「アニーリング法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

熱可塑性樹脂板のアニーリング方法例文帳に追加

ANNEALING METHOD OF THERMOPLASTIC RESIN PLATE - 特許庁

アニーリング装置及び単結晶の製造方法例文帳に追加

ANNEALING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SINGLE CRYSTAL - 特許庁

半導体膜のレーザアニーリング方法例文帳に追加

LASER ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

パルス列アニーリング方法および装置例文帳に追加

PULSE TRAIN ANNEALING METHOD AND APPARATUS - 特許庁

半導体膜のレーザアニーリング方法とその装置例文帳に追加

LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALER OF SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

未アニーリングイオン注入物検出方法例文帳に追加

NON-ANNEALING ION IMPLANTATION MATERIAL DETECTION METHOD - 特許庁

急速熱アニーリングのための方法が開示される。例文帳に追加

A method for rapid thermal annealing is disclosed. - 特許庁

パルス列アニーリング方法および装置例文帳に追加

PULSE TRAIN ANNEALING METHOD AND DEVICE - 特許庁

板状熱可塑性樹脂成形体のアニーリング方法例文帳に追加

METHOD FOR ANNEALING PLATE-SHAPED THERMOPLASTIC RESIN MOLDED BODY - 特許庁

本発明のセルフアニーリング形成阻害方法は、例えば、ＨＢＶのｐｒｅＣ領域におけるセルフアニーリングの形成を阻害できる。例文帳に追加

The self-annealing formation in a preC region of HBV (hepatitis B virus) can be inhibited by the method for inhibiting the self-annealing formation. - 特許庁

レーザーアニーリングを利用したβ−ＦｅＳｉ２の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING β-FeSi2 USING LASER ANNEALING - 特許庁

半導体装置の製造方法及びレーザアニーリング装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LASER ANNEALING APPARATUS - 特許庁

半導体膜のレーザアニーリング方法とそれに用いる装置例文帳に追加

PROCESS AND EQUIPMENT FOR LASER ANNEALING SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

大領域ガラス基板のコーティング及びアニーリング方法例文帳に追加

METHOD OF COATING AND ANNEALING LARGE AREA GLASS SUBSTRATE - 特許庁

簡便な熱可塑性樹脂板のアニーリング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a simple annealing method of a thermoplastic resin plate. - 特許庁

半導体装置の製造方法及びレーザアニーリング装置例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LASER ANNEALING DEVICE - 特許庁

標的細胞に特異的に結合する核酸のアニーリングによる選択法例文帳に追加

METHOD FOR SELECTING TARGET CELL SPECIFICALLY BINDING NUCLEIC ACID BY ANNEALING - 特許庁

レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法例文帳に追加

LASER ANNEALING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ITS PRODUCTION - 特許庁

セルフアニーリング形成を阻害する方法およびその用途例文帳に追加

METHOD FOR INHIBITING SELF-ANNEALING FORMATION AND USE THEREOF - 特許庁

アニーリングを伴った半導体ウェーハの製造方法及び半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER INCLUDING ANNEALING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ケミカルメカニカル研磨パッドを形成する方法であって、研磨パッド材料とは別に窓を一次アニーリングすることと、一次アニーリングした窓を所定の温度に急冷する前に一次アニーリングした窓の外周に研磨パッド材料を供給することとを含む方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method is for forming a chemical mechanical polishing pad which includes the performing a primary annealing on the window independent of a polishing pad material and the supplying of the polishing pad material to the periphery of the primarily annealed window before quenching the primarily annealed window to a predetermined temperature. - 特許庁

上記のソフトコンピューティング手法は遺伝アルゴリズム、シミュレーテッド・アニーリングで代表される。例文帳に追加

The software computing method is, e.g. genetic algorithm or simulated annealing. - 特許庁

処理チャンバ及びウエハアニーリングシステム並びに半導体ウエハの処理方法例文帳に追加

TREATMENT CHAMBER AND WAFER ANNEALING SYSTEM AND METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

Ａｒ／ＮＨ_３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a silicon wafer including Ar/NH_3 rapid thermal annealing step. - 特許庁

本焼成終了後に、本焼成温度より低い温度でアニーリングを行う調製方法。例文帳に追加

In the catalyst preparation method, annealing is carried out at a lower temperature than the baking temperature after completion of the baking. - 特許庁

アニーリングおよびクエンチングによって遷移液相はんだ接合を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method to obtain a soldered joint having a transitive liquid phase through annealing and quenching. - 特許庁

