「"memory array"」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In a semiconductor memory device in which write-in and read- out of data are performed for a memory array in accordance with address information, the device is provided with an address converting circuit 23 generating new address information by performing some change for one part or all of the address information in accordance with a control signal for test.例文帳に追加

アドレス情報に応じてメモリアレイに対してデータの書き込み及び読み出しが行われる半導体集積回路において、テスト用制御信号に応じて、アドレス情報の一部又は全てに一定の変更を施して新たなアドレス情報を生成するアドレス変換回路２３を設ける。 - 特許庁

A correction value operation unit 36 registers the difference as a correction value in a memory array 37 associatively with the rotational frequency before the variation and identification information for identifying an air capacity calculation module among 10-1 to 10-N which outputs an air capacity value that the rotational frequency operation unit 21 uses to calculate the rotational frequency.例文帳に追加

補正値演算部３６は、変化前の回転数と、回転数演算部２１が回転数の算出に用いた風量値を出力した風量算出モジュール１０−１〜１０−Ｎを識別する識別情報とに対応付けて、前記差分を補正値としてメモリアレイ３７に登録する。 - 特許庁

A semiconductor memory is provided with at least one memory array comprising many word lines sharing a bit line sense amplifier section, and a test circuit 14 activating simultaneously at least two word lines out of many word lines sharing the bit line sense amplifier section.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、ビットラインセンスアンプ部を共有する多数のワードラインを含む少なくとも１つのメモリアレーと、テストモードにおいて、前記ビットラインセンスアンプ部を共有する多数本のワードラインのうち少なくとも２本のワードラインを同時に活性化させるテスト回路１４を具備する。 - 特許庁

A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加

メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁

Supply of word line voltage being boosting voltage being higher than external power source voltage, memory array substrate voltage being negative voltage supplied to a semiconductor substrate, and bit line pre-charge voltage used for reproducing data held in a memory cell are stopped for the prescribed period.例文帳に追加

リフレッシュ動作の終了毎に、外部電源電圧よりも高い昇圧電圧であるワード線電圧、半導体基板に供給する負電圧であるメモリアレイ基板電圧、及びメモリセルに保持されたデータを再生するために用いられるビット線プリチャージ電圧の供給を所定の期間だけ停止する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein a replica bit line is rapidly drawn out by a leak current of a dummy cell, and wherein desired start timing of a sense amplifier cannot be obtained, in a semiconductor storage device having a memory array, a sense amplifier circuit, a replica circuit connected to the replica bit line, the dummy cell, and a sense amplifier control circuit.例文帳に追加

メモリアレイと、センスアンプ回路と、レプリカビット線に接続されたレプリカ回路、ダミーセルおよびセンスアンプ制御回路とを有する半導体記憶装置であって、レプリカビット線をダミーセルのリーク電流により速く引き抜いてしまい、所望のセンスアンプ起動タイミングが得られない。 - 特許庁

To solve the problem that word line and data line ends are short-circuited or broken at boundary parts between a memory array and a sub-word driver or a sense amplifier due to interference of diffracted light generated at a pattern end part when a fine word line and a data line having a line width less than a wavelength are patterned in a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決する。 - 特許庁

A capacitor (Cs) or a resistor (Rs) is connected intentionally to either of a pair of input/output node of a sense amplifier circuit amplifying potentials of bit lines (BL, /BL) being a pair in a memory array, and time constant of the pair of input/output node of the sense amplifier circuit is made unbalance.例文帳に追加

メモリアレイ内の互いに対をなすビット線（ＢＬ，／ＢＬ）の電位を増幅するセンスアンプ回路（ＳＡ）の一対の入出力ノードのいずれか一方に、意図的に容量（Ｃｓ）もしくは抵抗（Ｒｓ）を接続して、センスアンプ回路の一対の入出力ノードの時定数をアンバランスにさせるようにした。 - 特許庁

