| 例文 |
"memory array"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 808件
To provide not bulky and low power consumption circuit that may be used as a wordline driver circuit in a memory array.例文帳に追加
メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。 - 特許庁
To prevent unexpected data reading or writing in the case of accessing an address value outside an address space of a memory array.例文帳に追加
メモリアレイのアドレス空間外のアドレス値にアクセスした場合の予期せぬデータの読み出し又は書き込みを防止する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE, MOUNTAIN-SHAPED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加
埋込型浮動ゲート、山形浮動ゲート及び山形チャネル領域を備えた浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁
To minimize current consumption in a memory array during programming of non-volatile memory cells, such as NROM cells.例文帳に追加
メモリアレイにおいて、NROMセル等の不揮発性メモリセルのプログラム時に電流消費量を最小にする。 - 特許庁
The improved flash EEPROM memory-based storage subsystem includes one or more flash memory arrays, each flash memory array being provided with three data registers and a controller circuit.例文帳に追加
1以上のフラッシュメモリアレイを含み、各アレイは3つのデータレジスタと1つのコントローラ回路とを備える。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory in which only data of a part of a memory array can be erased.例文帳に追加
メモリアレイの一部のデータのみを消去することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To solve a problem relating a SDT junction having a defect in a memory array of a resistive cell intersection.例文帳に追加
抵抗性セル交差点メモリアレイにおける欠陥のあるSDT接合に関連した問題を克服すること。 - 特許庁
The power supply for a memory block 100 including the memory array 110 is the boosting circuit 190.例文帳に追加
このメモリセルアレイ110を含むメモリブロック100は、その電力供給源を昇圧回路190とする。 - 特許庁
The memory array further includes second random access memory elements arranged in at least one additional column.例文帳に追加
本メモリアレイは、更に、少なくとも1個の付加的な列に配列された第二ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY ARRAY, AND METHOD FOR STORING CODED INFORMATION IN NON-VOLATILE MEMORY AS INFORMATION BIT例文帳に追加
不揮発性メモリデバイス、メモリアレイ、および、不揮発性メモリに情報ビットとしてコード化された情報を記憶する方法 - 特許庁
In the memory array 54, channels of each memory cell are formed in the vertical direction and capacity increase by the small area is attained.例文帳に追加
メモリアレイ54は、各メモリセルのチャネルが縦方向に形成され、小面積での大容量化が図られている。 - 特許庁
As the bit lines and the control gate lines of the memory array are orthogonal, they can be erased with a cell unit.例文帳に追加
メモリ・アレーのビット線及びコントロール・ゲート線は直交しているので、セル単位で消去することができる。 - 特許庁
A data processing unit containing the cross point memory array device where the data is stored in multi-bit format is also disclosed.例文帳に追加
データがマルチビットフォーマットで記憶されているクロスポイントメモリアレイ装置を含むデータ処理装置もまた提供される。 - 特許庁
The non-volatile semiconductor memory device includes a non-volatile memory array having a plurality of memory blocks.例文帳に追加
本発明による不揮発性半導体メモリ装置は、複数個のメモリブロックを有する不揮発性メモリアレイを含む。 - 特許庁
A write control circuit responds to a write enable signal and controls the write operation of the non-volatile memory array.例文帳に追加
書き込み制御回路は、書き込みイネーブル信号に応答して、不揮発性メモリアレイの書き込み動作を制御する。 - 特許庁
A memory controller 30 accesses the memory array 32 based on the normal address generated by the decryption circuit 31.例文帳に追加
メモリコントローラ30は、復号回路31により生成された正規アドレスに基づいてメモリアレイ32にアクセスする。 - 特許庁
A selection gate included in the sense amplifier zone is turned on to selectively couple the memory array to the sense amplifier zone.例文帳に追加
センスアンプ帯に含まれる選択ゲートがオンすることにより、メモリアレイとセンスアンプ帯とが選択的に結合される。 - 特許庁
The burst sequence may be configured to identify a plurality of locations for storing data in the memory array.例文帳に追加
該バーストシーケンスは、該メモリアレーにデータを記憶するための複数の位置を識別するように形成することができる。 - 特許庁
The other page is inputted while the next page is programmed in the memory array, and held in the intermediate buffer.例文帳に追加
