「えしせいちょうえん」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

例えば、学習率を成長時間ｔに応じて変化する関数として扱うことにより、成長過程に応じて記憶能力を動的に変化させる。例文帳に追加

The learning rate is handled, for example, as a function variable with growth time (t), so that storage capacity is varied dynamically according to the process of growth. - 特許庁

利益が上昇し、完全雇用である経済成長の状態例文帳に追加

an economic state of growth with rising profits and full employment  - 日本語WordNet

公用徴収という,公益事業のためにする私人財産の強制徴収例文帳に追加

compulsory dispossession of private property by the government  - EDR日英対訳辞書

以後義和団は清朝をも敵にまわし戦闘せざるを得なくなる。例文帳に追加

From then on, the Boxers had to fight even the Qing Dynasty as an enemy.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

炎症性腸疾患を治療するための好中球機能の刺激例文帳に追加

STIMULATION OF NEUTROPHIL FUNCTION FOR THERAPY OF INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁

非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長用の固溶体誘起層例文帳に追加

SOLID SOLUTION INDUCTION LAYER FOR WEAK EPITAXY GROWTH OF NONPLANAR PHTHALOCYANINE - 特許庁

また、振動板は多孔質構造部からエピタキシャル成長で形成する。例文帳に追加

A vibrating plate is formed through epitaxial growth from the porous structure. - 特許庁

次に、電極層４を熱処理して、ヒロック８を成長させる（図（ｆ））。例文帳に追加

Then, the electrode layer 4 is subjected to heat treatment to grow hillocks 8 (Fig.(f)). - 特許庁

注液装置の配管内に混入した気泡の成長を防止する。例文帳に追加

To prevent growth of bubbles entrained in the piping of a liquid filler. - 特許庁

この清澄溶液を利用し生物組織を完全に透明となす。例文帳に追加

The biological tissue is made perfectly transparent by use of this clear solution. - 特許庁

今後もアフリカの成長の加速化に始めとした支援が望まれる65。例文帳に追加

This is expected to support Africa's economic growth65. - 経済産業省

成長障壁層１の凸部Ｐのみに三族窒化物系中間層Ｉ１を成長させると、この上に成長する歪抑制層Ｉ２は比較的良好に成長する。例文帳に追加

By growing a group III nitride-based intermediate layer I1 only on convex portions P of a growth barrier layer 1, a strain suppression layer I2 which will be grown on the group III nitride-based intermediate layer I1 grows relatively well. - 特許庁

横形反応管を用い、複数枚を同時に処理する半導体気相成長装置及び気相成長方法において、半導体膜の気相成長速度が速く、原料ガス利用効率が高く、均一な半導体膜が得ることができる気相成長装置及び気相成長方法を開発する。例文帳に追加

To develop a vapor growth device and method for obtaining a uniform semiconductor film where the vapor growth speed of the semiconductor film is fast and feed gas efficiency is high in the semiconductor vapor growth device, and a method for simultaneously treating a plurality of semiconductor films using a horizontal reaction pipe. - 特許庁

本発明の液相エピタキシャル成長装置１は、縦置きの基板Ｓに結晶をエピタキシャル成長させる装置であって、背板５２ａに立てかけた基板Ｓを縦置きに収容するための成長室２０と、基板に成長させる結晶の原料溶液Ｌを貯留する成長用溶液溜３０とを備える。例文帳に追加

The liquid phase epitaxial growing device 1 which epitaxially grows crystal on the lengthwise substrate S is provided with a growing chamber 20 for storing the substrate S stood against a back plate 52a lengthways and a growing solution sink 30 accumulating raw material solution L of crystal grown on the substrate. - 特許庁

各種農園芸作物、特にコチョウランの成長促進剤を提供する。例文帳に追加

To obtain a growth accelerator for various agricultural and horticultural crops, particularly Orchis graminifolia. - 特許庁