To disclose a technology for accurately testing the characteristics of a memory array by rechanging reference voltage and timing to be adjusted for a test of memory cells in particular in a software manner without requiring a different process regarding a test mode controller that utilizes a nonvolatile ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体メモリを利用したテストモード制御装置に関し、特にメモリセルのテストのため調整されるレファレンス電圧及びタイミングを別途のプロセスなくソフトウェア的に再変更し、メモリセルアレイの特性を正確にテストするようにする技術を開示する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

A memory array is provided with nonvolatile memory cells (M11-M22) being one set of a first transistor part of a MOS type having an electric charges holding layer and a memory gate and used for storing information and a second transistor part of a MOS type having a control gate and connecting selectively the first transistor part to a bit line.例文帳に追加

メモリアレイは、電荷保持層とメモリゲートを有し情報記憶に用いるＭＯＳ型の第１トランジスタ部と、コントロールゲートを有し第１トランジスタ部を選択的にビット線に接続するＭＯＳ型の第２トランジスタ部とを一組とする不揮発性のメモリセル（Ｍ１１〜Ｍ２２）を備える。 - 特許庁

A memory array layer used for 3D RRAM is formed with peripheral circuit on a silicon substrate, and formed by depositing: silicon oxide layer; lower electrode material; silicon oxide; resistor material; silicon oxide; silicon nitride; silicon oxide; upper electrode material; and covering oxide.例文帳に追加

３Ｄ ＲＲＡＭで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、形成される。 - 特許庁

A subtractor 6 calculates the number of data which are stored at present in a memory array 11, and when a comparator 7 determines that the number of data exceeds a threshold set so as to be a larger value when the transfer speed of input data is lower, a read request signal OUTREQ (H level) is outputted.例文帳に追加

減算器６でメモリアレイ１１に現在格納されているデータ数を算出し、そのデータ数が、入力データの転送速度が低いほど大きい値に設定されたしきい値を超えたことをコンパレータ７により判定したときに、読出要求信号ＯＵＴＲＥＱ（Ｈレベル）を出力する。 - 特許庁

While a read-out command for designating a band BK0 is inputted externally and read-out operation is being performed to a data buffer 13a from a memory array 10a in the bank BK0, a read-out command for designating a bank BK1 can be inputted externally.例文帳に追加

バンクＢＫ０を指定した読み出しコマンドが外部から入力され、バンクＢＫ０においてメモリアレイ１０ａからデータバッファ１３ａへの読み出し動作を行っている間に、バンクＢＫ１を指定した読み出しコマンドを外部から入力することが可能であるものである。 - 特許庁

In response to a specific signal PRE supplied from the outside when a power source is applied, the control circuit 120 executes the automatic reading operation of data from the specific address (0-order address) of the nonvolatile memory array so that the automatic reading data from this specific address are output to the outside.例文帳に追加

電源投入時に外部から供給される特定信号ＰＲＥに応答して、制御回路１２０は不揮発性メモリアレイの特定のアドレス(アドレス０番地)からデータの自動読み出しの動作を実行して、この特定のアドレスからの自動読み出しデータを外部へ出力するようにした。 - 特許庁

A write-protect control circuit stores a starting block address and an ending block address in the write region of the non-volatile memory array and selectively activates the write enable signal, in accordance with whether an external address has escaped from the write address region between the starting and ending block addresses.例文帳に追加

書き込み防止制御回路は、不揮発性メモリアレイの書き込み領域の始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスを貯蔵し、外部アドレスが始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスとの間の書き込みアドレス領域を脱したか否かに従って、書き込みイネーブル信号を選択的に活性化させる。 - 特許庁

To obtain an NROM type memory array of such a structure as adjacent memory units MU share a diffusion bit line interposed between in which generation of a through current path is blocked at the time of reading or writing data simultaneously from or into two memory transistor cells.例文帳に追加

