例文 (999件) |
えしせいちょうえんの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12060件
上皮細胞に特異的な成長因子をコ—ドするDNA例文帳に追加
GaN系結晶成長用基板およびその用途例文帳に追加
SUBSTRATE FOR GaN-FAMILY CRYSTAL GROWTH AND ITS USE - 特許庁
上皮細胞に特異的な成長因子をコードするDNA例文帳に追加
DNA ENCODING GROWTH FACTOR SPECIFIC FOR EPITHELIAL CELLS - 特許庁
上皮細胞に特異的な成長因子をコードするDNA例文帳に追加
DNA ENCODING GROWTH FACTOR PECULIAR TO EPITHELIAL CELL - 特許庁
そして、該p型Mg_xZn_1−xO層の成長途中及び/又は成長完了後に、当該成長途中及び/又は成長完了後のMg_xZn_1−xO層を酸素含有雰囲気中にて熱処理する。例文帳に追加
While the p-type Mg_xZn_1-xO layer is growing and/or after its growing has completed, the Mg_xZn_1-xO layer which is under growing state and/or is completed in growing is heat-treated in an atmosphere containing oxygen. - 特許庁
エピタキシャル成長方法及び化合物半導体エピタキシャル成長用基板例文帳に追加
METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH AND COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁
エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャル成長用基板の製造方法例文帳に追加
SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH - 特許庁
半導体装置の製造方法、液相成長法及び液相成長装置、太陽電池例文帳に追加
PRODUCING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, LIQUID PHASE GROWING METHOD, LIQUID PHASE GROWING DEVICE AND SOLAR BATTERY - 特許庁
成長領域を区分したエピタキシャル成長において、エッジ部を盛り上げないようにすること。例文帳に追加
To prevent an edge part from projecting in an epitaxial growth dividing a growing region. - 特許庁
このとき、In_x1Ga_1−x1As層の膜厚は成長する層が2次元成長をし得る範囲で、3次元成長によって成長後の膜の表面粗さが急激に悪化しない程度とする。例文帳に追加
At this time, the thickness of the In_x1Ga_1-x1A_s layer is set not to rapidly deteriorate the surface roughness of the film after grown by three-dimensional growth within a range where the growing layer can be grown two-dimensionally. - 特許庁
好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に100℃を加えた温度以下である。例文帳に追加
Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature. - 特許庁
殆どの支援対象国ではプラス成長が実現し、平均実質GDP成長率は5.2%に上りました。例文帳に追加
Most of the countries of operations realized positive growth, raising average real GDP growth to 5.2%. - 財務省
電子素子基板上へのSiC又はGaN単結晶の成長方法例文帳に追加
METHOD OF GROWING SiC OR GaN SINGLE CRYSTAL ON SUBSTRATE OF ELECTRONIC DEVICE - 特許庁
AlxGa1−xN結晶の成長方法およびAlxGa1−xN結晶基板例文帳に追加
METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN CRYSTAL, AND AlxGa1-xN CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁
エッチング方法,化学気相成長装置,化学気相成長装置のクリ—ニング方法,及び化学気相成長装置用の石英部材例文帳に追加
ETCHING METHOD, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, CLEANING METHOD THEREOF AND QUARTZ MEMBER THEREFOR - 特許庁
結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いGaN結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a GaN crystal having a flat crystal growth plane with a high crystal growth speed. - 特許庁
面内均一性の良いエピタキシャル成長層を得ることの可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a device for crystal growth to obtain an epitaxially grown layer with excellent uniformity within a surface. - 特許庁
次に、エピタキシャル成長法により原料基板100上にエピタキシャル成長層3を成長させる。例文帳に追加
Next, an epitaxial growth layer 3 is grown on the raw-material substrate 100 by an epitaxial growth method. - 特許庁
分子線セルおよび分子線エピタキシャル成長装置例文帳に追加
MOLECULAR BEAM CELL AND MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH SYSTEM - 特許庁
これにより、エピ用トレンチ2内で、エピタキシャル成長膜が同一の成長速度にて形成される。例文帳に追加
Thus, the epitaxial growth film is formed at the same growth rate in the epi-trench 2. - 特許庁
埋め込み時にHClを添加すると[110]方向の成長が[001]方向の成長より遅くなる。例文帳に追加
When HCl is added during embedding, growth in a [110] direction becomes slower than growth in a [001] direction. - 特許庁
基板上に窒化物半導体をハイドライド気相成長法等により成長速度を変えて成長させた後、研磨により基板を除去する。例文帳に追加
The nitride semiconductor is grown on the substrate by changing a growth speed by a hydride vapor growth method or the like, and then the substrate is removed by polishing. - 特許庁