金属間化合物融液を用いた高融点シリサイド結晶成長法例文帳に追加

GROWTH OF HIGH MELTING POINT SILICIDE CRYSTAL BY USING MOLTEN LIQUID OF INTERMETALLIC COMPOUND - 特許庁

分子線エピタキシャル成長装置及びそのクリーニング方法例文帳に追加

MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND ITS CLEANING METHOD - 特許庁

担子菌類菌糸体抽出物を含む免疫活性調節剤例文帳に追加

IMMUNOACTIVITY MODULATOR CONTAINING EXTRACT OF MYCELIUM OF BASIDIOMYCETES - 特許庁

液相からのバルク単結晶ベータ鉄シリサイド結晶成長法例文帳に追加

METHOD OF GROWING BULK SINGLE CRYSTAL BETA IRON SILICIDE CRYSTAL FROM LIQUID PHASE - 特許庁

成長量を均一に保って成長させることのできるＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ単結晶の製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for producing an SiC single crystal whereby the amount of growth of the single crystal can be kept uniform. - 特許庁

毛髪伸長の促進をすることによって毛周期における成長期を維持又は延長する毛髪成長期延長剤を提供すること。例文帳に追加

To provide a prolongation agent for anagen hair, capable of maintaining or prolonging anagen hair by promoting hair growth. - 特許庁

本発明は、基板のエピタキシャル成長面上にエピタキシャル層を成長させることに用いるマスク及びその使用方法に関する。例文帳に追加

To provide a mask used to develop an epitaxial layer on an epitaxial growth surface of a substrate, and a method of using the same. - 特許庁

クレブシエラ（Ｋｌｅｂｓｉｅｌｌａ）属に属する微生物の培養物から得られる多糖類を含む植物成長促進剤または植物成長促進助剤。例文帳に追加

This plant growth promoter or adjuvant for the plant growth promoter contains polysaccharides obtained from the cultured product of microorganisms belonging to the genus Klebsiella. - 特許庁

カバー壁部２１は、ミストＤのミスト塊への成長を防止可能なミスト成長防止手段Ｂ１としての貫通部２２を備える。例文帳に追加

The cover wall part 21 is provided with a through part 22 serving as a mist growth preventing means B1 capable of preventing the growth of the mist D into a mass of mist. - 特許庁

別の実施形態では、歪んだ（圧縮された）非常に薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板上に成長させる。例文帳に追加

In another embodiment, a strained (compressed) very thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate. - 特許庁

液相成長でエピタキシャル成長させる場合、メルトに予め、Ｓｉ原料を高温で溶かし込んでおいて、その後、成長させるＳｉ基板をメルトに浸す。例文帳に追加

When epitaxial growth is conducted in liquid phase, Si material is melted beforehand at a high temperature into a melt and an Si substrate for growing is immersed in the melt 14. - 特許庁

酸化亜鉛系結晶の成長時に、水素を酸化亜鉛系結晶が成長する部分に供給する。例文帳に追加

At the zinc oxide crystal growing time, a hydrogen is supplied to the part on which the zinc oxide crystal is grown. - 特許庁

サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をｑ面2とする。例文帳に追加

This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2. - 特許庁

豚増殖性腸炎原因菌（Ｌ．ｉｎｔｒａｃｅｌｌｕｌａｒｉｓ）に対するモノクロナール抗体例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY AGAINST CAUSATIVE BACTERIUM(L. INTRACELLULARIS) OF SWINE PROLIFERATIVE ENTERITIS - 特許庁

ＬＲＰ部分ペプチドによる成長因子ミッドカインのトラッピング例文帳に追加

TRAPPING OF GROWTH FACTOR MIDKINE BY LRP PARTIAL PEPTIDE - 特許庁

複数のエピタキシャル成長装置の運転を安全に行う。例文帳に追加

To safely operate a plurality of epitaxial growth devices. - 特許庁

酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

酸化亜鉛系基板の処理方法及び成長層付き基板例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF ZINC OXIDE SYSTEM SUBSTRATE AND SUBSTRATE WITH GROWTH LAYER - 特許庁

