| 例文 |
"memory array"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 808件
CROSS POINT MEMORY ARRAY ISOLATED WITH DUAL TRENCH AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
デュアルトレンチで隔離されたクロスポイントメモリアレイとその製造方法 - 特許庁
Can read from a PHP Source file or from an in memory array. 例文帳に追加
PHP のソースファイル、あるいはメモリ上の配列から読み込めます。 - PEAR
MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC MEMORY ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法 - 特許庁
Further, since a write disturb resistance is improved, more simple memory array configuration can be employed to reduce memory array.例文帳に追加
また、書込みディスターブ耐性を向上できるために、より簡易なメモリアレイ構成を採用してメモリアレイ面積を低減できる。 - 特許庁
To provide a memory array superior in noise characteristics and small in size, and to provide a semiconductor integrated circuit device having such a memory array.例文帳に追加
雑音特性が優れ、かつサイズが小さいメモリアレイ及びそのメモリアレイを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
CROSS POINT MEMORY ARRAY INCLUDING SHARED DEVICE FOR BLOCKING SNEAK PATH CURRENT例文帳に追加
回り込み電流を阻止する共有デバイスを含むクロスポイントメモリアレイ - 特許庁
ADDRESSING CIRCUIT FOR CROSSPOINT MEMORY ARRAY INCLUDING CROSSPOINT RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加
クロスポイント抵抗素子を含むクロスポイントメモリアレイ用のアドレス指定回路 - 特許庁
FLASH MEMORY ARRAY HAVING LOW PROGRAMMING POWER AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME例文帳に追加
ロープログラミングパワーを有するフラッシュメモリアレイ及びその制御方法 - 特許庁
To reduce the erase pulses and erasure verification operation or a memory array.例文帳に追加
メモリアレイの消去パルス及び消去確認動作を低減する。 - 特許庁
To optimize a difference of bit line signal volumes when reading a memory array.例文帳に追加
メモリセルアレイの読み出し時のビット線信号量差を最適にする。 - 特許庁
A drive circuit 31 drives a memory array in accordance with an address signal.例文帳に追加
駆動回路31は、アドレス信号に応じてメモリアレイを駆動する。 - 特許庁
To accurately evaluate the characteristics of a cell in a flash memory array.例文帳に追加
フラッシュメモリアレイ中におけるセルの特性を正確に評価する。 - 特許庁
SET PROGRAMMING METHOD AND WRITE DRIVER CIRCUIT FOR PHASE CHANGE MEMORY ARRAY例文帳に追加
相変化メモリアレイのセットプログラミング方法及び書き込みドライバ回路 - 特許庁
DIFFERENCE OF SUPPLY VOLTAGE TO DRIVER OF MEMORY ARRAY AND WORD LINE AT THE TIME OF STANDBY例文帳に追加
スタンバイ時のメモリ・アレイ及びワードライン・ドライバ供給電圧差 - 特許庁
It is preferable that the memory array corresponding to the high-order DQ terminal and the memory array corresponding to the low-order DQ terminal are arranged collectively.例文帳に追加
好ましくは、上位DQ端子に対応するメモリアレイと下位DQ端子に対応するメモリアレイとをそれぞれ集合配置する。 - 特許庁
A nonvolatile memory for a test method is provided with a memory array having memory cells and a redundant memory array having redundant memory cells.例文帳に追加
テスト方法の対象になる不揮発性メモリは、メモリセルを有するメモリアレイと、冗長メモリセルを有する冗長メモリアレイとを備えている。 - 特許庁
The apparatus includes a memory device having a memory array to store data, and an analog-to-digital sense unit coupled to the memory array.例文帳に追加
装置は、データを格納するためのメモリアレイを有するメモリデバイスと、メモリアレイに連結されているアナログ対デジタルセンスユニットを含んでいる。 - 特許庁
SELF-ALIGNED METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS WITH SOURCE SIDE ERASE, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加
ソース側消去を伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合法及びこれによって形成されるメモリアレイ - 特許庁
To provide a structure and a method for increasing the operational speed of an memory array, and reducing the entire programming time of the memory array.例文帳に追加
メモリアレイの動作速度を増大させると共に、メモリアレイの全プログラミング時間を短縮するための、構造および方法を提供する。 - 特許庁
To quickly execute access control to the memory array of a storage device, and to suppress unintended writing in a memory array.例文帳に追加
記憶装置のメモリアレイに対するアクセス制御を迅速に実行すると共に、メモリアレイに対する意図しない書き込みを抑制すること。 - 特許庁
A switching device is turned on when performing normal read of data of the memory array, and the switching device is turned off when performing test read of the data of the memory array.例文帳に追加
メモリアレイのデータの通常読み出し時にはスイッチ素子をオンし、メモリアレイのデータのテスト読み出し時にはスイッチ素子をオフする。 - 特許庁
The port buffer transmits data to the memory array on a first common bus (1) and receives data from the memory array on a second common bus (2).例文帳に追加
ポートバッファは、(1)第一の共通バス上でメモリアレイへのデータ送信(2)第二の共通バス上でメモリアレイからのデータ受信を行う。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit is provided with a memory array, an input circuit and an output circuit for performing writing data in the memory array and reading out data from the memory array, and a package incorporating the memory array, the input circuit, and the output circuit and comprising 100 pins.例文帳に追加