インシュリン様成長因子(IGF)I突然変異体例文帳に追加
INSULIN-LIKE GROWTH FACTOR (IGF) I MUTANT - 特許庁
最初にn型層を成長させ、続いてp型層を成長させる通常の方式で、基板上にエピタキシャル層を成長させる。例文帳に追加
An epitaxial layer is grown on a substrate based on such an ordinary method that an n-type layer is initially grown and then a p-type layer is grown. - 特許庁
子供は彼女の新しい幼稚園で美しく成長した例文帳に追加
The child developed beautifully in her new kindergarten - 日本語WordNet
炎症性腸疾患の疾患マーカーおよびその利用例文帳に追加
DISEASE MARKER OF INFLAMMATORY BOWEL DISEASE AND UTILIZATION OF THE SAME - 特許庁
炎症性腸疾患疾患マーカーおよびその利用例文帳に追加
INFLAMMATORY ENTEROPATHY MARKER AND ITS UTILIZATION - 特許庁
炎症性腸疾患の疾患マーカー及びその利用例文帳に追加
MARKER FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE AND USE THEREOF - 特許庁
インシュリン様成長因子(IGF)I変異体例文帳に追加
IGF (INSULIN-LIKE GROWTH FACTOR) I VARIANT - 特許庁
炎症性腸疾患の検査方法及び検査用キット例文帳に追加
EXAMINATION METHOD AND EXAMINATION KIT FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁
成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法例文帳に追加
METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER FOR MAKING EPITAXIAL GROWTH CHARACTERISTICS DIFFERENT FOR EACH GROWING PORTION - 特許庁
声調付きで辞書引きする手段12aと、声調なしで辞書引きする手段12bとを有する。例文帳に追加
A means 12a consulting a dictionary with voice tone and a means 12b consulting the dictionary without voice tone are provided. - 特許庁
次いで、再度、基板をMOCVD成長装置に入れて、1000℃程度の成長温度で、マスク16を介してGaN第2バッファ層15上に膜厚3μmのGaNコンタクト層20を横方向成長法により成長させる。例文帳に追加
Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15. - 特許庁
植物の生長量に対して大きな影響を与える一因子として、その植物の根の生長の良否を捉え、かつ植物の根の生長を抑制する手段として、根が生長できる空間を制約することを採用する。例文帳に追加
The degree of the growth of roots of a plant is got as one factor extremely affecting the amount of the growth of the plant, and the restriction of a space for allowing the roots to grow is adopted as a means for regulating the growth of the roots of the plant. - 特許庁
私は急性腸炎により入院していた。例文帳に追加
I was hospitalized because I got acute enteritis. - Weblio Email例文集
炎症性腸管障害症予防又は治療剤例文帳に追加
PROPHYLACTIC OR THERAPEUTIC AGENT FOR INFLAMMATORY BOWEL DISEASE - 特許庁
私たちは半年前に比べて成長した。例文帳に追加
We have grown up compared to half a year ago. - Weblio Email例文集
成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。例文帳に追加
A first growth layer 21 is grown on a base body 10 for growth in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is higher than 10 μm/h. - 特許庁
成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。例文帳に追加
A first growth layer 21 is grown on a base 10 for growing so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is >10 μm/h. - 特許庁
量子井戸層の成長開始時での成長表面のSb量がサーファクタントとして機能するに十分なように、量子井戸層の成長を開始する前、たとえば障壁層104の成長中にSbを供給する。例文帳に追加
Before starting the growth of the quantum well layer, for example, Sb is supplied during the growth of a barrier layer 104 so that an amount of Sb on a growth surface in the time of the growth origination of the quantum well layer is enough to function as a surfactant. - 特許庁
このInGaNはAlN領域の表面を覆うように成長されて、井戸層の成長途中ではInGaN29cを形成する。例文帳に追加
This InGaN grows covering the front surface of the AlN domain to form a InGaN 29c in the course of the growth of a well layer. - 特許庁
シリコン単結晶の成長方法,成長装置及びそれから製造されたシリコンウエハ例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SILICON WAFER MANUFACTURED FROM THE SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁
成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method which uniforms a film thickness growing on a substrate by using growth conditions. - 特許庁
CVD法を用いてSi基板直上にGaN層を成長させるGaN層成長方法において、100Torr以下の成長圧力においてGaN層を成長させることを特徴とする。例文帳に追加
In the GaN layer growing method using a CVD method to grow a GaN layer just above the Si substrate, the GaN layer is grown in ≤100 Torr growing pressure. - 特許庁
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