隣接するメモリユニットＭＵがその間にある拡散ビット線を共有する構成であるＮＲＯＭ型メモリアレイにおいて、２個のメモリトランジスタセルを同時に読み出すあるいは書込む場合に貫通電流パスが生じるため本発明は、かかる貫通電流パスの生成を阻止するＮＲＯＭ型メモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

By constituting the memory with at least two groups of fuse sets 11, 12 sharing one master fuse 13, any restriction is not imposed on a relieving region of a memory array for one fuse set 12 even when on redundancy element is used for replacement using the other fuse set 11.例文帳に追加

少なくとも２組のフューズセット１１，１２に対して１個のマスターフューズ１３を共有させて構成することで、前記一方のフューズセット１１を用いて一つのリダンダンシーエレメントを置き換えに用いる際にも、他方のフューズセット１２に対するメモリアレイの救済領域に何らの制限も受けないように構成される。 - 特許庁

Further, a switch 16 is inserted between the memory array 12 and a power source circuit 22, at the time of write-in, power source voltage is supplied to the memory arrays 12, 21 from the power source circuits 13, 22 respectively, at the time of read-out, power source voltage is supplied to the memory arrays 12, 21 from the power source circuit 22.例文帳に追加

さらに、メモリアレイ１２と電源回路２２との間にスイッチ１６を挿入し、書き込み時には、メモリアレイ１２、２１がそれぞれ電源回路１３、２２から電源電圧の供給を受け、読出し時には、メモリアレイ１２、１３共に、電源回路２２から電源電圧の供給を受けるよう構成する。 - 特許庁

The local write driver circuit for an integrated circuit device memory array requires only one write enable signal for coupling complementary data signals between a global write data line and a local write data line, the circuit does is not required to supply the complementary write enable signal as conventional embodiment.例文帳に追加

集積回路装置メモリアレイのためのローカル書込ドライバ回路は、グローバル書込データ線とローカル書込データ線との間に相補なデータ信号を結合するために書込イネーブル信号を１つしか必要としないことにより、従来の実現例に見られるような相補な書込イネーブル信号を供給する必要を回避する。 - 特許庁

A memory array part as a DRAM or an SRAM is provided in the package of a memory IC chip as a semiconductor memory device, and in addition to this, a plurality of interface modules corresponding to various memory types such as an SDR, a DDR, a DDR2...a DDR(n), the SRAM, a DPRAM, a FIFO are also provided.例文帳に追加

半導体メモリ装置としてのメモリＩＣチップのパッケージ内に、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭとしてのメモリアレイ部が設けられていることに加え、例えばＳＤＲ、ＤＤＲ、ＤＤＲ２・・・ＤＤＲ（ｎ）、ＳＲＡＭ、ＤＰＲＡＭ、ＦＩＦＯ等の各種のメモリタイプに応じた複数のインターフェースモジュールも設けられているようにする。 - 特許庁

A method of fabricating a multi-level memory device comprises forming peripheral circuitry 120 on a substrate 105; covering the peripheral circuitry 120 and the substrate 105 with an interlayer dielectric layer 145; and forming a stack 110 of more than one level of memory array on the interlayer dielectric layer 145.例文帳に追加

マルチレベルメモリデバイスを製造する方法であって、基板１０５上に周辺回路１２０を形成することと、周辺回路１２０および基板１０５を層間誘電層１４５で覆うことと、層間誘電層１４５上に１レベル以上のメモリアレイのスタック１１０を形成することと、を含む製造方法。 - 特許庁

To provide a photonic crystal optical bit memory which captures serial data into resonators one bit-by-one bit, converts the serial data into parallel data without using wavelength conversion, and reads the data captured into the resonators as a pulse train, and to provide a photonic crystal optical bit memory array.例文帳に追加

本発明の目的は、波長変換を介さず、シリアルデータを１ビット毎に共振器に取り込み、シリアルデータをパラレルデータに変換し、共振器に取り込まれたデータをパルス列として読み出すことも可能にするフォトニック結晶光ビットメモリおよびフォトニック結晶光ビットメモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

