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"memory array"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 808件
More specifically, the synchronous DRAM includes: a memory array containing at least first and second column blocks being divided by a column address; the first bit line sense amplifier being composed so that data outputted from the first column block of the memory cell array are sensed; and a second bit line sense amplifier being composed so that data outputted from the second column block are sensed.例文帳に追加
より具体的に、同期式ＤＲＡＭはカラムアドレスにより分けられる少なくとも第１カラムブロックと第２カラムブロックとを含むメモリセルアレイ、メモリセルアレイの第１カラムブロックから出力されるデータをセンシングするように構成された第１ビットラインセンスアンプ及びメモリセルアレイの第２カラムブロックから出力されるデータをセンシングするように構成される第２ビットラインセンスアンプを含む。 - 特許庁
By a control circuit 2000, after receiving the flag signal by the control circuit, a memory device begins to output data associated with a previously received command onto at least one data signal line from a memory array in the predetermined number of read clock cycles, and the aforementioned number of read clock cycles is preliminarily determined according to a feature of signal propagation in order to equalize it to the read latency of the memory device.例文帳に追加
制御回路２０００は、制御回路が前記フラグ信号を受け取ってから所定数の読出しクロックサイクル後に、前に受け入れたコマンドに関連するデータをメモリデバイスがメモリアレイから少なくとも１つのデータ信号線上に出力開始し、メモリデバイスの読み出し待ち時間と等しくするために、前記読み出しクロックサイクルの数は信号伝播の特徴にしたがって予め定められる。 - 特許庁
The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加
本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁
The apparatus for the memory device including a memory array and a redundancy memory includes: a programmable redundancy decoder determining a drive force corresponding to a selection signal; and a delay difference generating unit for generating a delay difference signal corresponding to a delay difference between first and second word line signals output from the redundancy memory.例文帳に追加
メモリアレイ及び剰余メモリを有するメモリ素子のテスト装置において、選択信号に相応して駆動力を決定し、決定された駆動力を前記剰余メモリのワードラインに出力するプログラマブル剰余デコーダと、前記剰余メモリから出力される第１ワードライン信号と第２ワードライン信号との間の遅延差に相応する遅延差信号を発生する遅延差発生部とを備えてメモリ素子のテスト装置を構成する。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes a plurality of input/output ports different from one another, a memory array divided into a plurality of memory regions different from one another, and a selection control section that variably controls access paths between the memory regions and the input/output ports such that each of the memory regions is accessed through at least one of the input/output ports.例文帳に追加
半導体メモリ装置において、互いに異なった複数個の入出力ポートと、互いに異なった複数個のメモリ領域に分割されたメモリアレイと、前記メモリ領域のそれぞれが前記入出力ポートのうち少なくとも１つ以上の入出力ポートを通じてそれぞれアクセスされるように前記メモリ領域と前記入出力ポートの間のアクセス経路を可変的に制御する選択制御部と、を備える。 - 特許庁
A semiconductor memory provided with an access sequencer for simultaneously accessing a plurality of memory cells in the direction of data lines 111 to 114 and the direction of word lines 101 to 104 at the time of a write access to the memory array 100 of the above constitution and a test decoder 300 which is a control signal generation circuit improves write access processing efficiency and shortens test access time by using the test decoder 300.例文帳に追加
前記構成のメモリアレイ１００に対して、書込みアクセスにおいてデータ線１１１，１１２，１１３，１１４方向、及びワード線１０１，１０２，１０３，１０４方向に複数のメモリセルを同時にアクセスするアクセスシーケンサ、及び制御信号生成回路としてのテストデコーダ３００を設け、前記テストデコーダ３００を用いて、書込みアクセス処理効率の向上を図り、テストアクセス時間を削減する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device is provided with the memory array structure.例文帳に追加
縞状に配置された、直線形状を有するドレイン拡散層およびソース拡散層１０，１２と、縞状に配置された、直線形状を有する素子分離領域１４と、拡散層１０，１２、素子分離領域１４に直交し、縞状に配置された、直線形状を有する制御ゲート１８と、制御ゲート１８と平行に、かつ、縞状に配置された、直線形状を有するソース配線用金属配線層２０ａと、ドレイン拡散層１０それぞれと接続する、孤立する島形状を有するドレイン接続用金属配線層２０ｂとから成るメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体メモリである。 - 特許庁
A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加
第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁
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