「えしせいちょうえん」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

エピタキシャル成長膜形成工程の後に、エピタキシャル成長面研磨工程を備えるようにすることにより、研磨後のエピタキシャル成長面１０ａの平坦度を従来よりも改善することができる。例文帳に追加

An epitaxially grown film formation step is followed by an epitaxially grown surface polishing step, and this results in an epitaxially grown surface 10a with its flatness after polishing better than that formed by the conventional method. - 特許庁

シリコン結晶基板上へのリン化ボロン結晶成長法例文帳に追加

BORON PHOSPHIDE CRYSTAL GROWTH METHOD ON SILICON CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

炎症性腸疾患の診断と治療のための組成物と方法例文帳に追加

COMPOSITION AND METHOD FOR DIAGNOSIS AND TREATMENT OF INFLAMMATORY BOWEL DISORDER - 特許庁

また、分子線エピタキシーによる分子線の直進性または、気相成長（ＣＶＤ）法および液相成長（ＬＰＥ）法による異方性成長効果を利用した選択エピタキシャル成長により、アスペクト比の高い凹凸構造またはトレンチ構造をエピタキシャル層５で埋め込む。例文帳に追加

Moreover, an uneven structure high in aspect ratio or a trench structure is buried with an epitaxial layer 5 by the selective epitaxial growth utilizing the rectilinear propagation property of the molecular beam by molecular beam epitaxy or the anisotropic growth effect by a vapor phase growth (CVD) method or a liquid phase growth (LPE) method. - 特許庁

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate. - 特許庁

結晶主軸から傾けて切断した疑似整合エピタキシャル成長基板例文帳に追加

PSEUDO ALIGNMENT EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE CUT OUT OF CRYSTAL MAIN AXIS - 特許庁

クエン酸シルデナフィルを、植物成長発育調整剤として使用方法例文帳に追加

USE OF SILDENAFIL CITRATE AS PLANT GROWTH REGULATOR - 特許庁

そして隣接する矩形同士を統合して、行に成長させていく（Ｓ３）。例文帳に追加

Then, the circumscribing rectangles are integrated, and grown to a line (S3). - 特許庁

例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。例文帳に追加

The growth substrate is supplied to an epitaxial growth device and annealing processing is performed so that the average surface roughness of the growth substrate becomes 0.2 to 10 nm, for example. - 特許庁

局所性腸炎は大腸がんと小腸がんのリスクを増大させる。例文帳に追加

regional enteritis increases the risk for colorectal cancer and small intestine cancer.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

（三）　ガス源又は固体源を用いた分子線エピタキシャル成長装置例文帳に追加

3. Molecular beam epitaxial growth systems employing gas sources or solid sources  - 日本法令外国語訳データベースシステム

血中腸型脂肪酸結合蛋白測定による急性腸炎診断例文帳に追加

ACUTE ENTERITIS DIAGNOSIS BY MEASUREMENT OF INTESTINAL FATTY ACID-BINDING PROTEIN - 特許庁

急速変調成長分子線エピタキシー装置とその運転方法例文帳に追加

RAPID MODULATED GROWTH MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS OPERATION METHOD - 特許庁

我々は、ＥＳ細胞の分化と血管成長とを促進する新しいアプローチが、成長因子を含む注射可能な三次元足場を創出し、それが成長因子を持続的に放出し、血管新生を引き起こすのであろうと考えた。例文帳に追加

We hypothesized that a novel approach to promote ES cells differentiation and vascularization would be to create injectable three dimensional (3-D) scaffolds containing growth factor that enhance the sustained release of the growth factor and induce angiogenesis. - 特許庁

ＧａＡｓ成長基板上に成長させたＩｎＧａＡｓチャネル層、ＩｎＧａＰスペーサー層、ＧａＡｓ別スペーサー層を有する、高い電子移動度を示すｐ−ＨＥＭＴ用化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor epitaxial substrate for p-HEMT showing higher electron mobility, and comprising an InGaAs channel layer, an InGaP spacer layer, and spacers for each GaAs grown on a GaAs growth substrate. - 特許庁

2010 年のＡＰＥＣ首脳の成長戦略は，イノベーションの発展を経済成長及び繁栄の重要な要因の一つとして認めた。例文帳に追加

The APEC Leaders' Growth Strategy in 2010 recognized innovationdevelopment as one of the key factors of economic growth and prosperity. - 経済産業省

基板温度が十分に安定した時刻ｔ３でトリメチルガリウム及びアンモニアを成長炉に供給して、ｉ−ＧａＮ膜を成長する。例文帳に追加

At time t3 when the substrate temperature becomes sufficiently stable, trimethyl gallium and ammonium are supplied to the growth furnace to grow an i-GaN film. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a novel epitaxial growth method of increasing an epitaxial growth speed of a nitride group semiconductor by a MOVPE method. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する例文帳に追加

To provide a new epitaxial growth method which can increase the epitaxial growth speed of a nitride-based semiconductor by MOVPE method. - 特許庁

ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing up a large-sized GaN crystal in HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) at a crystal growth temperature of 1,100°C or less. - 特許庁

側壁が斜めの凹部は、第２の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。例文帳に追加

The recessed part whose sidewall is oblique is formed by being grown while a growth temperature of the second nitride semiconductor device is gradually lowered, and then is etched by using etchants with different etching rates depending on the growth temperatures. - 特許庁