The local write-in driver circuit for an integrated circuit device memory array requires only one write-in enable-signal for coupling complementary data signals between a global write-in data line and a local write-in data line, the circuit does not require to supply the complementary write-in enable- signal as conventional embodiment.例文帳に追加

集積回路装置メモリアレイのためのローカル書込ドライバ回路は、グローバル書込データ線とローカル書込データ線との間に相補なデータ信号を結合するために書込イネーブル信号を１つしか必要としないことにより、従来の実現例に見られるような相補な書込イネーブル信号を供給する必要を回避する。 - 特許庁

Further, the device has a peripheral circuit region 120, and is provided with a main memory ground line decoder connected electrically to ground lines of respective memory array regions 150, an addition memory ground line decoder, and signal transmission lines 136, 138 of at least two or more lines of which both ends are connected electrically to respective decoders.例文帳に追加

更に周辺回路領域１２０を有し、それぞれのメモリアレイ領域１５０の接地線に電気的に接続するメインメモリ接地線デコーダと、付加メモリ接地線デコーダと、それぞれのデコーダに両端が電気的に接続する少なくとも２本以上の信号伝送線１３６，１３８とを備える。 - 特許庁

When it is activated, its word line is driven to logic '1', and memory cells of the prescribed numbers can be accessed through an access transistor in a DRAM memory array 12.例文帳に追加

本発明技術によれば、アドレス信号をデコード回路へ印加して夫々のワード線のうちの対応する１つを活性化させ、次いで夫々のワード線の対応する１つをモニタして夫々のワード線の対応する１つが活性化されたか否かを決定し、それによりメモリアレイ及び関連回路が適切に動作しているか否かを決定する。 - 特許庁

A switch element (51) comprising single channel type MOS transistors are provided at the halfway of a path in which high voltage (EXWL) supplied to a memory array (10) from an external terminal when a test is transmitted, it is not necessary that supply voltage is reset without omission during a test by turning off the switch element (51) at switching a word line.例文帳に追加

テスト時に外部端子からメモリアレイ（１０）に供給される高電圧（ＥＸＷＬ）を伝達する経路の途中に単一チャネル型のＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子（５１）を設け、ワード線切換え時に該スイッチ素子をオフさせることでテスト中にいちいち供給電圧をリセットする必要をなくした。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern that can solve problems of short-circuit or breaking of word lines and data line ends caused by interference of diffracted light produced at a pattern end on a boundary part between a memory array and a sub-word driver or sense amplifier when fine word lines and data lines having linewidth smaller than a wavelength are patterned on a memory.例文帳に追加

メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決するパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 20 stores a data unit input finally among a plurality of data units constituting one reception unit in a memory cell with a first address in a memory array 2, and stores a data unit input previous to the data unit finally input in another memory cell with a second address different from the first address.例文帳に追加

制御部２０は、１受信単位を構成する複数のデータユニットのうち、最後に入力されたデータユニットをメモリアレイ２内の第１のアドレスのメモリセルに格納し、最後に入力されたデータユニットに先行して入力されたデータユニットをメモリアレイ内の、第１のアドレスとは別の第２のアドレスのメモリセルに格納する。 - 特許庁

The changing step includes determining a history read reference level for correct reading of at least one history cell, selecting a memory read reference level according to a first read reference level and reading of a nonvolatile memory array cell associated with at least one history cell using the memory read reference level.例文帳に追加

変更ステップは、少なくとも１つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第１読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも１つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

In the semiconductor memory device which reserves the repair information while avoiding the memory cell of a defective bit and the driving method thereof, the semiconductor memory device comprises a memory array where a partial area is assigned to a repair information area and a data input/output part driven so as to read an information packet to be cooperated by a cooperated bit address of an information packet to be read.例文帳に追加

