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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > えしせいちょうえんに関連した英語例文

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えしせいちょうえんの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 12060



例文

成長マスク14の開口部13におけるn型GaN層12上に六角錐形状のn型GaN層15を選択成長させる際に、初期成長をプレーナ成長換算で8μm/h以上の成長速度で行う。例文帳に追加

When an n-type GaN layer 15 of a hexagonal cone shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the openings 13 of the mask 14, initial growth is carried out at an initial growth rate of 8 μm/h or higher. - 特許庁

或いは、再成長前にAlを含む再成長界面をBHF等で清浄化処理する。例文帳に追加

Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth. - 特許庁

Inドーピングを通したGaN側面成長方法例文帳に追加

METHOD OF LATERALLY GROWING GaN WITH INDIUM DOPING - 特許庁

SiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法例文帳に追加

SiC SEMICONDUCTOR AND METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SiC - 特許庁

例文

神経成長円錐の新規シグナル制御分子CRMP例文帳に追加

NEW SIGNAL CONTROL MOLECULE CRMP OF NERVE GROWTH CONE - 特許庁


例文

上記AlOx膜4をマスクとしてGaAs基板5上に、分子線エピタキシャル成長法を用いてGaAs成長層6,7を成長させる。例文帳に追加

With the AlOx film 4 as a mask, GaAs layers 6, 7 are grown on the GaAs substrate 5 by use of a particle beam epitaxial growth method. - 特許庁

AlN単結晶およびその成長方法例文帳に追加

AIN SINGLE CRYSTAL AND ITS GROWTH METHOD - 特許庁

NNS用基板への結晶成長方法例文帳に追加

GROWTH OF CRYSTAL ON NNS SUBSTRATE - 特許庁

好ましくは、p型AlGaNクラッド層の成長前に、GaInN活性層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層により下地表面を覆っておく。例文帳に追加

It is preferable that the surface of a base is covered with a p-type AlGaN cap layer which has been grown at the growth temperature nearly equal to that of the GaInN active layer or below before the p-type AlGaN clad layer is grown. - 特許庁

例文

六角形のパターン5の間に露出したGaN層3の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を結晶成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁

例文

その上に、SiドープGaN層(n型GaN層)84を成長した。例文帳に追加

An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon. - 特許庁

六角形のパターン5の間に露出したGaN層3の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5. - 特許庁

この第一上ガイド層106の成長温度は、成長開始時は650℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に750℃にする。例文帳に追加

Although the growth temperature of the 1st upper guide layer 106 is 650°C, the rise of the growth temperature is started simultaneously with the growth of the layer 106, gradually increased up to the end of growth and reached 750°C at the end of growth. - 特許庁

来年、成長した君に会えるのを楽しみにしてるぞ。例文帳に追加

I'm looking forward to seeing how you have grown. - 時事英語例文集

工程S101で成長炉でGaN膜を成長した後に、工程S103で基板生産物を成長炉から取り出す。例文帳に追加

After a GaN film is grown in a growth furnace in a process S101, a substrate product is taken out from the growth furnace in a process S103. - 特許庁

GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

新生児壊死性腸炎疾患予防剤例文帳に追加

AGENT FOR PREVENTING NEONATAL NECROTIZING ENTEROCOLITIS - 特許庁

成長しようと思えば、困難を回避してはいけない。例文帳に追加

If one wants to grow, one must not avoid hardships. - Tatoeba例文

成長しようと思えば、困難を回避してはいけない。例文帳に追加

If one wants to grow, one must not avoid hardships.  - Tanaka Corpus

(1)SiC種結晶12は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。例文帳に追加

(1) The SiC seed crystal 12 has a main growth plane composed of a plurality of sub-growth planes. - 特許庁

映像音声制御装置、映像音声調整システム、映像音声調整方法およびプログラム例文帳に追加

VIDEO AND AUDIO CONTROLLER, VIDEO AND AUDIO ADJUSTMENT SYSTEM, VIDEO AND AUDIO ADJUSTING METHOD, AND PROGRAM - 特許庁

SiC基板とSiC基板の気相成長方法例文帳に追加

SiC SUBSTRATE AND VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD OF SiC SUBSTRATE - 特許庁

