「えしせいちょうえん」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

自動画像処理プロファイル選択を備えた生物成長プレートスキャナ例文帳に追加

BIOLOGICAL GROWTH PLATE SCANNER WITH AUTOMATED IMAGE PROCESSING PROFILE SELECTION - 特許庁

次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。例文帳に追加

Then, the n^--GaN layer 17 is selectively grown by using the plasma-damaged layer 13 as a selective growth mask (fig. 1d). - 特許庁

Ｂ濃度が均一なＢがドーピングされたＳｉエピタキシャル成長膜、ＢがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜、ＢとＣがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成する。例文帳に追加

To form an Si epitaxial growth film in which B of a uniform B concentration is doped, a SiGe epitaxial growth film in which B is doped and a SiGe epitaxial growth film in which B and C are doped. - 特許庁

エピタキシャル成長処理において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method capable of improving flatness of an epitaxial wafer obtained by suppressing growth of back-side deposition in an epitaxial growth treatment. - 特許庁

ウエハ上に、第１組成の化合物半導体層２２′を層２２の成長時間と同じ成長時間、第２組成の化合物半導体層２５を層２３の成長時間と異なる成長時間で複数回繰り返し成長して第２の周期構造２４を形成する。例文帳に追加

A second periodic structure 24 is formed by repeatedly growing a first composition compound semiconductor layer 22' in the same growing time as the growing time of the layer 22 and repeatedly growing a second composition compound semiconductor layer 25 in a different growing time from that of the layer 23. - 特許庁

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。例文帳に追加

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface). - 特許庁

第１バッファ層成長工程によって、Ｓｉ基板３１の（１００）面上にアモルファスのＡｌＮからなる第１バッファ層３２を成長させた後、第２バッファ層成長工程で、第１バッファ層３２の上に単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層３３を成長させる。例文帳に追加

A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process. - 特許庁

ＧａＮＰ結晶の成長方法及びＧａＮＰ結晶を備えた半導体装置例文帳に追加

PROCESS FOR GROWING GaNP CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GaNP CRYSTAL - 特許庁

「ＶａｎＡ型及びＶａｎＢ型バンコマイシン耐性腸球菌」検出用培地及びその使用方法例文帳に追加

CULTURE MEDIUM FOR DETECTING VAN A TYPE AND VAN B TYPE VANCOMYCIN-RESISTANT ENTEROCOCCUS AND USE THEREOF - 特許庁

これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのＳｉＣ多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。例文帳に追加

This also control deposition of SiC polycrystals on unnecessary parts other than the growth tip for a growing crystal and allows the growing crystal to grow for a long period of time. - 特許庁

有機金属気相成長法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層、ＧａＩｎＰエピタキシャル層およびＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させてなる化合物半導体エピタキシャルウェハ。例文帳に追加

In the compound semiconductor epitaxial wafer, a GaAs epitaxial layer, a GaInP epitaxial layer and an AlGaInP epitaxial layer are successively grown on a GaAs substrate by an organo-metallic vapor phase growth method. - 特許庁

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。例文帳に追加

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11. - 特許庁

私が日本に帰る時、私自身がたくさん成長している事を願う。例文帳に追加

When I go home to Japan, I hope that I will have grown a lot.  - Weblio Email例文集

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の成長方法において、多結晶ＳｉＣの生成抑制と種結晶上への高品質のＳｉＣ単結晶の成長促進とを両立させる。例文帳に追加

To fulfill both suppressing occurrence of polycrystal SiC and promoting growth of SiC single crystal having high quality onto the seed crystal in a method of growing SiC single crystal by a solution growth method. - 特許庁

彼女は貴重な経験をたくさんして成長して帰ってくるでしょう。例文帳に追加

She will probably have valuable experiences and come home having grown a lot.  - Weblio Email例文集

炎症性腸疾患に対してMAdCAMに関係した治療法等の提供。例文帳に追加

To provide a therapy method, etc., associated with a MAdCAM to an inflammatory bowel disease. - 特許庁

炎症性腸疾患に対してMAdCAMに関係した治療法等の提供。例文帳に追加

To provide therapeutic methods and the like relating to MAdCAM for inflammatory bowel diseases. - 特許庁

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。例文帳に追加

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1. - 特許庁

金属Ｇａ蒸気と窒素プラズマを利用するＧａＮ結晶成長方法において、結晶成長を継続的に維持し得るように、そのＧａＮ結晶成長方法を改善する。例文帳に追加

To improve a process for growing GaN crystal utilizing metal Ga vapor and nitrogen plasma such that crystal growth can be sustained. - 特許庁

ウエハ間の良好な膜厚分布を維持して、エピタキシャル成長層を成膜できる縦型エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical-type epitaxial-growth apparatus, whereby the films of epitaxial-growth layers can be formed on wafers, while maintaining proper distribution for the thicknesses of the films between the wafers. - 特許庁

成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。例文帳に追加

The plurality of masks 11 for selective growth, which are formed on the substrate 1 for growth, have a circular or polygonal shape and also have their peripheries formed in an island shape enclosed with the substrate 1 for growth. - 特許庁

化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ３を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤（ＣＨ_4、Ｈ_2 ）の他に吸熱反応性の反応補助剤（Ｈ_2 Ｓ）を添加して、単層カーボンナノチューブ４を生成する。例文帳に追加

