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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > エミッタ接合に関連した英語例文

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エミッタ接合の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 159



例文

出力用トランジスタとしてヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを用いたRFモジュールのような半導体集積回路において、出力端子に高電圧が印加されたりインピーダンスが急に変化したとしても出力用トランジスタのエミッタ・コレクタ間の接合が破壊されるのを防止できるようにする。例文帳に追加

To protect a junction between the emitter and collector of an output transistor against damage even if a high voltage is applied to an output terminal or an integrated circuit changes abruptly in impedance in a semiconductor integrated circuit such as an RF module where hetero-junction bipolar transistors are used as output transistors. - 特許庁

第1の導電型の炭化ケイ素(SiC)コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第2の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第1の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ(BJT)を提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer. - 特許庁

一対の主電極(エミッタ・コレクタ電極)と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極32を備えているIGBT(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域28とドリフト領域26の接合界面よりボディ領域28側にn型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。例文帳に追加

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26. - 特許庁

GaAsベース/InGaPエミッタ界面において、遷移層(InGaPAsからなる層)の形成を防止するために流すH_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、HBT特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter. - 特許庁

例文

縦型PNPトランジスタのベース・コレクタ間接合部をダイオードとして用い、また、このPNPトランジスタの寄生PNPトランジスタのベース・エミッタ間に逆バイアス電圧を加えるようにして、リーク電流が少なく耐圧が高いダイオードを、製造工程を追加しなくても実現する。例文帳に追加

A junction between a base and collector of a vertical PNP transistor is used as a diode, and further a reverse bias voltage is applied to between a base and emitter of a parasitic PNP transistor of this PNP transistor, so that the diode in which a leak current is less and a breakdown strength is high is realized without increasing the manufacturing steps. - 特許庁


例文

伝送線23の電圧低下に伴ってトランジスタQ24のコレクタ電位が急峻に低下すると、電源線27からトランジスタQ26およびコンデンサC21を介して電流が流れ、その電流と同じ大きさの補償電流が、トランジスタQ27から共通ベース線29を介してトランジスタQ24のベース・エミッタ接合容量に流れ込む。例文帳に追加

When the collector level of the TR Q24 is rapidly decreased attending a voltage drop of the transmission line 23, a current flows through a power lie 27 via the TR Q26 and the capacitor C21, and a compensation current with the same current value as the flowing current flows to a base-emitter junction capacitance of the TR Q24 from the TR Q27 via the common base line 29. - 特許庁

トレンチIGBTとして構成された絶縁ゲート型半導体装置20のボディ領域30とエミッタ領域32との接合部分のボディ領域30内にトレンチゲート28とは接触しないようボディ領域30より不純物濃度が高いp型半導体により高濃度領域34を形成する。例文帳に追加

In a body region 30 of an insulated gate semiconductor device 20 which is constituted as a trench IGBT and in the body region 30 in a bonded part to an emitter region 32, a high concentration region 34 is formed by using P-type semiconductor whose impurity concentration is higher than that of the body region 30, so as not to be in contact with trench gates 28. - 特許庁

HBT20は、(100)面を主面とする半絶縁性Ga As 基板1上に、エピタキシャル成長法により、順次、エピタキシャル成長させた、n^+−GaAsサブコレクタ層2、n^- −GaAsコレクタ層3、傾斜型GaAs_1-___X N_X ベース層4、及びn−InGaPエミッタ層5からなるヘテロ接合の半導体積層構造を備えている。例文帳に追加

An HBT(heterojunction bipolar transistor) 20 is equipped with a heterojunction of semiconductor stack structure consisting of an n+-GaAs sub collector layer 2, an n-GaAs collector layer 3, a tilting type GaAs1-XNX base layer 4, and an n-InGaP emitter layer 5, epitaxially grown in order by epitaxial growth layer on an semiinsulating GaAs substrate 1 whose main face is (i00) face. - 特許庁

例文

光電変換素子と、PN接合のダイオード特性を用いて前記光電変換素子からの信号を対数に比例した電圧に変換する対数変換部とを備えた光電変換装置において、前記対数変換部のPN接合をバイボーラトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタの内のいずれか2つの端子により形成し、残り一つの端子が半導体基板に接続されている事を特徴とする光電変換装置を提供する。例文帳に追加

The photoelectric converting device equipped with a photoelectric converting element and a logarithmic conversion part which converts a signal from the photoelectric converting element into a voltage proportional to a logarithm by using a diode characteristic of a PN junction is characterized in that the PN junction of the logarithmic conversion part is formed of two terminals among the emitter, base, and collector of a bipolar transistor and the remaining one terminal is connected to a semiconductor substrate. - 特許庁

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