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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "semiconductor strain gauge"に関連した英語例文

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"semiconductor strain gauge"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE例文帳に追加

半導体歪みゲージ - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE例文帳に追加

半導体歪ゲージおよび半導体歪ゲージの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体歪みゲージ及びその製造方法 - 特許庁

The first elastic plate member 33 has a first semiconductor strain gauge R1 and a second semiconductor strain gauge R2 both attached to a rear surface, and the second elastic plate member 34 has a third semiconductor strain gauge R3 and a fourth semiconductor strain gauge R4 both attached to a rear surface.例文帳に追加

第1弾性板部材33の裏面には第1半導体ストレンゲージR1と第2半導体ストレンゲージR2が貼り付けられ、第2弾性板部材34の裏面には第3半導体ストレンゲージR3と第4半導体ストレンゲージR4が貼り付けられて構成されたものである。 - 特許庁

例文

The device comprises a semiconductor strain gauge (20) fixed on a member to be measured (10), a transmission module (30) consisting of an integrated circuit fixed to the member to be measured for radio-transmitting the output of the semiconductor strain gauge, and a small battery (40) fixed to the member to be measured for supplying electric power to the semiconductor strain gauge and the transmission module.例文帳に追加

被測定部材(10)に固定される半導体ひずみゲージ(20)と、半導体ひずみゲージの出力を無線送信する被測定部材に固定される集積回路からなる送信モジュール(30)と、半導体ひずみゲージ及び送信モジュールに電力を供給する被測定部材に固定される小型電池(40)とからなる。 - 特許庁


例文

To provide a force or pressure sensor array using a semiconductor strain gauge that simultaneously possesses flexibility, elasticity, and rigidness.例文帳に追加

柔軟性、伸縮性、及び強固性を同時に行う半導体ストレインゲージを用いた力または圧力センサアレイを提供する。 - 特許庁

A semiconductor strain gauge 14 is fixed to a sensor outer wall surface of the diaphragm 18 via an adhesive glass layer 12.例文帳に追加

ダイアフラム18のセンサ外側壁面には、接着用ガラス層12を介して半導体歪みゲージ14が固定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge and the manufacturing method for preventing generation of channels in the semiconductor strain gauge, which stabilizes the resistance value of output by preventing the generation of channel which tends to be generated between electrodes pads, when impurities and charge are adhered around a diffusion resistor region, or when the impurity concentration of the semiconductor substrate is low, and which can be used for various acceleration sensors, pressure sensors, etc.例文帳に追加

半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the bed scale 100, the weight is measured in accordance with the output signal of the metal strain gauge 123 excellent in its accuracy and the active information is estimated in accordance with the output signal of the semiconductor strain gauge 124 excellent in its responsiveness.例文帳に追加

ベッドスケール100では、精度に優れた金属歪ゲージ123の出力信号に基づいて重量が計測され、応答性に優れた半導体歪ゲージ124の出力信号に基づいて活動情報が計測される。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor strain sensor using a semiconductor strain gauge, which can ensure stable characteristics for a long period and perform accurate strain measurement even when mounted on a measuring object differed in coefficient of thermal expansion from a strain sensor chip by minimizing the effect of a thermal strain resulting from the difference in coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因する熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。 - 特許庁

例文

A base plate 31 which causes plastic deformation is provided in a sensor body 37 and provided with a semiconductor diaphragm part 33 equipped with a semiconductor strain gauge 34, and the sensor body 37 is provided with a pressure introduction part which makes fluid pressure operate on the base plate 31.例文帳に追加

センサ本体37内に塑性変形を生じることのない台板31を設け、この台板31に半導体歪みゲージ34を備えた半導体ダイアフラム部33を設け、且つ、流体圧を台板31に作用せしめるための圧力導入部をセンサ本体37に設ける。 - 特許庁

In one style of this semiconductor strain gauge, the gauge has a semiconductor substrate where a flexible thin film provided with plural electrodes and plural electric elements are formed; and the flexible thin film is adhered to the semiconductor substrate and the electrodes and electric elements are electrically connected.例文帳に追加

本発明の一態様によると、複数の電極が設けられた可撓性薄膜と、複数の電気素子が形成された半導体基板とを有し、上記可撓性薄膜は上記半導体基板に被着されており、上記複数の電極と上記複数の電気素子とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体歪ゲージが提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge, which is applicable instead of a conventional metal foil strain gauge to measure the strain of a very small member since the mechanical strength of a sensor itself is low and the temperature drift of the output is small and can obtain a large output even for fine strain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、センサ自体の機械強度が低く、加えて出力の温度ドリフトが小さいことから、微小部材の歪み計測に当たって従来の金属箔歪みゲージの代わりに適用可能で、しかも、微小な歪みに対しても大きな出力を得ることが可能な半導体歪みゲージおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The strain measuring device provided with a semiconductor strain gauge 1 pasted on a strain element using glass paste is characterized in that the semiconductor stain gauge 1 has a circuit substrate 3 provided with a piezoresistive element 2 and a rotation suppression extension part 4 extending from the circuit substrate 3, and that the rotation suppression extension part 4 is extending from at least one side of the two facing sides of the circuit substrate 3.例文帳に追加

ガラスペーストを用いて起歪体に貼り付けられる半導体歪みゲージ1を備えた歪み測定装置であって、前記半導体歪みゲージ1はピエゾ抵抗素子2が設けられた回路基板部3と、回路基板部3から延びている回転抑制延出部4とを有しており、回路基板部3の対向する2辺の少なくとも一方から回転抑制延出部4が延びていることを特徴とする。 - 特許庁

The pressure sensor comprises a pressure sensor chip 1 having a semiconductor strain gauge, an IC chip 2 where an amplification circuit for amplifying the output signal of the pressure sensor chip 1 and a temperature- compensating circuit for compensating the temperature of the output signal are integrated, a body 10 in a rectangular parallelepiped shape whose one surface is open, and a cover 20 for blocking the one surface of the body 10.例文帳に追加

半導体ストレインゲージを有する圧力センサチップ1と、圧力センサチップ1の出力信号を増幅する増幅回路および出力信号の温度補償を行う温度補償回路が集積化されたICチップ2と、一面が開放された直方体状のボディ10と、ボディ10の上記一面を閉塞したカバー20とを備える。 - 特許庁

例文

The load converter has a flexure element 122 distorted in accordance with the load transmitted by the load transmitting part 125, a metal strain gauge 123 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122 and a semiconductor strain gauge 124 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122.例文帳に追加

荷重変換器は、荷重伝達部125から伝達された荷重に応じて歪む起歪体122と、起歪体122に貼り付けられ、起歪体122の歪に応じた電気信号を出力する金属歪ゲージ123と、起歪体122に貼り付けられ、起歪体122の歪に応じた電気信号を出力する半導体歪ゲージ124とを有する。 - 特許庁

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