル領域10又はハロー領域16に炭素が注入される。 - 特許庁
The channel region (1a') of the TFT is arranged in the intersection region.例文帳に追加
TFTのチャネル領域(1a’)は、交差領域内に配置されている。 - 特許庁
A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加
N型チャネル領域203上にP型ゲート領域103がある。 - 特許庁
An n-type channel region 5 is provided under the gate region 2.例文帳に追加
n型のチャネル領域5が、ゲート領域2の下部に設けられる。 - 特許庁
A source region 212 is formed while being adjoined to the control channel region 208, an LDD region 216 is inserted between the auxiliary channel region 210 and a drain region 218 and an internal drain region 214 is inserted between the control channel region 208 and the auxiliary channel region 210.例文帳に追加
ソース領域212を制御チャネル領域208に近接して形成し、LDD領域216は、補助チャネル領域210とドレイン領域218との間に挿入され、内部ドレイン領域214は、制御チャネル領域208と補助チャネル領域210との間に挿入される。 - 特許庁
In the second place, an undoped diamond layer 5 is formed in a channel region.例文帳に追加
次に、チェネル領域にアンドープダイヤモンド層5を形成する。 - 特許庁
The modulus provides enhanced stress within the channel region.例文帳に追加
このモジュラスは、チャネル領域内に向上した応力をもたらす。 - 特許庁
In this manner, the channel region of a transistor is formed by an MgZnO layer.例文帳に追加
このように、トランジスタのチャネル領域をMgZnO層で形成する。 - 特許庁
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