日本は昨年５％の実質ＧＮＰ成長を達成した。例文帳に追加

Japan achieved a real GNP growth of 5% last year. - Tatoeba例文

日本は昨年５％の実質ＧＮＰ成長を達成した。例文帳に追加

Japan achieved a real GNP growth of 5% last year.  - Tanaka Corpus

マスク無しの選択的なボロン添加されたエピタキシャル成長例文帳に追加

MASKLESS SELECTIVE BORON-DOPED EPITAXIAL GROWTH - 特許庁

自販機の商品構成調整支援システム、その方法、及び記録媒体例文帳に追加

COMMODITY COMPOSITION ADJUSTING SUPPORT SYSTEM OF VENDING MACHINE, METHOD FOR THE SAME AND RECORD MEDIUM - 特許庁

影響度軽微シナリオ　GDP成長率を － 0.7％引下げ（死者　140万人）例文帳に追加

Mild scenario: Lowering GDP growth by 0.7 percentage points (1.4 million deaths) - 経済産業省

９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。例文帳に追加

A substrate for epitaxial growth is used, the substrate not degrading by roughening over a surface roughness of 10 nm during a temperature-rise process up to a growth temperature when a nitride-based compound semiconductor layer is directly epitaxially grown at a growth temperature of 900°C to 1,050°C. - 特許庁

次に、シード粒子水性分散液とアルコキシドと混合することでシード粒子を成長させた成長粒子を得る。例文帳に追加

Then, the seed particle aqueous dispersion liquid and the alkoxide are mixed together to obtain grown particles which are grown seed particles. - 特許庁

シリコン結晶の液相成長方法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置例文帳に追加

PROCESS AND APPARATUS FOR LIQUID PHASE EPITAXY OF SILICON CRYSTAL AND SOLAR BATTERY MANUFACTURING PROCESS - 特許庁

基板に対して下部電極を完全エピタキシャル成長させ、さらに誘電体薄膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The lower electrode is subjected to complete epitaxial growth to the substrate, and the dielectric thin film is subjected to epitaxial growth furthermore. - 特許庁

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

ＵＶ線を用いたシリコン含有膜の低温エピタキシャル成長例文帳に追加

LOW TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON-CONTAINING FILM USING UV RADIATION - 特許庁

活動期の炎症性腸疾患患者における排便異常治療剤例文帳に追加

TREATING DRUG FOR ABNORMAL DEFECATION IN INFLAMMATORY BOWEL DISEASE PATIENT IN ACTIVE PERIOD - 特許庁

影響度深刻シナリオ　　　GDP成長率を － 4.8％引下げ（ 〃　7110万人）例文帳に追加

Severe scenario: Lowering GDP growth by 4.8 percentage points (71.1 million deaths) - 経済産業省

（ⅰ）インフラ整備によるアジアの成長支援、インフラ輸出の海外展開例文帳に追加

(i) Asian development support through infrastructure maintenance and development of infrastructure export overseas - 経済産業省

エピタキシャル成長前，エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とする。例文帳に追加

To obtain a sapphire substrate with a nitride semiconductor film which is free from dispersion in warp among substrates before epitaxial growth, during epitaxial growth and after epitaxial growth, and has desired warp after epitaxial growth. - 特許庁

シリコン基板２０の上に陽極化成でポーラスシリコン層６０を形成し、このポーラスシリコン層６０の上にエピタキシャル成長膜７０を成長させ、このエピタキシャル成長膜７０にガラス基板９０を貼り付ける。例文帳に追加

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90. - 特許庁

次に、各ペットごとの成長ポイントの合計値Ａ，Ｂ，Ｃに、今回の成長ポイントＰＡ，ＰＢ，ＰＣを各々加算して、成長ポイントの合計値Ａ，Ｂ，Ｃの値を更新する（ステップＳ８）。例文帳に追加

Then the total values A to C of growing points of each pet are mutually added to update the total values A to C of growing points (step S8). - 特許庁

ＧａＮＡｓ結晶の成長方法及びＧａＮＡｓ結晶並びにＧａＮＡｓ結晶を備えた半導体装置例文帳に追加

GaNAs CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH - 特許庁

末梢血幹細胞が成長して新しい血液細胞になる。例文帳に追加

new blood cells develop from peripheral stem cells.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

基板上に第１の窒化物半導体をその上に成長する第２の窒化物半導体の成長温度より低温で成長し、その後基板温度を第２の窒化物半導体の成長温度にまで昇温し、昇温後に熱処理を行い、次いで第２の窒化物半導体を成長する。例文帳に追加

A first nitride semiconductor is grown on a substrate at a temperature lower than the growth temperature of a second nitride semiconductor that is grown on the first nitride semiconductor, then the substrate is raised in temperature to the growth temperature of the second nitride semiconductor and then subjected to a thermal treatment, and then a second nitride semiconductor is grown. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及びその成長方法例文帳に追加

EPITAXIAL WAFER FOR AlGaInP-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ITS GROWTH METHOD - 特許庁

（政庁の位置が創建当時から移動していないことから「都市プランは政庁創建当初からあった」と考えられる。）例文帳に追加

(Because Seicho [government office] is never moved since its establishment, it is considered that `City planning was available when Seicho [government office] was founded.')  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この半導体デバイス構造体は、その上でのエピタキシャル領域の成長を支持するのに適した粗面化成長表面を有する基板を含む。例文帳に追加

The semiconductor device structure includes a substrate having a roughened growth surface suitable for supporting the growth of an epitaxial region thereon. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法例文帳に追加

FEED MATERIAL FOR EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE - 特許庁