次のページがメモリアレイにプログラムされるのと並行して、別のページが入力され、中間バッファに保持される。 - 特許庁
An addressing circuit (250) operates to address one or more memory element in a crosspoint memory array (25).例文帳に追加
アドレス指定回路(250)は、クロスポイントメモリアレイ(25)内の1つ以上のメモリ素子をアドレス指定するよう動作可能である。 - 特許庁
Then, the protective film 3 in the memory array region is removed with remaining the photomask 5 in a high withstand voltage MIS region.例文帳に追加
次いで、高耐圧MIS領域ではフォトマスク5を残したまま、メモリアレイ領域の保護膜3を除去する。 - 特許庁
A memory array 101 of the memory circuit 100 includes at least one memory cell 101a for storing data.例文帳に追加
メモリ回路100のメモリアレイ100aは、データを記憶する少なくとも一つのメモリセル101aを含む。 - 特許庁
A memory circuit includes a memory array and a memory control circuit, and write-in and read-out of memory information are performed.例文帳に追加
メモリ回路は、メモリアレイとメモリ制御回路とを有して記憶情報の書き込みと読み出しが行われる。 - 特許庁
To perform, easily and in a short time, development of kinds of devices of a memory array having complex partition constitution by cut-down.例文帳に追加
複雑なパーティション構成を有するメモリアレイのカットダウンによる機種展開を容易に且つ短時間に行う。 - 特許庁
The pre-amplifier 42 (42f, 42n) and the read-column decoder 110 are arranged at regions being opposite side each other keeping the memory array between them.例文帳に追加
プリアンプ42とリードコラムデコーダ110とは、メモリアレイを挟んでお互いに反対側の領域に配置される。 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC MEMORY ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY, RECORDING METHOD OF MAGNETIC MEMORY, AND READOUT METHOD OF MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁性メモリ、磁性メモリアレイ、磁性メモリの製造方法、磁性メモリの記録方法、及び磁性メモリの読み出し方法 - 特許庁
In the semiconductor device, a memory array where multiple memory cells of SRAM are arranged, a first peripheral circuit which writes data in the memory array and reads data therefrom, and multiple units of layout each including a switch group for interrupting connection of the memory array and the first peripheral circuit with a power supply line are arranged.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、SRAMのメモリセルが複数配置されているメモリアレイと、メモリアレイへのデータの書き込みおよびメモリアレイからのデータの読み出しを行う第1の周辺回路と、メモリアレイおよび第1の周辺回路と電源線との接続を遮断するスイッチ群とを含むレイアウトの単位が複数配置されている。 - 特許庁
Data of a DRAM memory array is saved to a corresponding nonvolatile memory region before entry of a data holding mode or disconnection of a power supply, and at the exit from the data holding mode or when powered on, data is transferred to the DRAM memory array from the nonvolatile memory region, access of normal reading/writing is performed for the memory array, data holding is performed in the nonvolatile memory region.例文帳に追加
DRAMメモリアレイのデータを、データ保持モードのエントリ又は電源切断前に、対応する不揮発性メモリ領域に退避させ、データ保持モードからのエグジット又は電源投入時に、不揮発性メモリ領域からDRAMメモリアレイにデータを転送し、通常の読み出し/書き込みアクセスはDRAMメモリアレイに対して行われ、データ保持は、不揮発メモリ領域で行う。 - 特許庁
When trouble occurs in the first output link, the output control unit 152 reads not only the data stored in the memory array 1 but also the data stored in the memory array 0, and outputs the data via the second output link.例文帳に追加
出力制御部152は、第1の出力リンクで障害が発生した場合に、メモリアレイ1に記憶されているデータだけでなく、メモリアレイ0に記憶されているデータも読み出して、第2の出力リンクを介して出力する。 - 特許庁
This control circuit is configured to block the performance of the first operation on the first flash memory array detecting an indication from the address compare circuit that the applied row address is outside the unlock area of the flash memory array.例文帳に追加
この制御回路は、アドレス比較回路から検出された供給アドレスがフラッシュメモリアレイの解除領域外部にあるという指示に応答してフラッシュメモリアレイ上での第1動作の実行を阻止するように構成される。 - 特許庁
Then, after forming a photomask 5 on the substrate 1 so as to coat the control gate electrode 8 and the gate electrode 15, the photomask 5 in a memory array region is removed, and ion for adjusting thresholds is implanted to the substrate 1 of the memory array region.例文帳に追加