欠陥ビットのメモリセルを避けてリペアー情報を保存する半導体メモリ装置及びその駆動方法であって、この半導体メモリ装置は、一部領域がリペアー情報領域に割り当てられるメモリアレイと、読み出される情報パケットの連携ビットアドレスによって、連携される情報パケットを読み出すように駆動されるデータ入出力部とを含む。 - 特許庁

In this refresh control method of a graphics memory provided with a memory cell array 50 which is separated into a frame buffer area 40 performing a screen refresh operation and a DRAM refresh data storage area 42 performing a DRAM refresh operation, the memory array of the DRAM refresh data storage area 42 other than the frame buffer area 40 is refreshed in accordance with a DRAM refresh control signal REF.例文帳に追加

スクリーンリフレッシュ動作を行うフレームバッファ領域４０とDRAMリフレッシュ動作を行うDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２に分離されたメモリセルアレイ５０を具備したグラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法であって、DRAMリフレッシュ制御信号ＲＥＦに応じてフレームバッファ領域４０を除いたDRAMリフレッシュデータ貯蔵領域４２のメモリセルアレイをリフレッシュする。 - 特許庁

A delay control part 210 and a delay control part 220 which transmit control signals ZRDHO, ZRDLO for making data output from a data output circuit 240 at different time in response to the order of data to be outputted when performing the burst readout of the data of a memory array 100, are provided in an IO buffer 150.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００のデータをバースト読出しする際、データ出力回路２４０からデータを出力させるための制御信号ＺＲＤＨ０および制御信号ＺＲＤＬ０を、出力されるデータの順番に応じて、異なる伝播時間で伝達する遅延制御部２１０と遅延制御部２２０とを入出力バッファ１５０内に設ける。 - 特許庁

By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.例文帳に追加

メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁

A NAND memory array includes: a first select transistor connected with a first select line; a second select transistor connected with a second select line; memory cells or the like each connected with its own word line or the like, which are connected in series between the first select transistor and the second select transistor; and a strapping line connected electrically with the first select line.例文帳に追加

ＮＡＮＤメモリーアレイは、第１選択ラインに連結された第１選択トランジスターと、第２選択ラインに連結された第２選択トランジスターと、ワードライン等に各々連結され、第１及び第２選択トランジスターの間に直列に連結されたメモリーセル等と、そして、第１選択ラインに電気的に連結されたストラッピングラインを含む。 - 特許庁

Generation of a through current path can be blocked at the time of reading or writing data by dividing an NROM type memory array for each memory block and providing a part for isolating each memory block electrically in the boundary region thereof thereby limiting the number of data being read out or written in simultaneously to only one.例文帳に追加

ＮＲＯＭ型メモリアレイをメモリブロック毎に分割し、各メモリブロックの境界領域に電気的に各メモリブロックを絶縁するための分離部を設けることにより、同時に読み出すあるいは書込むデータ数を各メモリブロック内では１つに限れば、データ読出あるいは書込みした場合に貫通電流パスの生成を阻止することができる。 - 特許庁

N-channel type memory cell selecting MISFETs, having gate electrodes 9A (word lines WL) using a p^+ poly-SiGe film 9p are formed in a memory array, and n-channel MISFETs, having gate electrodes 9B using an n^+ poly-SiGe film 9n and p-channel MISFETs, having gate electrodes 9C using the p^+ poly-SiGe film 9p, are formed.例文帳に追加

ｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ａ（ワード線ＷＬ）に用いたｎチャネル型のメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴをメモリアレイに形成し、ｎ^^+ポリＳｉＧｅ膜９ｎをゲート電極９Ｂに用いたｎチャネルＭＩＳＦＥＴおよびｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ｃに用いたｐチャネルＭＩＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The changing step includes: a step for determining a history read reference level of a group of history cells associated with a group of memory cells of a nonvolatile memory cell array; a step for allowing correct reading of the group of history cells; a step for selecting a memory read reference level according to the first read reference level, and a step for reading the nonvolatile memory array cells.例文帳に追加

変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第１の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