基板温度データの演算方法および気相成長装置例文帳に追加

METHOD FOR CALCULATING SUBSTRATE TEMPERATURE DATA AND VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS - 特許庁

＜新成長戦略の実現と円高下のグローバル競争力獲得＞例文帳に追加

<Pushing ahead with the New Growth Strategy, and enhancing the global competitive edge under the stronger yen>  - 経済産業省

（新成長戦略の実現と円高下のグローバル競争力獲得）例文帳に追加

(Pushing ahead with the New Growth Strategy, and enhancing the global competitiveness under the stronger yen) - 経済産業省

ＧａＮ厚膜１０６については、ＭＯＣＶＤ法により、開口部１０５で露出したＧａＮ層１０３の表面に選択成長させた後、さらに成長を続け、選択成長マスク１０４表面上にも横方向へ成長させている。例文帳に追加

The GaN thick films 106 are grown selectively on the surfaces of the GaN layer 103 exposed in opening sections 105 by an MOCVD method, and growth is further continued, and the thick films are also grown in the lateral direction on the surface of the selective growth mask 104. - 特許庁

アライメントマーク１５Ａのパターンの間隔を工夫したので、アライメントマーク１５Ａの上に結晶を成長させても、異常成長が抑制されて平坦な表面の被覆成長層を得ることができる。例文帳に追加

The interval of the pattern of the alignment mark 15A is devised, thus inhibiting abnormal growth for obtaining a film growth layer with a flat surface even if the crystal is grown on the alignment mark 15A. - 特許庁

また、混合物融液は安定液面がない状態で凝固し、母材の結晶成長が抑えられる。例文帳に追加

The mixture molten liquid coagulates with no stable liquid surface, suppressing crystal growth of the parent material. - 特許庁

大型で高品質なＡｌＮ結晶基板を製造することができるＡｌＮ結晶基板の製造方法、大型で高品質なＡｌＮ結晶を成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法およびその成長方法により成長したＡｌＮ結晶からなるＡｌＮ結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an AlN crystal substrate which can manufacture an AlN crystal substrate having a large size and high quality, a growing method of AlN crystal which can grow AlN crystal having large size and high quality, and an AlN crystal substrate which is composed of AlN crystal that is grown by the growing method. - 特許庁

この成長種を有するシリコン基板１０を気相成長装置にセットし、高温下でシリコン気相成長ガスを導入すると、環状の金層の部分はＳｉ−Ａｕ合金２８の液滴となる。例文帳に追加

By thermal decomposition of the vapor phase growth gas, silicon is introduced from the atmosphere to the liquid drops, and since a liquid is more liable to absorb a silicon atom than a solid, gradually the silicon exceeds in the liquid drops of the Si/Au alloy 28 and the silicon single crystal grows in a tube. - 特許庁

半導体基板１４を縦置きにして成長溶液１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように回転させる。例文帳に追加

In the liquid phase epitaxial growth method by which a semiconductor substrate 14 is vertically stood and is brought into contact with a growth solution 13 to make the epitaxial layer grow on the semiconductor substrate 14, the semiconductor substrate 14 is rotated so as to change places between the upper and the lower sides during growth. - 特許庁

先月、IMFは、世界経済の実質成長が再び始まり、2010年末までには2％を超える成長となると予測した。例文帳に追加

Last month the IMF estimated that world growth in real terms would resume and rise to over 2 percent by the end of 2010.  - 財務省

炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。例文帳に追加

To provide a feed material for epitaxial growth of single crystal silicon carbide enabling to increase epitaxial growth rate of silicon carbide. - 特許庁

半導体ウエハの気相成長を行う反応部１に待機系Ｓと成長系Ｇとの２つの排気ラインを有している。例文帳に追加

Two exhaust lines for a standby system and a growth system are provided on a reaction part 1, where a semiconductor wafer is vapor grown. - 特許庁