次いで、コントロールゲート電極8およびゲート電極15を覆うように基板1上にフォトマスク5を形成した後、メモリアレイ領域のフォトマスク5を除去し、メモリアレイ領域の基板1にしきい値調整用のイオンを注入する。 - 特許庁
Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.例文帳に追加
これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線RWL0(またはリファレンスセル用ワード線RWL1)とメモリアレイ通常ワード線MWL(またはメモリアレイ通常ワード線ReWL)との電位が同期して立上がる。 - 特許庁
To connect a single large-scale memory array to a plurality of networks by using a stream processor for generating a communication protocol.例文帳に追加
大規模単一メモリアレイに、通信プロトコルを生成するストリームプロセッサを用いて、複数のネットワークに接続すること。 - 特許庁
A memory array 10 is divided into a plurality of memory blocks BLK1-BLKJ each having a plurality of pairs of bit lines.例文帳に追加
メモリアレイ10は、各々が複数のビット線対を有する複数のメモリブロックBLK1〜BLKJに分割される。 - 特許庁
A memory array region 401 and a control region 402 are placed such that the two regions are in contact with each other and have a convex shape when viewed from above.例文帳に追加
メモリアレイ領域401と制御領域402が接し、かつ平面から見て凸形状で配置されている。 - 特許庁
Optionally, a three-dimensional memory array (see Fig. 7) can be formed by making up a plurality of layers of memory cells.例文帳に追加
任意に、複数層のメモリ・セルを作成することによって、立体のメモリ・アレイ(図7参照)を形成することができる。 - 特許庁
When power from the power supply ceases, the data in the dynamic memory array is validly maintained for a predetermined period of time.例文帳に追加
電源からの電力が遮断されると、所定の時間期間の間、ダイナミック・メモリ・アレイのデータが確実に維持される。 - 特許庁
In a memory array 1, a leading address 0 for storing an important data is allocated overlapping with blocks BLK0, BLK8, BLK17.例文帳に追加
メモリセルアレイ1は、重要なデータを格納するための先頭アドレス0がブロックBLK0,BLK8,BLK17に重複して割り付けられている。 - 特許庁
To reduce power consumption during programming operation in a nonvolatile memory array built in a virtually grounded array structure.例文帳に追加
仮想接地アレイ構造により構成された不揮発性メモリアレイにおいて、プログラム動作時の消費電力を低減する。 - 特許庁
To provide a memory structure of low power consumption capable of arranging a further memory array on a single substrate.例文帳に追加
単一の基板上に更なるメモリアレイを配置することを可能にする低消費電力のメモリ構造を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加
抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor memory array of an electrically programable and eraserble and accurately aligned floating gate memory cell on a semiconductor substrate by using a self aligned method.例文帳に追加
半導体基板にフローティングゲートのメモリーセルの半導体メモリーアレーを自己整列方法により形成する。 - 特許庁
To provide a memory array write-in port which can write data in an array of a memory cell two times in each clock cycle.例文帳に追加
各クロックサイクルにおいて、メモリセルのアレイにデータを2回書き込むことができるメモリアレイ書き込みポートを提供する。 - 特許庁
This is achieved by providing large region data signal (dummy data signal) tracking actual memory-array-data.例文帳に追加
これは実際のメモリ・アレイ・データを追跡する大域データ信号(ダミー・データ信号)を提供することにより達成される。 - 特許庁
An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.例文帳に追加
MRAMデバイス50は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ(MRAMセルブロック52,基準MRAMセルブロック54)を備える。 - 特許庁
A synchronous type SRAMS1 storing data in a memory array 1 is operated in synchronizm with rise of a clock signal CK.例文帳に追加
メモリアレイ1にデータを記憶する同期型SRAMS1は、クロック信号CKの立ち上がりに同期して動作する。 - 特許庁
This can reduce stress applied to a semiconductor substrate 46 at the part in contact with the bird's beak even in a memory array portion 42.例文帳に追加
このため、メモリアレイ部42においても、バーズビークに接する部分の半導体基板46にかかるストレスを低減できる。 - 特許庁
To obtain a semiconductor memory device capable of reducing the area of a memory array block without narrowing the gate width of a floating gate.例文帳に追加
フローティングゲートのゲート幅を狭くすることなくメモリアレイブロックの面積を縮小できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
A controller controls access to the memory array space and accumulates operation performance data from each data storage device in a history log.例文帳に追加
コントローラは、メモリ・アレイ空間へのアクセスを制御し、履歴ログへ各データ記憶装置からの動作性能データを累積する。 - 特許庁
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