In a test mode, a data transmission period can be set shorter than that at the time of normal data read-out operation and a test time of read-out data in a test mode can be shortened by controlling each of latch circuits of N pieces of an output circuit by a latency setting circuit to be operable, and outputting read-out data from a memory array.例文帳に追加

テストモードにおいて、出力回路のＮ個のラッチ回路の各々をレイテンシ設定回路で制御して動作状態とし、メモリアレイから読出データを出力することによりデータ伝達期間を通常のデータ読出動作時よりも短く設定することができ、テストモードにおける読出データのテスト時間を短縮することができる。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory array structure, in which a plurality of word lines for selecting the prescribed memory cell and a plurality of bit lines are arranged in an intersectional state, and the memory is provided with two memory cells (e.g. MC1, MC2) constituting one bit and a sense amplifier connected electrically to each of the memory cells via bit lines.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、所定のメモリセルを選択するための複数本のワード線と複数本のビット線とが交差して配列されたメモリアレイ構造を有し、１ビットを構成する２つのメモリセル（たとえばＭＣ１、ＭＣ２）と、それらのメモリセルの各々にビット線を介して電気的に接続されたセンスアンプとを備えている。 - 特許庁

The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加

メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ（ＴＲ６）から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a control circuit C2 controlling an output of an on-chip compare signal OCC indicating pass/fail of data read from a memory array based on a scan signal SCAN and provided with a logic part, the prescribed terminal PAD out of a plurality of terminals for power source potentials provided in the semiconductor memory device is used for burn-in test.例文帳に追加

バーンイン試験の際に、スキャン信号ＳＣＡＮに基づいて、メモリアレイから読み出したデータのパス／フェールを表すオンチップコンペア信号ＯＣＣの出力を制御する制御回路Ｃ２を有するロジック部を備えた半導体記憶装置において、半導体記憶装置に設けられた複数ある電源電位用端子のうち所定の端子ＰＡＤをバーンイン試験用として使用する。 - 特許庁

The liquid container comprises the antenna 102, a memory array 103B which holds individual information of the ink tank such as ink color information or the like, a light emitting part 101 such as an LED or the like, and a control circuit 103A as a control unit which controls lighting and extinction of the light of the light emitting part 101 according to the individual information.例文帳に追加

液体収納容器は、アンテナ１０２と、インクの色情報等インクタンクの個体情報を保持するメモリーアレイ１０３Ｂと、ＬＥＤ等の発光部１０１と、前記個体情報に応じて前記発光部１０１の点灯・消灯を制御する制御部である制御回路１０３Ａとを備えることによりインクタンクが正しい位置に装着されたか否かの検知が可能となる。 - 特許庁

This device includes a memory array, a decoder circuit for asserting a decoding signal for selecting an access position in the memory cell array in response to an address signal supplied from the outside, and a circuit for setting the decoding signal of the decoder circuit in an asserted state irrespective of the value of the address signal in response to the assertion of a standby signal supplied from the outside.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、外部から供給されるアドレス信号に応答して、該メモリセルアレイ内のアクセス位置を選択するデコード信号をアサートするデコーダ回路と、外部から供給されるスタンバイ信号のアサートに応答して、該デコーダ回路の該デコード信号を該アドレス信号の値に関わらずにアサート状態にする回路を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This circuit is provided with an internal circuit comprising a memory array which can supply and stop operation voltage selectively through a switch means, when supply and stop of operation voltage by the switch means are controlled by an input circuit receiving the prescribed control signal and memory operation is not performed, super power consumption can be realized by reducing a DC current and a leak current.例文帳に追加

スイッチ手段を介して選択的に動作電圧の供給と停止が可能とされメモリアレイを含んだ内部回路を備え、所定の制御信号を受ける入力回路により上記スイッチ手段による動作電圧の供給と停止を制御してメモリ動作を行わないときに直流電流及びリーク電流の削減によって低消費電力化を実現できる。 - 特許庁