In producing the multi-walled carbon nanotube 3 with a chemical vapor growth method or with a liquid growth method, the single-walled carbon nanotube 4 is produced by adding an auxiliary reactive agent (H_2S) for an endothermic reaction other than main reactants (CH_4, H_2) of the chemical vapor growth method or the liquid growth method. - 特許庁

基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。例文帳に追加

A substrate is obtained by vapor depositing a GaN single crystal on a substrate and then slicing a GaN single crystal ingot formed by the vapor deposition with a plane parallel to the growth direction. - 特許庁

また、上記の窓層は、ＧａＰ層を７３０°以上の温度で成長し、その成長速度を毎時7.8μｍ以上、そのドーパントを亜鉛とする。例文帳に追加

In the above-mentioned window layer, a GaP layer grows at temperatures equal to 730°C or higher , the growth rate is equal to 7.8 μm per hour or greater, and the dopant is zinc. - 特許庁

選択エピタキシャル成長時、エピタキシャル層２１，２９は、ストッパ絶縁膜３５が壁になって横方向の成長が制限される。例文帳に追加

When the epitaxial layers 21 and 29 are selectively grown, the horizontal growth of the layers 21 and 29 is restricted by the stopper insulating film 35 which works as a wall. - 特許庁

13．地域新成長産業創出促進事業【23 年度予算：13.0 億円】例文帳に追加

13. The business to strengthen a local industry competitive power (fiscal 2011: ¥1.30 billion)  - 経済産業省

溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for composite bonding of a seed crystal for growing a SiC single crystal by a solution growth technique, whereby high growth speed can be achieved by preventing breaking and separation of the seed crystal when growing the SiC single crystal by the solution growth technique. - 特許庁

新規なＳｉ基板上への高品質ＺｎＳｅエピタキシー層の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING HIGH QUALITY ZnSe EPITAXIAL LAYER ONTO NEW Si SUBSTRATE - 特許庁

この酸化シリコン３１は、トレンチ底面のシリコン１１ａ’上には成長しやすく、壁面の熱酸化膜１２ｂ上には成長しにくい。例文帳に追加

The silicon oxide 31 easily grows on the silicon 11a' of the bottom surface of the trench, and has difficulty in growing on the thermal oxidation film 12b of the wall surface. - 特許庁

ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置例文帳に追加

HETERO EPITAXIAL GROWTH METHOD, HETERO EPITAXIAL CRYSTAL STRUCTURE, HETERO EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置例文帳に追加

HOMOEPITAXIAL GROWTH METHOD, HOMOEPITAXIAL CRYSTAL STRUCTURE, HOMOEPITAXIAL CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。例文帳に追加

In the sublimation/growth step S2, the rate of argon gas introduced in a reaction system is altered according to early, middle and final stages of growth of the silicon carbide single crystal. - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane. - 特許庁

全身性エリテマトーデスおよび炎症性腸疾患を治療するための成長ホルモン分泌促進物質の使用例文帳に追加

METHOD FOR USING GROWTH HORMONE SECRETION ACCELERANS- SUBSTANCE FOR TREATING SYSTEMIC ERYTHEMATODES AND INFLAMMATORY INTESTINAL DISEASE - 特許庁

シリコンのエピタキシャル成長後のフォトリソグラフィ工程でのパターン合わせが可能となる、エピタキシャル成長方法を得る。例文帳に追加

To provide an epitaxial growing method, with which pattern matching is enabled in a photolithography process after the epitaxial growth of silicon. - 特許庁

Ｘ軸方向の成長の方がＹ軸方向の成長よりも困難な場合は、（ａ）に示すように、ｄｘ＞ｄｙとしておく。例文帳に追加

When growth is harder in the direction of the X-axis than in the direction of the Y-axis, dx and dy are so set as to satisfy the relation dx>dy. - 特許庁

結晶品質が向上したＧａＩｎＮＡｓの結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growing method for GaInNAs for which crystal quality is improved. - 特許庁

2004 年における世界経済の成長は、地域的・世界的統合の進展に伴う貿易の堅固な成長に支えられ強固。例文帳に追加

Global growth in 2004 was strong, supported by robust growth in trade along with increasing regional and global integration.  - 財務省

前記エピタキシャル成長層は例えばサファイアなどの結晶成長に用いられた基板より分離されたものである。例文帳に追加

The epitaxial growth layer is separated from a substrate used for the growth of crystals, such as sapphire. - 特許庁

この緩衝層上に有機金属気相成長法により、１０００℃の水素雰囲気において、ＧａＮ層１０６を２μｍ成長する。例文帳に追加

In hydrogen atmosphere of 1,000°C, a GaN layer 106 is grown by 2 μm on the buffer layer by organic vapor phase epitaxy. - 特許庁

低温でもアルシンを用いたＧａＡｓ系化合物半導体の成長を可能とする気相成長装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which deposits a GaAs-based compound semiconductor using arsine even at low temperature. - 特許庁

試練を乗り越えたときに人は成長し、混乱を乗り越えたとき、社会が進化します。例文帳に追加

People grow by overcoming hardships, and society evolves by overcoming turbulence. - 経済産業省

⑥地域新成長産業創出促進事業（13億90百万円）例文帳に追加

6) Local New Growing Industries Creation Promotion Program (\\1,390 million) - 経済産業省

溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growing rate by a solution growth method. - 特許庁