「親」大根は地面から80センチを超えるまで成長した。例文帳に追加

The "parent" radish has grown to over 80 centimeters above the ground.  - 浜島書店 Catch a Wave

成長因子、NsG33の治療上の使用例文帳に追加

THERAPEUTIC USE OF GROWTH FACTOR, NSG33 - 特許庁

AlN結晶の成長方法、AlN結晶基板および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlN CRYSTAL, AlN CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

AlN単結晶の成長方法およびAlN単結晶例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL - 特許庁

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。例文帳に追加

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed. - 特許庁

肝細胞成長因子(HGF)結合蛋白質例文帳に追加

HEPATOCYTE GROWTH FACTOR (HGF) BINDING PROTEIN - 特許庁

半導体基板における液相エピタキシャル成長装置例文帳に追加

LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

液相エピタキシャル成長基板の研磨方法例文帳に追加

POLISHING METHOD OF LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE - 特許庁

SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING SiC SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL THIN FILM - 特許庁

分子線エピタキシャル成長装置および分子線エピタキシャル成長方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH APPARATUS AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH METHOD - 特許庁

AlN結晶およびその成長方法ならびにAlN結晶基板例文帳に追加

AIN CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME, AND AIN CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

SiC単結晶の成長方法およびそれにより成長したSiC単結晶例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SiC SINGLE CRYSTAL AND SiC SINGLE CRYSTAL GROWN BY THE SAME - 特許庁

シリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法及びシリコン結晶成長用石英坩堝例文帳に追加

METHOD FOR COATING QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SILICON CRYSTAL, AND QUARTZ CRUCIBLE FOR GROWING SILICON CRYSTAL - 特許庁

kepivanceは組換えヒトケラチノサイト成長因子の一種である。例文帳に追加

kepivance is a type of recombinant human keratinocyte growth factor.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

stemgenは組み換え幹細胞成長因子の一種である。例文帳に追加

stemgen is a type of recombinant stem cell growth factor.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

r-methuscfは組み換え幹細胞成長因子の一種である。例文帳に追加

r-methuscf is a type of recombinant stem cell growth factor.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

液相エピタキシャル成長方法および半導体装置例文帳に追加

LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置例文帳に追加

CRYSTAL GROWING APPARATUS FOR GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

CNT成長用基板及びCNTの製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR CNT (CARBON NANOTUBE) GROWTH AND METHOD OF MANUFACTURING CNT - 特許庁

成長ホルモンの高発現用DNAおよびその使用例文帳に追加

DNA FOR ACHIEVING HIGH EXPRESSION OF GROWTH HORMONE AND USE THEREOF - 特許庁

繊維芽細胞成長因子をコードする組み換えベクター例文帳に追加

RECOMBINANT VECTOR ENCODING FIBROBLAST GROWTH FACTOR - 特許庁

基板搬送装置およびこれを備えた気相成長装置例文帳に追加

SUBSTRATE CONVEYING APPARATUS AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS PROVIDED WITH SAME - 特許庁

エピタキシャル層は、前記基板の露出されたエピタキシャル成長面から成長される。例文帳に追加

The epitaxial layer is made to develop from the epitaxial growth surface in which the substrate is exposed. - 特許庁

液相成長法、液相成長法によって形成されるシリコン層及び半導体素子例文帳に追加

LIQUID PHASE GROWTH METHOD, SILICON LAYER FORMED BY THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

特に米国は1992年以降安定したプラス成長を継続し、国際経済の成長を支えている。例文帳に追加

The U.S., in particular, has continued to show a steady positive growth since 1992, supporting the international economic growth. - 経済産業省

こうした移民労働力が、EU15の潜在成長率を押し上げ、これまでの成長を支えてきた。例文帳に追加

This kind of immigrant workforce pushes up the potential growth rates of EU15 nations, and has supported growth in the past. - 経済産業省

成長基板上に成長したダイアモンド膜であって、前記成長基板は1×1周期に変化した表面超構造を備えている。例文帳に追加

The diamond film is grown on the growth substrate having a surface superstructure modified into 1×1 period. - 特許庁

例文

整腸作用のある漢方薬を教えてください。例文帳に追加

Please tell me Chinese medicine with gastrointestinal action. - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

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