「えしせいちょうえん」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

炎症性腸疾患診断剤例文帳に追加

DIAGNOSTIC AGENT FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁

感染性腸炎だと診断された。例文帳に追加

I was diagnosed with infectious enteritis. - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

炎症性腸疾患改善剤例文帳に追加

REMEDY FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁

ＣＮＴ成長用微細ホール形成方法、ＣＮＴ成長用基板、及びＣＮＴ成長方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING NANOHOLE FOR CNT GROWTH, SUBSTRATE FOR CNT GROWTH, AND METHOD FOR CNT GROWTH - 特許庁

炎症性腸疾患治療剤例文帳に追加

INFLAMMATORY BOWEL DISEASE THERAPEUTIC AGENT - 特許庁

管制調整業務支援システム例文帳に追加

CONTROL ADJUSTMENT JOB SUPPORT SYSTEM - 特許庁

炎症性腸疾患の治療例文帳に追加

METHOD FOR TREATMENT OF INFLAMMATORY ENTEROPATHY - 特許庁

炎症性腸疾患治療薬例文帳に追加

AGENT FOR TREATMENT OF INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁

分子線エピタキシャル成長方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH METHOD - 特許庁

抗炎症性腸疾患剤例文帳に追加

ANTI-INFLAMMATORY DRUG FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁

公使謁見問題（日本―清朝）例文帳に追加

Issues on meeting with an emperor (Japan - Qing dynasty)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

あなたの支援が私を成長させる。例文帳に追加

Your support makes me grow.  - Weblio Email例文集

ＳｉＣ単結晶の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD FOR SiC SINGLE CRYSTAL - 特許庁

エピタキシャルシリコン成長方法例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON GROWTH METHOD - 特許庁

限局性腸炎という症状例文帳に追加

a symptom called {regional ileitis}  - EDR日英対訳辞書

酸化亜鉛結晶の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD FOR ZINC OXIDE CRYSTAL - 特許庁

酸化亜鉛結晶の成長方法例文帳に追加

GROWING METHOD OF ZINC OXIDE CRYSTAL - 特許庁

「regional enteritis（局所性腸炎）」とも呼ばれる。例文帳に追加

also called regional enteritis.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

単結晶成長用石英ルツボ例文帳に追加

QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

選択的エピタキシャル成長方法例文帳に追加

SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH METHOD - 特許庁

半導体エピタキシャル成長方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR EPITAXIAL GROWTH METHOD - 特許庁

エピタキシャル成長用基板例文帳に追加

SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁

半導体のエピタキシャル成長装置例文帳に追加

EPITAXIAL GROWTH SYSTEM - 特許庁

【ＡＰＥＣ首脳の成長戦略】例文帳に追加

APEC Leaders’ Growth Strategy - 経済産業省

エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用基板例文帳に追加

EPITAXIAL GROWTH METHOD AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁

液相成長方法、液相成長装置及び半導体装置例文帳に追加

LIQUID PHASE GROWTH METHOD, LIQUID PHASE GROWTH DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ＧａＮバルク単結晶の成長方法および成長装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR GROWTH OF GaN BULK SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓの結晶成長方法は、有機金属気相成長方法により、ＧａＩｎＮＡｓを結晶成長させる方法である。例文帳に追加

The crystal growing method for GaInNAs is the method for crystal growing GaInNAs by an organometal vapor phase growing method. - 特許庁

炎症性腸疾患及び過敏性腸症候群の予防・治療剤例文帳に追加

MEDICINE FOR PREVENTING AND TREATING INFLAMMATORY INTESTINAL DISEASE AND ALLERGIC INTESTINAL SYNDROME - 特許庁

小さな成長を自分で確認しながら小さな成長をくり返すことにより、大きな成長を確実に実現する、成長の支援・促進方法例文帳に追加

ASSISTANCE/FACILITATION METHOD OF GROWTH OF REALIZING BIG GROWTH CERTAINLY BY REPEATING SMALL GROWTH WHILE CHECKING SMALL GROWTH BY ONESELF - 特許庁

シリコン単結晶インゴット、ウエハ、その成長装置、及びその成長方法例文帳に追加

SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT AND WAFER, GROWING APPARATUS AND METHOD THEREOF - 特許庁

気相成長装置、気相成長方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ例文帳に追加

VAPOR GROWTH DEVICE, VAPOR GROWTH METHOD AND SILICON EPITAXIAL WAFER - 特許庁

工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。例文帳に追加

In a process S108, the temperature of the growth furnace 10 is changed to a growth temperature T_B from the growth temperature T_W before the barrier layer is grown. - 特許庁

好ましくは、前記の低い成長速度は１ｎｍ／ｓより低く、高い成長速度は、１ｎｍ／ｓより高い。例文帳に追加

The above low growth rate is preferably lower than 1nm/s; and the high growth rate, higher than 1nm/s. - 特許庁

成長基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The semiconductor film is formed on a growth substrate through epitaxial growth. - 特許庁

成長用基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

A semiconductor film is grown epitaxially on a growth substrate. - 特許庁

ＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板例文帳に追加

GROWTH METHOD OF GaN CRYSTAL AND GaN CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

Then a second grown layer 22 is grown so that the growth rate in the direction perpendicular to the growing surface may become ≤10 μm/h. - 特許庁

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h. - 特許庁

次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。例文帳に追加

Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ成長装置及び化合物半導体結晶の成長方法例文帳に追加

MOVPE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び成長装置例文帳に追加

METHOD OF EPITAXIALLY GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND GROWTH DEVICE - 特許庁

ＧａＮ半導体層１２の成長を中断してＳｉＮバッファ体を１４を成長させ、その後再びＧａＮ半導体層１６を成長させる。例文帳に追加

Growth of GaN semiconductor 12 is suspended to grow a SiN buffer body 14, and then another GaN semiconductor layer 16 is grown. - 特許庁

ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）は、サファイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長される。例文帳に追加

An InAlGaN light emitting element 20 is grown on a growth substrate where a sapphire, etc., can be removed. - 特許庁