レーザアニーリング装置及びロードロックチャンバの真空装置及びその制御方法及びプログラム例文帳に追加

LASER ANNEALING APPARATUS, VACUUM DEVICE FOR LOAD LOCK CHAMBER, AND CONTROL METHOD AND PROGRAM THEREFOR - 特許庁

レーザでアニーリングした多結晶シリコン膜中の結晶学的配向を制御する方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION IN POLYSILICON FILM ANNEALED BY LASER - 特許庁

方法はさらに、窓と研磨パッド材料とをいっしょに二次アニーリングすることと、二次アニーリングした窓及び研磨パッド材料を所定の厚さに切断することとを含む。例文帳に追加

The method further includes the performing a secondary annealing on the window together with the polishing pad material and cutting the secondarily annealed window and polishing pad material in predetermined thicknesses. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材層１４とその上に配置されるコンタクト領域２０との間に実質的なオーミックコンタクト領域を形成するための半導体デバイスをアニーリングする方法は、約２時間以上のアニーリング時間に亘って約９００℃以下のアニーリング温度に半導体デバイスをさらす工程を含む。例文帳に追加

A method of annealing a semiconductor device so as to form a substantially ohmic contact region between a wide band gap semiconductor layer 14, and a contact region 20 positioned thereon includes a process of subjecting the semiconductor device to an annealing temperature of ≤approximately 900°C extending over an annealing time of approximately two hours or longer. - 特許庁

血管閉塞デバイスを適切に成型した形態に巻き付ける方法およびそれらをアニーリングして種々のデバイスを形成する方法を含む。例文帳に追加

A method of winding the vascular occlusion device in an appropriately molded form and a method of forming various devices by annealing them are included. - 特許庁

表示装置用基板とその製造方法、表示装置、レーザアニーリング装置、結晶化半導体膜の製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, DISPLAY DEVICE, LASER ANNEALING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLIZED SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

この方法は構成的なものであって、修正された模擬アニーリング方法を用いて、各機械がロボットの近隣に１回に１つずつ配置される。例文帳に追加

The method is constitutional and respective machines are arranged one at a time near the robot by using a corrected simulated annealing method. - 特許庁

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム例文帳に追加

PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING - 特許庁

パターニング、水素中アニーリングにおける問題を低減したレアメタル層を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, having a rare metal layer which reduces the problems in patterning and in annealing in hydrogen. - 特許庁

アニーリング処理した後のポリエステル樹脂２とエポキシ系接着剤３とを接着する方法である。例文帳に追加

The method is for bonding the polyester resin 2 after annealing treatment to the epoxy-based adhesive 3. - 特許庁

また、アニーリング処理した後のポリエステル樹脂２とエポキシ系接着剤３とを接着する方法であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably the method is for bonding the polyester resin 2 after annealing treatment to the epoxy-based adhesive 3. - 特許庁

ポストアニーリングと反転陽子交換とを伴う気相陽子交換工程による高品質導波路の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING HIGH QUALITY WAVEGUIDE BY VAPOR-PHASE PROTON-EXCHANGE PROCESS WITH POST-ANNEALING AND REVERSED PROTON EXCHANGE - 特許庁

結晶シリコン中の炭素濃度を分析する方法は、切り離され、かつアニーリングされたシリコンコアからの切片を供する工程を有する。例文帳に追加

This method for analyzing carbon concentration in the crystalline silicon has a process for supplying a cut piece from a silicon core that is cut off and annealed. - 特許庁

形成後のアニーリングを行なうことなく良質なｐ型窒化物半導体を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high quality p-type nitride semiconductor without annealing after formation. - 特許庁

修正されたシミュレーテッドアニーリング法（ＳＡ）が、溶接作業のコンテキストでＣＡＤシステムにおけるロボット配置の問題に適用される。例文帳に追加

A corrected simulated annealing(SA) method is applied to a robot arrangement problem in a CAD system by a welding work context. - 特許庁

基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR LOCALLY ANNEALING MICROSTRUCTURE FORMED ON SUBSTRATE AND ELEMENT FORMED THEREBY - 特許庁

アニーリング処理をしないで、低抵抗のｐ型ＡｌＧａＮを形成できる製造効率に優れた方法を得ること。例文帳に追加

To obtain a method having an excellent manufacturing efficiency capable of forming a p-type AlGaN having a low resistance without annealing. - 特許庁

基板の所望の領域上でアニーリングプロセスを実行するために使用される装置および方法を開示する。例文帳に追加

To provide a device and a method which are used for executing an annealing process in a desired region of a substrate. - 特許庁

基板の所望の領域上でアニーリングプロセスを実行するために使用される装置および方法を開示する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method used to perform an annealing process on desired regions of a substrate. - 特許庁