本発明の実施の形態による半導体集積回路は、メモリアレイ、メモリアレイへのデータの書込みおよびメモリアレイからのデータの読出しを行なうための入力回路、出力回路、ならびにメモリアレイ、入力回路および出力回路を内包する100個のピンを含むパッケージとを備える。 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING NANO-SCALE RESISTANCE CROSS-POINT MEMORY ARRAY AND DEVICE例文帳に追加
ナノスケール抵抗クロスポイント型メモリアレイおよびデバイスを製造する方法 - 特許庁
METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING PROGRAM ACCESSING MEMORY ARRAY例文帳に追加
メモリ配列にアクセスするプログラムを改良するための方法およびシステム - 特許庁
LOW VOLTAGE NONVOLATILE MEMORY ARRAY, NONVOLATILE MEMORY, AND DEVICE THEREOF例文帳に追加
低電圧不揮発性メモリーアレイ及び不揮発性メモリー並びにそのデバイス - 特許庁
METHOD FOR WRITING INTO MEMORY ARRAY COMPRISING A PLURALITY OF THREE TERMINAL MEMORY CELLS例文帳に追加
複数の3端子メモリセルを含むメモリアレイに対する書き込み方法 - 特許庁
A memory array is divided into blocks performing parallel write-in of data.例文帳に追加
メモリアレイを並列なデータ書込を実行するブロック毎に分割する。 - 特許庁
A non-volatile memory array includes a plurality of word-lines and a plurality of columns.例文帳に追加
不揮発性メモリアレイが、複数のワード線と複数の列を備える。 - 特許庁
The nonvolatile memory includes a memory array and a parallel write restriction circuit.例文帳に追加
不揮発性メモリは、メモリアレイと並列書き込み制限回路とを有する。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CELL, ITS PROGRAMING METHOD AND NONVOLATILE MEMORY ARRAY例文帳に追加
不揮発性メモリセルおよびそのプログラム方法ならびに不揮発性メモリアレイ - 特許庁
MFIS FERRODIELECTRIC MEMORY ARRAY ON SOI AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
SOI上のMFIS強誘電体メモリアレイおよびその製造方法 - 特許庁
NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING PILLAR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
柱構造を有するNANDフラッシュメモリアレイ及びその製造方法 - 特許庁
Furthermore, each sub-array is mounted as an independently stand-alone memory array.例文帳に追加
また各サブアレイは、独立したスタンドアロンのメモリ・アレイとして実装される。 - 特許庁
To provide a high speed technique to read data from a memory array.例文帳に追加
本発明は、メモリアレイからデータを読取る高速技術を提供する。 - 特許庁
To perform read operation which has high reliability in a nonvolatile memory array.例文帳に追加
不揮発性メモリアレイにおいて信頼性の高い読み出し動作を行う。 - 特許庁
RESISTIVE CROSS POINT MEMORY ARRAY HAVING CHARGE INJECTION DIFFERENTIAL SENSE AMPLIFIER例文帳に追加
電荷注入差動センス増幅器を有する抵抗性クロスポイントメモリアレイ - 特許庁
DISTRIBUTED MEMORY ARRAY SUPPORTING RANDOM ACCESS AND FILE STORAGE OPERATIONS例文帳に追加
ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイ - 特許庁
HIGH DENSITY SOI CROSSPOINT MEMORY ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
高密度SOIクロスポイントメモリアレイおよびそれを製造するための方法 - 特許庁
FERROELECTRIC TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加
強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイ及びその駆動方法 - 特許庁
In addition to a regular memory array consisting of such memory array ARY, a redundant memory array similarly furnished with the SAA and the adjacent ECC is provided in a chip to relieve a defect developed at the manufacture.例文帳に追加
チップ内には、このようなメモリアレイARYからなる正規メモリアレイに加えて、これと同様にSAAおよびそれに隣接するECCを備えた冗長メモリアレイを設け、製造時に発生する欠陥を救済する。 - 特許庁
Different wait state values are provided in different portions of the flash memory array so as to adjust different degradation levels of the flash memory array.例文帳に追加
異なる待機状態値は、フラッシュメモリ列の異なる品質低下の度合いを適応させるためにフラッシュメモリ列の異なる部分に設けられる。 - 特許庁
A signal is supplied to one memory array 10 at a rising edge of the clock, and a signal is applied to the other memory array 20 at a falling edge.例文帳に追加
また、前記クロックの立上りで一方のメモリアレイ10に信号を供給し、立下りで他方のメモリアレイ20に信号を供給させる。 - 特許庁
And, first, an electric characteristic test is performed respectively for the memory array and the redundant memory array in characteristic test processes S10 to S40.例文帳に追加
そして、先ず、特性テスト工程S10〜S40において、メモリアレイ及び冗長メモリアレイに対してそれぞれ電気的な特性テストを行う。 - 特許庁
SELF-ALINE TYPE METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING EDGE DIRECTED IN HORIZONTAL DIRECTION, AND MEMORY ARRAY FORMED BY IT例文帳に追加
水平に向けたエッジをもつフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成するセルフ・アライン型方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁
When data is read out from the memory array, data is read out from both sides of the memory array through the input/output control circuit CKT and the switch SWR.例文帳に追加
メモリアレイからデータを読み出す際には、入出力制御回路CKT、スイッチSWRを介してメモリアレイの両側から読み出される。 - 特許庁
The semiconductor storage device has a memory array 3, a data register 5 which performs data I/O between the above memory array, and control circuits 6, 7, 12, 14, 16, and 18.例文帳に追加
メモリアレイ3と、前記メモリアレイとの間でデータの入出力を行うデータレジスタ5と、制御回路6,7,12,14,16,18とを有する。 - 特許庁
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